Conventional method for designing and installing anechoic chambers is to utilize porous wedges for the sound absorbers. As cutoff frequency lowers down such as 63Hz or 50Hz, the corresponding long wedges diminish the free field area of the chamber. In this study, a new broadband compact absorber(BCA) is introduced which absorbs acoustic energy down to 50Hz. Most prominent is that it measures only 250mm thick. A freely vibrating panel between the non-fibrous absorbers allows tuned absorption at the low frequency region in addition to the high frequency absorption resulted from the conventional absorber installed at the front. Standing waves at low frequency range are suppressed as the BCA modules which are tuned to the corresponding modes absorb sound energy effectively, resulting in anechoic condition. Not only the low frequency performances, but the high frequency absorption is measured to meet adequate conditions for the anechoic chamber. Realized BCA chambers are presented.
본 논문은 스마트 그리드에 사용할 수 있는 저항성 전력 분배기에 관한 연구이다. 미래 스마트 그리드에서는 고속 전력선 통신이 실용화 단계에 이를 것으로 예상되므로, 전력 분배기의 초고주파수 응답 또한 그 중요성을 가지고 있다. 본 논문에서는 thin-film 기술을 사용한 저항성 전력 분배기를 설계, 측정 및 분석을 하였다. 고주파 전송 신호선 제작을 위해 코플라나 전송 선로를 제작, 측정하였다. 3 dB 차단 주파수는 72 GHz로 측정되었으며, S11의 크기는 70 GHz까지 <-20 dB 특성을 보였다. 저항성 전력 분배기 제작을 위해 델타형 구성으로된 회로를 thin-film 기술을 이용하여 제작하였다. 3 dB 차단 주파수는 50 GHz를 보였다. 저항성 전력 분배기의 고속 입력 신호 (40 Gb/s)가 이론에서 예상한 대로 6 dB의 삽입 손실을 가지며 전송되는 것을 실험적으로 확인하였다.
CuCl, KDP 결정체를 이용한 지그재그형 진헹파 전기광학적 레이저 변조기에 대해 자세히 해석했다. 변조기와 크기와 대역폭은 변조용 결정체의 광학적 특성및 M/W유전특성에 의해 결정됨을 알수 있다. 더욱 광손실과 M/W손실의 영향, 입사각, 회절등의 영향을 규명했고 최적 설계법을 제시했다. 중요한 결과를 요약하면 다음과 같다. (1) CuCl, KDP로 10(GHz)이상의 대역폭에서 3(watt)이하의 변조전력으로 50%변조를 얻었다. (2) 변조주파수 한계의 상한은 레이저 빔폭에 의한 차단주파수로 인해 제한된다. A detailed analysis has been carried out of a zigzag traveling wave electro-optic laser modulator usin3 CuCl, KDP Crystal. The inclusion of such practical factors as M/W and optical loss results in an optimum design in which modulator dimensions and bandwidth limitation are uniquely determined by optical and M/W dielectic properties of modulating crystal. The main conclusion of the analysis are: (1) CuCl, KDP may be used to produce 50% modulation over bandwidth of 10(GHz) with less than (watt) of modulating power. (2) The upper modulation frequency limit is set by a cutoff frequency which arises from finite width of optical beam.
Tc-99m-MIBI 심근 SPECT에서 심근조직에 비하여 간섭취가 상대적으로 높고 이들이 서로 가까이에 위치해 있는 경우 단축단면상의 하위부 또는 하위중격부에서 발생하는 인위적 관류결손의 정도와 여과기의 차단주파수의 관계를 분석하였다. 이러한 영향은 단축단면상뿐만 아니라 심근 극성지도에서도 관찰되는데, 심근단층상에서 계수분포가 균일하지 못하고 간과 같이 특정부위에 방사능의 집적도가 높은 경우 단층상 재구성시 차단주파수의 적절한 설정에 따라 이 효과를 줄일 수 있는 방법을 제안하였다. 본 연구에서 분석에 사용된 여과기는 저역 통과여과기로 이를 사용하는 경우에는 차단주파수를 0.4 Nyquist 이상으로 하면 인위적 관류결손의 정도를 충분히 줄일 수 있었다. 그러나 높은 차단주파수에서는 심근영상의 균일도가 떨어지고 배후방사능 및 기타 잡음요인이 효과적으로 제거되지 않기 때문에 적절한 차단주파수의 설정이 중요하며, 본 연구에 사용된 영상에서 여과방법에 따른 원주프로필의 변화가 미세하여 후처리방법을 사용하여 분석하였다. 또한 역투사방법이 비선형적이므로 특정 영상보다는 다양한 간-심근 방사능비에 따른 영상을 분석하여 비선형성을 배제한 연구가 향후 진행되어야 한다.
