Keunhoi, Kim;Kyoung Min, Kim;Tae Hyun, Kim;Yeeun, Na
센서학회지
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제31권6호
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pp.361-365
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2022
Advanced packaging demands are driven by the need for dense integration systems. Consequently, stacked packaging technology has been proposed instead of reducing the ultra-fine patterns to secure economic feasibility. This study proposed an effective packaging process technology for semiconductor devices using a 9-inch dicing die attach film (DDAF), wherein the die attach and dicing films were combined. The process involved three steps: tape lamination, dicing, and bonding. Following the grinding of a silicon wafer, the tape lamination process was conducted, and the DDAF was arranged. Subsequently, a silicon wafer attached to the DDAF was separated into dies employing a blade dicing process with a two-step cut. Thereafter, one separated die was bonded with the other die as a substrate at 130 ℃ for 2 s under a pressure of 2 kgf and the chip was hardened at 120 ℃ for 30 min under a pressure of 10 kPa to remove air bubbles within the DAF. Finally, a curing process was conducted at 175 ℃ for 2 h at atmospheric pressure. Upon completing the manufacturing processes, external inspections, cross-sectional analyses, and thermal stability evaluations were conducted to confirm the optimality of the proposed technology for application of the DDAF. In particular, the shear strength test was evaluated to obtain an average of 9,905 Pa from 17 samples. Consequently, a 3D integration packaging process using DDAF is expected to be utilized as an advanced packaging technology with high reliability.
UV-curable pressure sensitive adhesives were prepared by blending acrylic copolymer, copolymerized with butyl acrylate (BA), acrylic acid (AA) and vinyl acetate (VAc) by solution polymerization, triethyl amine (TEA) and trimethylolpropane triacrylate (TMPTA). The PSAs were evaluated by peel strength with varying contents of TMPTA and UV dose, and also glass transition temperature($T_g$) of PSAs were measured. When exposed on UV irradiation, the PSAs showed the decreased peel strength and increased $T_g$. And following UV irradiation, the PSAs did not leave any residue on wafer after peel off PSA.
다이싱 테이프에 사용되는 UV경화형 점착제를 아크릴 공중합체를 butyl acrylate, acrylic acid, methyl methacrylate를 용액 중합을 통해 중합한 뒤, trimethylolpropane triacrylate를 블렌딩하여 제조하였다. 제조된 점착제는 UV 조사량에 따라 접착력, 유리전이온도 ($T_g$)를 측정하였는데 UV 조사량이 증가할수록 접착력은 급격하게 감소하였고 $T_g$도 증가하였다. 웨이퍼 표면에 점착 샘플을 부착하여 UV 조사 후 박리하여 표면을 관찰한 결과 점착잔류물을 남기지 않았다.
반도체 쿼츠 웨이퍼 다이싱용 블레이드는 마이크로/나노 디바이스와 부품을 제조하기 위해 고정밀도의 가공성을 요구한다. 따라서 균일한 마이크로/나노 선폭의 가공을 위해서는 블레이드의 제작 단계에서 균일한 두께와 밀도를 유지하는 것이 중요하다. 기존의 실리콘웨이퍼 가공을 위해서는 금속의 블레이드가 사용되고 있지만 쿼츠 웨이퍼 가공을 위해서는 고분자 복합재가 사용된다. 이러한 복합재는 가공성, 전기전도성, 그리고 적절한 강도와 연성 및 마모저항성이 있어야 한다. 그러나 기존의 건식성형 공정으로는 균일성을 유지하기 위해 많은 공정과 비용이 소비되고 있다. 본 연구에서는 도전성 나노 세라믹스 분말, 연마재 세라믹스 분말에 열경화성 수지, 전도성 고분자를 혼합한 복합재 분말을 습식성형 공정에 의해 제조, 평가하는 연구를 수행하였다. 먼저 복합재 분말을 액상과 혼합하여 블레이드를 제작하였으며, 액상의 종류, 액상 건조공정의 영향을 고찰하였다. 평가는 마이크로미터 측정기와 현미경을 이용하여 두께를 측정하였다. 두께편차와 기공률, 밀도, 경도, 등의 특성을 비교, 평가하였다. 그 결과 습식성형에 의해 블레이드의 두께편차를 감소시킬 수 있었으며, 경도 등의 특성을 향상시킬 수 있었다.
