Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제6권4호
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pp.186-189
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2005
We have fabricated superconducting HTSC ceramic thick films by chemical process. c-axis oriented HTSC thick films have been attempted bi-axially textured Ni tapes. The x-ray diffraction pattern of the HTSC thick films contained superconducting phase crystal. The critical temperature and critical current density was 110K.
세팔 별모양 폴리스타이렌 (PS, $M_{w}$=2.80$\times$$10^{5}$ , 2.49$\times$$10^{6}$ g/mol)의 여러 종류의 사슬 크기를 t-decalin 용액의 온도 20~7$0^{\circ}C$ 사이에서 점성도법, 레이저 광산란법을 이용하여 측정하였다. 별모양 고분자들의 팽창이 만능성을 갖기 위하여서는 그들 자신의 교란되지 않은 회전 반경 $R_{G,Br,o}$이 포함된 (N/ $R_{G,Br,o}$$^{2}$)$^{3}$2/$ au$/$\tau$$_{C}$ 파라미터가 사용될 것으로 예측하였으나, 실험 결과는 오히려 선형 폴리스타이렌 고분자의 교란되지 않은 회전 반경이 사용된 (N/ $R_{G,Br,o}$$^{2}$)$^{3}$2/$\tau$/$\tau$$_{C}$ 파라미터가 보다 우수한 만능성을 보여 주었다. 이러한 이유는 가지 효과가 $\tau$/$\tau$$_{C}$(=[(Τ-Θ$_{Tc}$ )/Θ$_{Tc}$ ]/[(Θ$_{Tc}$ -Τ$_{c}$)/ $T_{c}$])부분에서 이미 반영되어 척도 상수 N/ $R_{G,O}$$^{2}$ 부분에서는 나타나지 않는 것으로 생각되어진다. 여기서 N은 고분자 사슬을 이루고 있는 단량체의 개수, Θ$_{Tc}$ 는 고분자의 분자량이 무한대일 때의 임계 용액 온도로써의 Θ 온도를 각각 의미한다.미한다.미한다.다.
Lanthanum manganites have been extensively studied for the application to magnetic devices since the colossal magnetoresistance of these compounds has been observed [1]. The critical temperatures, Tc, of manganites La/sub 0.7/Ca/sub 0.3-x/Ba/sub x/MnO₃ increased as the content of Ba increased except the abrupt jump near the critical concentration. The step like behavior of the critical temperature for a similar compound has been known to be related to the structural phase transition [2]. To understand the step like behavior of Tc, the EXAFS technique is applied to the La/sub 0.7/Ca/sub 0.3-x/Ba/sub x/MnO₃ compound system. The ordering between the manganese and oxygen was examined by this method. The EXAFS analysis shows that the coordination numbers were not changed before and after the phase transition, the bonding distance between manganese and oxygen is about 1.94 ± 0.02 Å, which is consistent with other work [3] and the Debye waller parameters were about σ²= 0.0037 ± 0.0005 Ų for x=0.0 and x=3.0, respectively. The value of Debye-Waller parameter for x=0.09 is about σ² = 0.0050 ± 0.0005 Ų in about phase transition concentration. Based on the Debye-Waller parameters, it is shown that the ordering between manganese and oxygen is significantly reduced near the phase transition concentration.
In the ($Bi_{1-x}Pb_{x}$)$_2$$Sr_2$$Ca_2$$Cu_{3.6}$$O_{y}$ (x=0∼0.5) superconductors, DTA and XRD-pattern analyses were performed to obviousely define optimal calcining and sintering temperature. And, understanding behaviors of High-Tc phase with preparation condition of superconductors, that is, calcining and sintering temperature, sintering time, and variation of Pb contents, in order to make single phase of superconductor, microstructure and its composition were analyzed with SEM, XRD, and EDAX. continuously, the cause of phase transition was define with synthetically studying mutural relation between measured electrical resistivity and current density. Also, in order to design enhancement of critical current density, Jc required for realization, samples varied with pressing condition were made, and measured its, Jc.
