• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제14권1호
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• pp.8-16
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• 2003

$TiO_2$ thin films were deposited by DC reactive magnetron sputtering with variations in sputtering parameter such as Ar and $O_2$ flow rate, DC power, substrate temperature and magnetic field. Deposition rate, crystal structure, chemical bond of $TiO_2$ films on the deposition conditions were investigated by Alpha-step, X-ray Diffractometer(XRD), X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS). When the DC power was applied at 500watt, deposition rate of $TiO_2$ film was about 480A/min. $TiO_2$ films coated under the deposition condition of 15sccm Ar and 7~10sccm $O_2$ flow rate was only observed anatase phase. With increasing substrate temperature from RT to $300^{\circ}C$, crystal orientation of $TiO_2$ films variously became.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권2호
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• pp.196-203
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• 1995

We presented Tungsten and Tungsten Nitride thin films deposited by RF and DC sputtering. It deposited at various conditions that determining the resistivity and sheet resistivity by stabilizing the basic theory. We investigated properties of the resistivity and sheet resistivity of these films under various conditions, temperature of substrate, flow rate of the argon gas and content of nitrogen from nitrogen-argon mixtures. As the temperature of substrate increased and the flow rate of the argon gas decreased, the resistivities of these films reduced by structural transformation. We found that these resistivities were depend on the temperature of substrate, flow rate and electric power. Very highly resistive tungsten films obtained at 10W RF power. On the contrary, we found that films deposited by DC sputtering, from which very lowly resistive tungsten films were obtained. Tungsten nitride thin films deposited by reactive DC sputtering and the resistivities of these films increased as the content of nitrogen gas increased from nitrogen-argon mixture. And also we found the results show very good agreement, compared with experimental data.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제5권1호
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• pp.8-13
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• 1992

일련의 Al/Tb-Fe-Co 다층박막 시편이 DC마그네트론 스퍼터링에 의해 제조되었다. 이 박막들은 (xA/yB)n의 형태이고 여기서 x와 y는 각각 Al 및 Tb-Fe-Co 박막의 두께를 나타내고 n은 각 박막의 수를 나타낸다. 각 박막의 두께는 2~40nm이다. Al과 Tb-Fe-Co박막의 두께변화에 따른 다층박막의 자기적 성질이 vibration sample magnetometry(VSM)에 의해 측정되었다. 이들 다층박막은 동일한 스퍼터링조건에서 제조되고 수평 자기적 이방성 특성을 보이고 있는 단층 Tb-Fe-Co박막을 기준시편으로 하여 자기적 성질이 비교되었다. 다층박막 시스템에서는 현저한 계면 또는 박막두께의 효과가 발견되었으며 이들 효과에 의해 단층박막의 수평자기체가 다층박막에서는 강한 수직자기체로 변화되는 것을 알 수 있고, 또한 Al과 Tb-Fe-Co합금 경계구역에 스퍼터링에 따른 약 2nm두께의 dead layer가 존재함이 입증 되었다.

• 한국자기학회지
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• 제11권5호
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• pp.202-210
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• 2001

자연산화 $Al_2$O$_3$층이 형성된 하부형태 터널링 자기저항 다층박막이 기본진공도 $10^{-9}$ Torr을 유지하는 UHV 챔버내에서 이온빔 스퍼터링과 dc 마그네트론 스퍼터링 법으로 증착되었다. 제작된 스핀의존터널링 (SDT) 접합소자의 최대 터널링자기저항(TMR)와 최소 접합저항과 면적곱(R$_{j}$ A) 각각 16~17%와 50-60$\Omega$$\mu\textrm{m}$$^2$이었다. 자기장하에서 열처리한 SDT접합에 대한 TMR향상과 (R$_{j}$ A) 감소의 변화는 미미하였다. 접합면적이 81$\mu\textrm{m}$$^2$에서 47$\mu\textrm{m}$$^2$까지 접합크기가 작이짐에 따라 TMR이 증가하고 (R$_{j}$ A)이 감소하는 의존성이 관찰되었다. 이러한 현상을 하부층 단자의 판흐름 저항값 의존효과와 스핀채널효과로 설명하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2005년도 춘계학술발표대회 및 제8회 신소재 심포지엄 논문개요집
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• pp.148-148
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• 2005

• 한국결정성장학회지
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• 제14권6호
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• pp.277-280
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• 2004

p형 ZnO 에피 박막을 사파이어 기판의 (0001)면 상에 RF-DC magnet co-sputtering 법으로 성장시켰다. 약 120nm두께의 단결정상 박막을 성공적으로 얻어내었다. p형 ZnO를 만들기 위해서 Al 금속 타켓을 이용하여 DC 스퍼터링으로 $400^{\circ}C$와 $600^{\circ}C$에서 ZnO를 rf magnetron sputtering으로 증착하고, 동시에 Al의 doping을 행하였으며, 성장된 박막의 결정성과 광특성에 대하여 고찰하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.376-382
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• 2000

We successfully fabricated OLED(Organic Light Emitting Diodes) with Al cathodes electrode deposited by the DC magnetron sputtering. The effects of a controlled Al cathode layer of an Indium Tin Oxide (ITO)/blended single polymer layer (PVK Bu:PBD:dye)/Al light emitting diodes are described. The PVK (Poly(N-vinylcarbazole)) and Bu-PBD (2-(4-biphenyl-phenyl)-1,3,4-oxadiazole) are used hole transport polymer and electron transport molecule respectively. We found that both current injection and electroluminescence output are significantly different with a variable DC sputtering power. The difference is believed to be due to the influence near the blended polymer layer/cathode interface that results from the DC power and H$\sub$2//O in a chamber. And DC sputtering deposition is an effective way to fabricate Al electrodes with pronounced orientational characteristics without damage occurring to metal-organic interface during the sputtering deposition.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2000년도 추계총회,초청강연,특별강연,연구발표회
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• pp.52.1-52
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• 2000

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2002년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.72-73
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• 2002

No Abstract, See Full Text

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2001년도 하계학술발표회
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• pp.42-43
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• 2001