This article shows various factors that influence the thermal-cycling reliability of semiconductor devices utilizing the lead-on-chip (LOC) die attach technique. This work details how the modification of LOC package design as well as the back-grinding and dicing process of semiconductor wafers affect passivation reliability. This work shows that the design of an adhesion tape rather than a plastic package body can play a more important role in determining the passivation reliability. This is due to the fact that the thermal-expansion coefficient of the tape is larger than that of the plastic package body. Present tests also indicate that the ceramic fillers embedded in the plastic package body for mechanical strengthening are not helpful for the improvement of the passivation reliability. Even though the fillers can reduce the thermal-expansion of the plastic package body, microscopic examinations show that they can cause direct damage to the passivation layer. Furthermore, experimental results also illustrate that sawing-induced chipping resulting from the separation of a semiconductor wafer into individual devices might develop into passivation cracks during thermal-cycling. Thus, the proper design of the adhesion tape and the prevention of the sawing-induced chipping should be considered to enhance the passivation reliability in the semiconductor devices using the LOC die attach technique.
Recently, in the semiconductor industry, memory device market is focusing on producing ultra-thin wafers for high integration. In the wafer manufacturing process, wafers after backgrinding and CMP process must be picked up as individual dies and subjected to be peeled off from the dicing tape. However, ultra-thin dies are vulnerable to the possibility of breakage and failure in their thickness and size. This research studies the mechanism of peeling a die with a high-aspect ratio using a thermopneumatic method instead of a die ejector with physical pins. Setting compressed air and the temperature as main factors, we determine the success of the digester using thermopneumatic system and analyze the good die to find the possibility of making mass-production equipment.
반도체 제조공정인 다이싱 공정용 점착 테이프를 제조하기 위해 다양한 개수의 광 반응기를 갖는 화합물을 합성하였고 아크릴 공중합체에 도입하여 UV 경화형 아크릴 점착제를 제조하였다. 합성된 광반응성 화합물(f = 2 또는 3)의 구조는 NMR을 이용하여 확인하였다. 광반응성 화합물(f = 1~3)은 우레탄 반응을 통해 아크릴 점착제의 곁가지로 도입되었고, FT-IR 측정을 통해 UV 경화형 아크릴 점착제가 성공적으로 합성되었음을 확인하였다. UV 조사 전 후의 박리강도 변화는 실리콘 웨이퍼를 기재로 하여 평가되었으며, UV 조사 전 점착제의 높은 박리강도(~2000 gf/25 mm)가 UV조사 후 크게 감소(~5 gf/25 mm)하였다. 다 관능성 광 반응기가 도입된 점착제의 점착력 감소 효과가 가장 컸으며 FE-SEM을 통한 표면 잔류물 측정 결과, UV 조사 후의 표면 잔류물도 매우 낮은 수준(~0.2%)으로 관찰되었다.
더욱 작고 얇고 빠르며, 많은 기능을 가진 모바일 기기에 대한 요구가 그 어느 때보다 높다. 이에 대한 기술적 대응의 하나로 여러 개의 칩을 적층하는 Stacked Chip Scale Package(SCSP)가 어셈블리 업계에서 사용되고 있다. 다수의 칩을 접착하는 유기접착제로는 필름형 접착제인 die attach film(DAF)가 사용된다. 칩과 유기기판의 접착의 경우, DAF가 기판의 단차를 채우기 위해서는 고온에서 높은 유동성이 요구된다. 또한 와이어 사이를 채우면서 고용량 메모리와 같이 동일한 크기의 칩을 접착하는 DAF의 경우에도, 본딩 온도에서 높은 유동성이 요구된다. 본 연구에서는 DAF의 주요 원재료 3성분에 대한 혼합물 설계 실험계획법을 통하여 고온에서 낮은 탄성계수를 갖도록 최적화하고, 이에 따른 점착 특성 및 경화 특성을 평가하였다. 3성분은 아크릴 고분자(SG-P3)와 연화점이 다른 두 개의 고상에폭시 수지(YD011과 YDCN500-1P)이다. 실험계획법 평가 결과에 따르면, 고온에서는 아크릴 고분자 SG-P3의 함량이 작을수록 탄성계수가 작은 값을 나타내었다. $100^{\circ}C$에서의 탄성계수는 SG-P3의 함량이 20% 감소한 경우, 1.0 MPa에서 0.2 MPa 수준으로 감소하였다. 반면, 상온에서의 탄성계수는 연화점이 높은 에폭시 YD011에 의해 크게 좌우되었다. 최적 처방은 UV 다이싱 테이프를 적용시 98.4% 수준의 비교적 양호한 다이픽업 성능을 나타냈다. 유리칩을 실리콘 기판에 부착하고 에폭시를 1단계 경화시킨 경우, 크랙이 발생하였으나, 아민 경화 촉진제의 함량 증가와 2단계 경화를 통하여 크랙의 발생을 최소화할 수 있었다. 이미다졸계 촉진제가 아민계 촉진제에 비해 효과가 우수하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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