Perovskite형 PMN 은 약 -12$^{\circ}C$에서 Curie 최대치를 (Tm)를 가지며 1KHz에서 매우 5598;은 유전상수(~18000)를 갖기 때문에 유전체로의 응용이 큰데, PMN의제조시 쉽게 생성되는 Pyrochlore상은 일반적으로 매우 낮은 유전률(⊆210)을 가져 계의 전체 유전률을 크게 저하시키는 것으로 알려져 있으며 이런 이유로 이제까지의 연구의 초점의 주로 제조공정중 Pyrochlore 상의 첨가량 및 입자크기에 따른 PMN-Pyrechlore 2상혼합체에서 Prochlore 상의부피분률을 변화시킬 때 유전물의 변화률 GEM(General Effective Media)식을 이용하여 논의하고자한다. Pyrochlore상의 입자크기가 클 경우 2상혼합체 PMN 의 유전률은 Pyrocholre 상의 양이 증가함에 따라 서서히 감소하였으나 입자크기가 작은 겨우 급겨한 갑소를 보였다. 결국 2상의 입자크기 차이는 2상혼합체인 PMN의유전류과 밀접하 ㄴ관계가 있으며. 또한 유전률이 급격히 떨어지는 임계부피분률이 달라짐을 확인할 수 있었다. 또한 Pyrochlore상의첨가량이 증가함에 따라 2상혼합체인 PMN의 유전률의 변화는 GEM식 적용에 있어서는 임계부피률과 t값을 정확히 정하는 것이 중요한데 임계부피분률의 설정은 Perovskite PMN 과 Pyrochlore상의 입자 크기비를 이용하여 Kusy 이론을 기초로 결정하였으며, t 값은 퍼콜레이션 Power-law식에 적용시켜 정하였다였다
본 연구에서는 불포화 토질역학 이론에 근거하여 지반재료의 안정처리로 인해 유발되는 전단강도계수의 변화를 추정하는 방법론을 제안하였다. 지반재료의 유효 점착력과 유효 내부마찰각들이 suction측정값들과 일축압축강도 실험결과를 활용하여 추정되었으며, 안정처리제의 사용량에 따른 효과도 비교하였다. 또한 유전상수 측정실험 결과를 통해서 안정처리에 따른 재료의 suction 변화를 알 수 있었으며, 제안된 방법이 불포화 지반재료의 강도정수를 추정할 수 있음을 보여주고 있다.
In this paper, a new method is suggested to reduce the size of a wide-band array antenna. The power-divider for the feeding structure is made compact as ${\lambda}/8$ with the help of a novel Metamaterial UWB bandpass filter. This power divider is clearly different from others in that the proposed design uses microstrip structured Composite Right and Left-Handed (CRLH) filters, while others use two dielectric layers or long tapered transmission lines. In order to validate the proposed design method, the circuit and full-wave simulated results of the power divider with the Metamaterial UWB filters are compared to each other, and the Metamaterial properties of the structure are shown with the electric field at the ZOR and dispersion diagram. Furthermore, the antenna performance of the fabricated antenna with the power divider is measured and compared with the prediction. Also, the size reduction effect by the proposed scheme is addressed.
In order to investigate the electrical properties of transformer oils for large power, the characteristics of AC and Impulse breakdown in gap length of 1.0~2.5mm and that of volume resistivity were researched in temperature range of 20~$100^{\circ}C$. An geometrical capacitance of electrode with coaxial cylindrical shape for measuring the volume resistivity was 16pF, and highmegohm meter with model no. VMG-1000 was used, and also the applied voltage were DC 100, 250 and 500V. In the dependance of breakdown characteristics due to electrode gap length, it was confirmed that breakdown voltage was nearly uniform by volume effect according to the increase of gap. In the characteristics for AC breakdown, the dielectric strength was increased to $90^{\circ}C$ but decreased over $90^{\circ}C$, and also in case of impulse breakdown, it was increased to 7$0^{\circ}C$ and at dated $70^{\circ}C$ over in temperature range. The calculated mobility of oils in the characteristics for impulse breakdown were about $10^{-5}$~$10^{-4}cm^2/V{\cdot}S$, and the value of volume resistivity was almost invariable in low temperature range, regardless of voltage by the stable thermal properties, and it indicated a peak at $50^{\circ}C$ and had a sudden change to decrease over that temperature, and also the value of volume resistivity in 250V/mm at $80^{\circ}C$ is suitable for the International electrical standards, it was confirmed.
본 논문에서는 IE3D를 기반으로 하는 새로운 PSO(Particle Swarm Optimization) 알고리즘을 사용해 이동통신용마이크로스트립 패치 안테나를 설계하였다. 본 논문의 목적은 이동통신용 급전 사각형 마이크로스트립 안테나를 설계하고, 대역폭의 복사 매개변수에 대한 안테나 크기(길이, 폭) 및 기판 매개변수 상대 유전 상수(${\varepsilon}r$), 기판 두께의 영향을 연구하여 이동통신용에 적합한 안테나를 설계하는 것이다. 안테나 설계 프로그램인 IE3D에 PSO알고리즘을 적용하여 안테나의 낮은 입력저항, 대역폭, 안테나의 이득 등을 개선하였다.