In this paper, we study effect of waveness at the optical surface roughness measurement. In generally, waveness components cause errors in calculation of the roughness value of metal surface. We study about surface roughness signals In the frequency domain for separate two signal component of real roughness and waveness by digital signal processing methods. Thereafter, determine low and high Component of frequency spectrum. By this separating frequency value we design liner low and high pass filter which cutoff frequency is 1 Hz. After this process, converted each filtered spectrum by inverse discrete fourier transformation to time domain waveness and real roughness signals We calculate surface roughness value from filtered roughness signals. For evaluate this method, we use five specimens roughness signal which obtained from optical surface roughness measuring system in 3mm/s moving speed with 0.1 mm laser beam spot size As a result, we obtain more linerized roughness value than that of unfiltered roughness signals.
This paper presents a new methodology for designing a dielectric waveguide filter with the cutoff frequency of 2.4 GHz based on the continuum design sensitivity analysis. An analytical sensitivity formula is derived in frequency domain and then unified program architecture applicable to the optimal design of high-frequency devices is proposed. A three-dimensional dielectric resonator used in waveguide filters has been tested to illustrate the validity of the proposed method.
In ultrashort-pulse reflectometry (USPR), a chirped waveform transformed from the USPR source impulse signal via waveguide makes it possible to employ millimeter-wave mixers for the frequency up-conversion process. Consequently, the frequency bandwidth of the USPR system is sufficiently wide to cover a large portion of the electron density profile of the plasma. Some physical aspects of the chirped waveform, such as maximum amplitude and length, are critical factors to determine the performance of the system. In this paper, the propagation of the USPR impulse signal through a rectangular waveguide is numerically studied to derive the chirped waveform using the impulse response of the waveguide. The results of numerical computation show that the chirped waveform significantly depends on the waveguide cutoff frequency as well as the waveguide length.
This paper is for improving the RF frequency performance of a fabricated 100nm ${\Gamma}$-gate MHEMT, scaling down vertically for the epitaxy-structure layers of the device. Hydrodynamic simulation parameters are calibrated for the fabricated MHEMT with the modulation-doped $In_{0.52}Al_{0.48}As/In_{0.53}Ga_{0.47}$As heterostructure grown on the GaAs substrate. With these calibrated parameters, simulations for the vertically-scaled epitaxial layers of the device are performed and analyzed for DC/RF characteristics, including the quantization effect due to the thickness reduction of InGaAs channel layer. A newly designed epitaxy-structure device shows higher extrinsic transconductance, $g_m$ of 1.556 S/mm, and higher frequency performance, $f_T$ of 222.5 GHz and $f_{max}$ of 849.6 GHz.
The dependence of cutoff frequency and maximum oscillation frequency of $0.13{\mu}m$ CMOS transistors on layout parameters such as the unit gate width and gate finger number is measured and analyzed in this paper. This information will be very useful for high performance RF IC design.
In this paper, a voltage-controlled frequency tunable current-mode integrator and a 3rd-order current-mode Chebyshev filter in 1.8V-$0.18{\mu}m$ CMOS is realized for software radio applications in system-on-chips. This filter is used for reconstruction purposes between a current-steering DAC and a current-mode mixer. Power consumption of the designed filter can be reduced by using a current-mode small size integrator. And also, cutoff frequency of this filter is variable between 1.2MHz and 10.1MHz, the power consumption is 2.85mW. And the voltage bias compensated circuit is used to control the voltage variation.in the designed filter.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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