Correlative changes between photosynthetic O2 exchange rates and room temperature Chl fluorescence were investigated in wheat (Triticum aestivum L.) chloroplasts treated with high temperature for 5 min. With increasing treatment temperature, photosynthetic O2 evolution rate mediated by PSII was decreased, showing 50% inhibition at 38$^{\circ}C$ (I50). But PSI activity measured by O2 uptake rates was stimulated as a function of increasing temperature. Dark level fluorescence (Fo)-temperature (T) analysis showed that fluorescence rising temperature (Tr), critical temperature (Tc), and peak temperature (Tp) was 38, 43, and 52$^{\circ}C$, respectively. Quenching analysis of Chl fluorescence showed that both the oxidized fraction of plastoquinone (qQ) and degree of thylakoid membrane energization (qNP) increased up to 4$0^{\circ}C$ and then declined dramatically. These results suggest that Tr is correlated with temperature showing a 50% of inhibition of photosynthesis and under mild high temperature stress, qNP is worth regarding as indicator for heat-induced damage of photosynthesis.
We fabricated the YBCO films on LAO substrate using the TFA-MOD method and evaluated the effects of heat treatment temperature and film thickness on the microstructure, degree of texture, and critical properties. The calcining and firing were peformed at the temperature range of $370^{\circ}C-460^{\circ}C\;and\;750^{\circ}C-800^{\circ}C$, respectively. For the films fired at $775^{\circ}C$ after calcining at $400^{\circ}C-430^{\circ}C$showed highest critical temperature (Tc-onset) of 89.5 K and critical current (Ic) of 40A/cm-width which corresponds to critical current density (Jc) of $1.8MA/cm^2$. The highest critical properties are probably attributed to the formation of purer YBCO phase, stronger biaxial texture, and higher oxygen content, according to the XRD, pole-figure, SEM, Raman analysis. From the multi-coated films, the Ic increased from 39 to 169 A/cm-width as the coating repeated to four times, while the corresponding Jc was measured from once to be in the range of $0.8-1.2MA/cm^2$. Both Ic and Jc degraded as the coating repeated further, indicating that the optimum thickness is in the range of $1.0{\mu}m-1.7{\mu}m$.
$Bi_{1.84}Pb_{0.34}Sr_{1.91}Ca_{2.03}Cu_{3.06}O_{10+\delta}$ high $T_{c}$ superconductors containing Ag as an additive were fabricated by a solid-state reaction method. The superconducting properties, such as the structural characteristics, the critical temperatures, the grain size and the image of mapping on the surface were investigated. Samples with Ag and Au of 50 wt% each were sintered at various temperature(820~$850^{\circ}C$). The structural characteristics, the microstructure of surface and the critical temperature with respect to the each samples were analyzed by XRD and SEM, EDS and four-prove methode respectively. The critical temperature showed the result which the Ag additive samples are higher than Au additive samples. The microstructure of the surface showed the tendency which the Ag additive samples become more minuteness than Au additive samples.
Current leads of high $T_{c}$ superconductor were fabricated with Bi excess B $i_{2.2}$/S $r_{1.8}$/C $a_{1}$/C $u_{2}$/ $O_{x}$ composition by rapid cooling method. The dimensions of final samples were fixed 3 mm and 8 mm diameter with 50 mm length each To control uniform density the samples were preformed by CIP(Cold Isostatic Press) process and followed by partial or full melting process after raising up to 90$0^{\circ}C$ for 30min. Plate shaped microstructure was clearly observed adjacent to the Ag tube wall and the size of plate was about 100$\mu$m. However the severe destruction of growth orientation was shown in the inner growth part. critical temperature ( $T_{c}$) was about 53~71K after directional growth while Tc was decreased about 77~80 K before directional growth. After directional growth critical current( $I_{c}$) and critical current density( $J_{c}$) in the specimen of 8 mm diameter at 50 K were about 110 A and 280 A/c $m^2$ respectively.pectively.ely.
Bi-Sr-Ca-Cu-O superconducting system has both the low and high Tc phases. We added Pb and sintered for 200hrs. in OS12T atmosphere in order to get the superconductor above critical temperature 100K. Superconducting properties of the Bi(Pb)SrCaCuO system doped Sb were also investigated. When Sb of 0.1mol is added, the sintering time becomes shorter than that doped Pb only. We could get the critical temperature 102K at the samples sintered for 24hrs. and 109K for 210hrs.
Bi based superconducting thin films were fabricated by 4-target RF magnetron sputtering using the method of controlling the on-off time. These thin films showed better crystal structures. The ratio of Cu/Bi decreased but the critical temperature increased with increasing the temperature of the substrate. High temperature phase low temperature of the substrate. High temperature phase low temperature phase and semiconducting phase can be formed by controlling the on-off time of the shutter respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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