The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.53
no.9
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pp.455-458
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2004
In this paper, we investigated impurities content and physical properties showing by changing the content of carbon black that is semiconductive materials for underground power transmission. Specimens were made of sheet form with the three of existing resins and the nine of specimens for measurement. Impurities content of specimens was measured by ICP-AES (Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Spectrometer), and density of specimens were measured by density meter And then specific heat (Cp) was measured by DSC (Differential Scanning Calorimetry). A ranges of measurement temperature were from $0^{\circ}[C]$ to $200^{\circ}[C]$, and heating temperature was $4^{\circ}[C/min]$. Impurities content was highly measured according to increasing the content of carbon black from this experimental result, also density was increased according to these properties. Especially impurities content values of the Al and A2 of existing resins were measured more than 4000[ppm]. Specific heat from the DSC results was decreased according to increasing the content of carbon black. Because ionic impurities of carbon black having Fe, Co, Mn, Al and Zn are rapidly passed kinetic energy increasing the number of times breaking during the unit time with the near particles according to increasing vibration of particles by the applied heat energy.
Park, Kang-Il;Kim, Byung-Sub;Kim, Hyun-Su;Lim, Dong-Gun;Park, Gi-Yub;Lee, Se-Jong;Kwak, Dong-Joo
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07a
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pp.143-146
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2003
Al doped Zinc Oxide(ZnO:Al) films, which is widely used as a transparent conductor in optoelectronic devices such as solar cell, liquid crystal display, plasma display panel, thermal heater, and other sensors, were prepared by using the capacitively coupled DC magnetron sputtering method. The influence of the substrate temperature, working gas pressure and discharge power on the electrical, optical and morphological properties were investigated experimentally. The consideration on the effect of doping amounts of Al on the electrical and optical properties of ZnO thin film were also carried out. ZnO:Al films with the optimum growth conditions showed resistivity of $9.42{\times}10^{-4}\;{\Omeg}-cm$ and transmittance of 90.88% for 840nm in film thickness in the wavelength range of the visible spectrum.
The frequency dependent longitudinal polarizabilities ${\alpha}zz(\omega)$ and the second hyper-polarizabilities ${\gamma}zzzz(\omega)$ of the linear polyenes, $C_4H_6\;to\;C_{30}H_{32}$, have been evaluated using the ab initio time-dependent coupled perturbed Hartree-Fock (TDCPHF) theory with the 6-31G basis set. The ratios of the dynamic properties to the static values have been examined to illustrate the relative dispersion effect and extrapolated to the infinite polymer limit. Also the effect of interchain interaction for linear and nonlinear optical properties has been investigated for $C_4H_6$ and the theoretical discussion has been described to overcome the limitation of ab initio TDHF method in the resonance region.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.425-425
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2008
The transparent conducting oxides(TCOs) are widely used as electrodes for most flat panel display devices(FPDs), electrodes in solar cells and organic light emitting diodes(OLED). Among them, indium oxide materials are mostly used due to its high electrical conductivity and a high transmittance in the visible spectrum. The present study reports on a study of the electrical and optical properties of IGZO thin films prepared on glass and PET substrates by the combinational magnetron sputtering. We use the targets of IZO and Ga2O3 for the deposition process. In some case the deposition process is coupled with the End-Hall ion-beam treatment onto the substrates before the sputtering. In addition we control the deposition rate to optimize the film quality and to minimize the surface roughness. Then we investigate the effects of the Ar gas pressure and RF power during the sputtering process upon the electrical, optical and morphological properties of thin films. The properties of prepared IGZO thin films have been analyzed by using the XRD, AFM, a-step, 4-point probe, and UV spectrophotometer.
The optical properties of AZO thin films prepared by the RF mangnetron sputtering system was studied to research the dependance of chemical properties of substrate. The substrate was the SiOC film deposited by Inductively coupled plasma chemical vapor deposition with various gas flow rate of $O_2$ and Ar (DMDMOS). In accordance with the increase of Ar gas flow rates, the Si-O bond in the SiOC film increased and then progressed the amorphism. The roughness of AZO grown on SiOC film with high degree of amorphism decreased and then improved the flatness of surfaces. Moreover, the ultra violet emission with high intensity was spontaneously induced in the AZO film growed on SiOC film with high degree of amorphism.
