Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.140.2-140.2
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2016
Despite the growing interest in GeTe as a archetypal displacive ferroelectric material as well as the basis of related materials used in data-storage applications, atom-resolved study of single crystalline GeTe surface been lacking. Using low temperature scanning tunneling microscopy (STM) and spectroscopy (STS), we investigated as-cleaved and annealed surfaces of GeTe. We found that as-cleaved GeTe(111) surface is composed of at least two kinds of terraces at 78 K. While two terraces show metallic characteristics, they also exhibit distinctive I-V spectra and imaging conditions, with each being attributed to Ge-terminated, and Te-terminated surfaces respectively. GeTe(111) surfaces annealed at moderately elevated temperature introduces intricate networks of extended defect structures. We will present these data and discuss the role of vacancies in the formation of these structures.
The properties of scid-resistance to boiling HCl, thermal expansion coefficient and softening temperature of mother glass and glass-ceramic of LAS systems were investigated at the contents of SiO2 varing from 57 to 67wt%. The nucleation and growth of crystalline phase of LAS compositions were carried out at 50$0^{\circ}C$ and $700^{\circ}C$. The crystalline phase jconsists of lithium alumino silicate, lithum meta silicate, lithium disilicate, $\alpha$-crystobalite and $\alpha$-quartz. Lithium alumino silicate(virgilite) is the major crystalline phase in the glass ceramics. The degree of acid resistant property was increased in proportion with the silica content for both glass and ceramics. Glass-ceramic gives lower acid-resistance and thermal expansion coefficient while softening temperature shows higher for glass-ceramic than for mother glass.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.178-178
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1999
Low temperature Si epitaxy can provide flexibility for a device designer to tailor or optimize the device performance. It is better method for controlling the doping thickness, concentration and profile than ion implantation and diffusion. But there is a limited growth thickness in this method. At a given temperature, the film grows epitaxially for a certain limiting thickness(hepi) and becomes amorphous. The transition from crystalline Si to amorphous Si is abrupt. In this study, Si film was deposited by ion beam sputter deposition on Si (0001) above a limiting thickness and measure the strain in the interface between crystalline Si and amorphous Si. The strain was compressive and the maximum value was about 2%.
Structural changes of high modulus carbon fiber by oxidation in carbon dioxide gas using SEM, TEM, and XRD have been observed. It was shown that the originally high modulus carbon fiber is composed of highly ordered graphitic crystalline area and non-crystalline area. It was observed that the La increases during the whole oxidation process. It was shown that the oxidation of high modulus carbon fiber initiates at the non-crystalline area and at the ends of fiber. The large pores developed in fiber by direction of fiber length at high temperature ($1,100^{\circ}C$), and the small pores developed on the fiber surface at low temperature ($900^{\circ}C$). In conclusion, it is found that the oxidation of the carbon fiber was progressed through the imperfection.
In this study, the characteristics and sinterablities of TiO2 powders which were fabricated on sol-gel process and supercritical fluid process were examined. The powders fabricated on sol-gel process were amorphous. The particle size and shape were changed with the amount of water used for hydrolysis of titanium ethoxide. The powders were changed from amorphous to crystalline by heating at 400℃. The crystalline anatase TiO2 powders were directly prepared in ethanol supercritical fluid condition that temperature was 270±3℃ and pressure was 7.3 MPa. It's primary crystalline size was 20 nm and agglomerated as spherical shape whose size was 0.7∼1㎛. The powders prepared on sol-gel process were not sintered densely at 900℃ because of abnormal grain growth. However, the powders which prepared on supercritical fluid process were sintered densely at the comparatively low temperature of 800℃ by ideal growth of grain, which are fired at 900℃.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.50
no.12
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pp.593-598
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2001
Transient liquid phase processing was investigated to decrease processing temperatures while maintaining useful piezoelectric properties in the lead zirconate titanate (PZT) system. Niobium oxide$(Nb_2O_5)$ modified crystalline PZT (PZTN) powder was combined with lead silicate $(PS; PbO-SiO_2)$ glass powder and crystalline titania, zirconia, and niobia. Firing above the melting temperature of the lead silicate $(PS; Tm \risingdotseq\; 714^{\circk}C)$ resulted in liquid phase densification of the PZTN followed by dissolution of the titania, zirconia, and niobia into the liquid phase, and crystallization of additional PZTN. The addition of crystalline titania, zirconia, and niobia to react with the lead oxide from the lead silicate phase resulted in an increase in the dielectric and Piezoelectric properties.
Proceedings of the Korean Powder Metallurgy Institute Conference
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2006.09a
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pp.272-273
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2006
A new process of pulsed electric current sintering was developed. It combines compaction with activated sintering effectively and can manufacture bulky nano-crystalline materials very quickly. A nano-structured steel is obtained with high relative density and hardness by this process. The average grain size of iron matrix is 58nm and the carbide particulate size is less than 100 nm. The densification temperature of ball-milled powders is approximately $200^{\circ}C$ lower than that of blended powders. When the sintering temperature increases, the density of as-sintered specimen increases but the hardness of as-sintered specimen first increases and then decreases.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.22-23
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2007
We tried to find the possibility of mono-crystalline silicon solar cell for photovoltaic concentrating system which is major cost portion for PV system using fresnel lens. With solar simulator and I-V curve tracer, we analyzed maximum output characteristics and measured the temperature of concentrated area using infrared camera. Because of temperature increase, there was no merit when concentrating. But at low radiant power, it showed more efficient operation. The combination of heat-sink technology and tracking system to our concentrating PV system would give better performance results.
Planar type micro catalytic combustible gas sensor was developed by using nano crystalline $SnO_2$ Pt thin film as micro heater was deposited by thermal evaporation method on the alumina substrate. The thickness of the Pt heater was around 160 nm. The sensor showed high reliability with prominent selectivity against various gases(Co, $C_3H_8,\;CH_4$) at low operating temperature($156^{\circ}C$). The sensor with nano crystalline $SnO_2$ showed higher sensitivity than that without nano crystalline $SnO_2$. This can be explained by more active adsorption and oxidation of hydrogen by nano crystalline $SnO_2$ particles. The present planar-type catalytic combustible hydrogen sensor with nano crystalline $SnO_2$ is a good candidate for detection of hydrogen leaks.
After lamination process, Isc is increased by sheet reflection. This paper presents the electrical output characteristics by back sheet reflection. The experiments was conducted by using single crystalline and multi crystalline PV module. The reflection area of single crystalline PV module is larger than multi one due to the difference of solar cell manufacturing. The experiments show that the increased performance ratio of single crystalline PV module output power is 1.55% rather than that of multi crystalline PV module output power is 1.13%. In addition, it is expected that the output power of single one rather than multi-one is increased by the lower temperature when the PV module is installed outside. The results can be reconsidered by the test material and test process. Back sheet used for humidity prevention makes PV module output power increasing.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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