Ferroelectric YMnO$_3$ thin films are excellent dielectric materials for high integrated ferroelectric random access memory (FRAM) with metal-ferroelectric-silicon field effect transistor (MFSFET) structure. In this study, YMnO$_3$ thin films were etched with C1$_2$/Ar gas chemistries in inductively coupled plasma (ICP). The maximum etch rate of YMnO$_3$ thin films is 285 $\AA$/min under C1$_2$/Ar of 10/0, 600 W/-200 V and 15 mTorr. The selectivities of YMnO$_3$ over CeO$_2$ and $Y_2$O$_3$ are 2.85, 1.72, respectively. The results of x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) reflect that Y is removed dominantly by chemical reaction between Y and Cl, while Mn is removed more effective by Ar ion bombardment than chemical reaction. The results of secondary ion mass spectrometer (SIMS) were equal to these of XPS. The etch profile of the etched YMnO$_3$ film is approximately 65$^{\circ}$and free of residues at the sidewall.
In this study, to develop the low temperature sintering ceramics for piezoelectric transformer, PSN-PNN-PZT system ceramics were manufactured as a function of $MnO_2$ addition. Its dielectric and piezoelectric characteristics were investigated. With increasing the amount of $MnO_2$ addition, electromechanical coupling factor(kp) were increased until 0.3wt% $MnO_2$ and that after decreased. mechanical quality factor(Qm) showed the maxinum value at 0.5wt% $MnO_2$. For piezoelectric transformer application, the 0.5wt% $MnO_2$ added specimen sintered at $1,000^{\circ}C$ showed the proper value of ${\varepsilon}r$= 1,646, kp=0.55 and Qm=439.
In this paper, the effect of adhesion properties of semiconductive-insulating interface layer of silicone rubber on electrical properties was investigated. The modifications produced on the silicone surface by oxygen plasma were accessed using ATR-FTIR, contact angle and AFM. Adhesion was obtained from T-peel tests of semiconductive layer having different treatment durations. In addition, ac breakdown test was carried out for elucidating the change of electrical property with duration of plasma treatment. From the results, the treatment in the oxygen plasma produced a noticeable increase in surface energy, which can be mainly ascribed to the the creation of O-H and C=O. It is observed that adhesion performance was determined by not surface energy but roughness level of silicone surface. It is found that ac dielectric strength was increased with improving the adhesion between the semiconductive and insulating interface.
Plasma electrolytic oxidation (PEO) is a promising coating process to produce ceramic oxide on valve metals such as Al, Mg and Ti. The PEO coating is carried out with a dilute alkaline electrolyte solution using a similar technique to conventional anodizing. The coating process involves multiple process parameters which can influence the surface properties of the resultant coating, including power mode, electrolyte solution, substrate, and process time. In this study, ceramic oxide coatings were prepared on commercial Al alloy in electrolytes with different KOH concentrations (0.5 ~ 4 g/L) by plasma electrolytic oxidation. Microstructural and electrochemical characterization were conducted to investigate the effects of electrolyte concentration on the microstructure and electrochemical characteristics of PEO coating. It was revealed that KOH concentration exert a great influence not only on voltage-time responses during PEO process but also on surface morphology of the coating. In the voltage-time response, the dielectric breakdown voltage tended to decrease with increasing KOH concentration, possibly due to difference in solution conductivity. The surface morphology was pancake-like with lower KOH concentration, while a mixed form of reticulate and pancake structures was observed for higher KOH concentration. The KOH concentration was found to have little effect on the electrochemical characteristics of coating, although PEO treatment improved the corrosion resistance of the substrate material significantly.
Quality of the power system depends upon the reliability of its components such as transformer, transmission lines, insulators, circuit breakers and isolators. The transient voltage due to internal or external reasons may affect the insulation level of the components. The insulation level of these components must be tested against these conditions. Different studies, testing of different electrical components against high voltage impulses and different industrial applications rely on the international manufactures for pulsed power generation and testing, that is quite expensive and large in size. In this paper a model of impulse voltage generator with capacitive load of pin type insulator is studied by simulation method and by an experimental setup. A ten stage high voltage impulse generator (HVIG) is designed and implemented for different applications. In this proposed model, the cost has been reduced by using small and cheap capacitors as an alternative for large and expensive ones while achieving the same effectiveness. Effect of the distributed capacitance in each stage is analyzed to prove the effectiveness of the model. Different values of front and tail resistances have been used to get IEC standard waveforms. Results reveal the effectiveness at reduced cost of the proposed model.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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