The adsorption and reduction of Cr (VI) to Cr (III) by surface modified activated carbon (AC) in an aqueous solution was studied. The effects of surface modifications on the properties of the carbons were investigated by the analysis of specific surface area, carbon surface pH, acid/base surface values and functional groups. In order to understand the Cr(VI) adsorption and reduction ratio from Cr(VI) to Cr(III), the Cr adsorption capacity of AC was also measured and discussed by using inductively coupled plasma and UV spectrophotometer. The modifications bring about substantial variation in the chemical properties whereas the physical properties such as specific surface area, pore volume and pore size distribution nearly were not changed. Total Cr adsorption efficiency of as-received activated carbon (R-AC) and nitric acid treated activated carbon (N1-AC and N2-AC) were recorded on 98.2, 99.7 and 100%. Cr(III) reduction efficiency of R-AC increased largely from 0.4% to 28.3% compared to N1-AC and N2-AC.
Kim, Young-Kwang;Yun, Sung-Jun;Kim, Won;Kim, Jong-Pil;Park, Chang-Kyun;Park, Jin-Seok
Proceedings of the KIEE Conference
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2007.07a
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pp.1271-1272
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2007
Experimental results regarding to the structural properties of carbon nanotubes (CNTs) and the field-emission characteristics of CNT-coated tungsten (W) tips are presented. CNTs are successfully grown on conical-type W-tips by inductively coupled plasma-chemical vapor deposition (ICP-CVD) with or without inserting a TiN-buffer layer prior to the formation of Ni catalysts. For all the CNTs grown, their nanostructures, morphologies, and crystalline structures are analyzed by FESEM, HRTEM, and Raman spectroscopy. Furthermore, the emission properties of CNT-based field-emitters are characterized to estimate the maximum current density and the threshold voltage. The results obtained in this study indicate that the emission current level of the CNT-emitter without using a TiN buffer is desirable for the application of micro-focused x-ray systems.
Park, Kang-Il;Kim, Byung-Sub;Lim, Dong-Gun;Lee, Su-Ho;Kwak, Dong-Joo
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.11a
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pp.408-411
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2003
Al doped Zinc Oxide(ZnO:Al) films, which is widely used as a transparent conductor in optoelectronic devices such as solar cell, liquid crystal display, plasma display panel, thermal heater, and other sensors, were prepared by using the capacitively coupled DC magnetron sputtering method. The influence of the substrate temperature, working gas pressure, discharge power and doping amounts of Al on the electrical, optical and morphological properties were investigated experimentally. The effect of bias voltage on the electrical properties of ZnO thin film were also studied. Films with lowest resistivity of $5.4{\times}10^{-4}\;{\Omega}-cm$ have been achieved in case of films deposited at 1mtorr, $400^{\circ}C$ with a substrate bias of +10V for 840nm in film thickness.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.07b
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pp.939-942
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2004
Al doped Zinc Oxide(ZnO:Al) films, which is widely used as a transparent conductor in optoelectronic devices such as solar cell, liquid crystal display, plasma display panel, thermal heater, and other sensors were Prepared by using the capacitively coupled RF magnetron sputtering method. In this paper the effect of RF discharge power on the electrical, optical and structural properties were investigated experimentally. The results show that the structural and electrical properties of the film are highly affected by the variation of RF discharge power. The optimum growth conditions were obtained for films doped with 2 wt% of $Al_2O_3$ and 200 W in RF discharge power, which exhibit a resistivity of $10.4{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$ associated with a transmittance of 89.66 % for 1000nm in films thickness in the wavelength range of the visible spectrum.
Nurul Aisyah Rosli;Boon-Beng Lee;Khairul Farihan Kasim;Che Wan Sharifah Robiah Mohamad
Food Science and Preservation
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v.30
no.4
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pp.589-601
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2023
Malaysian honey is rich in nutrients and bioactive compounds, which can be a healthy alternative to refined sugar in food production. However, liquid honey's viscous and sticky nature makes it unpreferable in industrial handling. This study, an atomization system coupled with vacuum drying to produce honey powders to overcome the problem. Three types of Malaysian honey, namely Acacia, Gelam, and Tualang, were encapsulated in Ca-alginate gel beads using the atomization system. The density viscosity, and surface tension of the honey-alginate solutions were measured, and the concentration of honey and alginate influenced the physical properties of the solutions. Honey-encapsulated gel beads in the size range of 2.16-2.92 mm were produced using the atomization system with the air-liquid mass flow rate ratios of 0.22-0.31, Weber number (We) of 112-545, and Ohnersorges number (Oh) of 0.35-10.46. Gel bead diameter can be predicted using a simple mathematical model. After vacuum drying, the honey gel powder produced was in the size range of 1.50-1.79 mm. Results showed that honey gel powders with good encapsulation efficiency and high honey loading could be produced using the atomization system and vacuum drying.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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