• 한국정보통신학회논문지
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• 제5권3호
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• pp.573-579
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• 2001

소자의 고집적을 위한 특성분석 기술은 빠른 변화를 보이고 있다. 이에 따라 고집적 소자의 특성을 시뮬레이션을 통하여 이해하고 이에 맞게 제작하는 기술은 매우 중요한 과제 중의 하나가 되었다. 소자가 마이크론급에서 나노급 이하로 작아지면서 그에 맞는 소자개발을 위해 여러 가지 구조가 제시되고 있는데 본 논문에서는 TCAD를 이용하여 여러 가지 구조 중에서 고농도로 도핑된 ground plane 위에 적층하여 만든 EPI MOSFET를 조사하였다. 이 구조의 특성과 임팩트이온화와 전계 그리고 I-V특성 곡선을 저 농도로 도핑된 드레인(LDD)MOSFET와 비교 분석하였다. 또한 TCAD의 유용성을 조사하여 시뮬레이터로서 적합함과 나노구조 소자에서의 스켈링이론의 적합함을 보았다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2001년도 춘계종합학술대회
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• pp.311-316
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• 2001

소자의 고집적을 위한 특성분석 기술은 빠른 변화를 보이고 있다. 이에 따라 고집적 소자의 특성을 시뮬레이션을 통하여 이해하고 이에 맞게 제작하는 기술을 매우 중요한 과제 중의 하나가 되었다. 소자가 마이크론급에서 나노급 이하로 작아지면서 그에 맞는 소자개발을 위해 여러 가지 구조가 제시되고 있는데 본 논문에서는 TCAD를 이용하여 여러 가지 구조 중에서 고농도로 도핑된 ground plane 위에 적층하여 만든 EFI MOSFET와 LDD구조의 단점을 개선한 newEPI MOSFET에 대해 조사하였다. 이 구조의 특성과 임팩트이온화와 전계 그리고 I-V 특성 곡선을 저 농도로 도핑된 드레인(LDD) MOSFET와 비교 분석하였다. 또한 TCAD의 유용성을 조사하여 시뮬레이터로서 적합함과 나노구조 소자에서의 스켈링이론의 적합함을 보았다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.809-812
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• 2005

In this work, a new method for extracting substrate parameters of RF MOSFETs based on 3-port measurement is presented using device simulation. A T-type substrate resistance network is used. 3-port Y-parameter analyses were performed on the equivalent circuit of RF MOSFETs. All the components in the RF MOSFETs when the device is turned off were extracted directly from the 3-port device simulation data. The small-signal output admittance $Y_{22}$ can be well modeled up to 40 GHz. From the 3-port simulation and modeling results, it was verified that the proposed equivalent circuit and parameter extraction method was more accurate than the single substrate resistance model.

• 한국콘크리트학회:학술대회논문집
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• 한국콘크리트학회 2006년도 춘계학술발표회 논문집(I)
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• pp.474-477
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• 2006

To predict thermal stress independent of uncertain material properties of early age concrete, such as elastic modulus and creep, thermal stress device is used. In order to verify the application of various degree of constraint in the thermal stress device, a series of experiments were performed on mass concrete followed by numerical simulation. The application of various degrees of constraint can be achieved by using constraint frame material with different thermal expansion coefficient, length, and cross sectional area. Temperature development in the real structure has been simulated using temperature and humidity control chamber. The results from experiments and numerical analysis show that the thermal stresses estimated from simulation agree well with the general stress variations in the real structure even though the properties of concrete are uncertain.

• 한국세라믹학회지
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• 제43권12호
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• pp.829-832
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• 2006

In this study, the influence of the magnetic field on ferrite slurry's injection time during the slurry forming process was investigated. The evaluation system of the slurry's injection time under the strong magnetic field was designed with FEM and manufactured. Studied parameters were the applied magnetic field, the input pressure of the slurry, and the supplying tube materials. As the results, the injection time was increased with the external magnetic field strength and rapidly decreased with increasing the input pressure of the slurry. Also the injection time was decreased when the supplying tube was manufactured with the magnetic material having the higher magnetic permeability than the ferrite.

• 한국시뮬레이션학회:학술대회논문집
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• 한국시뮬레이션학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.174-179
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• 2000

Proposed in the paper is a V-FMS (Virtual Flexible Manufacturing System) model to be used as a prototyping tool for FMS design. The proposed V-FMS framework follows an object-oriented modeling (OOM) paradigm and is based on a set of user requirements for FMS prototyping. The V-FMS model consists of four types of object: virtual device, transfer handler, state manager and flow controller. A virtual device model, which corresponds to a static model in OOM, consists of two parts, shell and core, for reusability. A transfer handler corresponds to a functional model of OOM and it stores low level device commands required to perform job flow operations between giving and taking devices. The state manager and the flow controller constitute a dynamic model of OOM. The proposed V-FMS model has been implemented for a couple of linear type FMS-lines

• 상하수도학회지
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• 제25권1호
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• pp.31-39
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• 2011

In order to suggest the methodology for achieving anti-vortex device within multi pump intake well, CFD(Computational Fluid Dynamics) simulation were conducted for two alternative suggestions. Multi-intake sump model with anti-vortex device basins were designed and the characteristics of submerged vortex were investigated in the flow field by numerical simulation. From the results of simulations, to install the horizontal plate and vertical cross plates within basins were effective for preventing air-induction vortex.

• 대한기계학회논문집A
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• 제29권1호
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• pp.81-87
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• 2005

A fracture of hand held device, such as radio, TV and CD-RW drive, mainly occurs due to drop situation. For CD-RW drive, the need of high reading/writing speed in conjunction with low price accelerates the fracture of the device. Computer simulation can reduce the period of development and enhance impact characteristic of device. In this study, the detailed finite element model of CD-RW drive was developed to predict the damage under drop conditions. Material property for shock absorbing damper was obtained from tensile test of raw material. A MOONEY-RIVLIN type rubber in LS-DYNA was used as the material model of damper. To assess the reliability of the developed model, drop test at 200G-2msec and 150G-10msec condition was conducted and acceleration at pick-up was compared.

• 한국화재소방학회논문지
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• 제10권2호
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• pp.28-39
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• 1996

A recently developed electro-thermal simulation methodology is used to analyze the behavior of a PWM(Pulse-Width-Modulated) voltage source inverter which uses IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) as the switching devices. In the electro-thermal network simulation methdology, the simulator solves for the temperature distribution within the power semiconductor devices(IGBT electro-thermal model), control logic circuitry, the IGBT gate drivers, the thermal network component models for the power silicon chips, package, and heat sinks as well as the current and voltage within the electrical network. The thermal network describes the flow of heat form the chip surface through the package and heat sink and thus determines the evolution of the chip surface temperature used by the power semiconductor device models. The thermal component model for the device silicon chip, packages, and heat sink are developed by discretizing the nonlinear heat diffusion equation and are represented in component from so that the thermal component models for various package and heat sink can be readily connected to on another to form the thermal network.

• 전기전자학회논문지
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• 제20권1호
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• pp.94-102
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• 2016

본 논문에서는 기계학습 알고리즘을 이용하여 다중물리(Multi-physics) 시뮬레이션의 반복 횟수를 획기적으로 줄일 수 있는 다중물리해석 예측 방법을 제안한다. 기존의 다중물리해석 시뮬레이션의 경우 소요되는 시간과 노력을 줄이기 위해 시뮬레이션 자체에 대한 방법과 환경 개선에 초점이 맞추어져 있으나 본 논문에서는 다중물리 시뮬레이션 결과를 기계학습 알고리즘으로 학습하여 추가적인 시뮬레이션을 수행하지 않고 학습된 기계학습 알고리즘을 사용하여 수십분에서 수시간에 걸리는 다중 물리 해석과 유사한 결과를 수초 내에 예측할 수 있음을 보였다. 기계학습 알고리즘 간의 성능을 비교하여 다중물리해석에 적합한 기계학습 알고리즘을 확인하였으며 가장 우수한 성능을 보인 가우시안 프로세스 회귀(Gaussian Process Regression)의 경우 100개 이하의 학습 샘플만으로도 우수한 예측 결과를 얻어낼 수 있음을 확인하였다. 제안하는 방식을 통해 시뮬레이션을 하고자 하는 모델의 형상이나 재질이 변경될 경우 기존의 시뮬레이션 결과로 학습된 알고리즘이 있다면 시뮬레이션을 반복 수행하기 전에 알고리즘을 이용하여 결과를 예측할 수 있어 시뮬레이션의 반복 횟수를 줄일 수 있을 것으로 기대한다.