• 제목/요약/키워드: combined nanoimprint and photolithography

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Characteristics of hybrid mask mold for combined nanoimprint and photolithography technique

  • MOON KANSHUN;CHOI BANGLIM;PARK IN-SUNG;HONG SUNSHUM;YANG KIHYUN;LEE HEON;AHN JINHO
    • 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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    • 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 추계 학술대회
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    • pp.147-150
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    • 2005
  • We process a novel approach cal led combined nanoimprint and photolithography (CNP) to greatly simplify the fabrication in conventional nanoimprint lithography (NIL). In this study, a novel HMM with anti-sticking $SiO_2$ layer is introduced to improve the quality of transferred pattern. The surface property was investigated using contact angle measurement and spectrophotometer. Replicate pattern with CNP using HMM showed complete pattern transfer without defect.

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UV 차단 금속막을 이용한 잔류층이 없는 UV 나노 임프린트 패턴 형성 (UV-nanoimprint Patterning Without Residual Layers Using UV-blocking Metal Layer)

  • 문강훈;신수범;박인성;이헌;차한선;안진호
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제12권4호통권37호
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    • pp.275-280
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    • 2005
  • 나노 임프린트 (NIL)와 포토 리소그라피를 접목시킨 combined nanoimprint and photolithography (CNP) 기술을 이용하여 나노 미세 패턴을 형성하였다. 일반적인 UV-NIL 스탬프의 양각 패턴 위에 Cr 금속막을 입힌 hybrid mask mold (HMM)을 E-beam writing과 plasma etching으로 제작하였다. HMM 전면에는 친수성 물질인 $SiO_2$를 코팅하여 점착방지막 역할의 self-assembled monolayer(SAM) 형성을 용이하게 함으로써 HMM과 transfer layer의 분리를 용이하게 하여 패턴 손상을 억제하였다. 또한, transfer layer에는 일반적인 monomer resin 대신에 건식 에칭에 대한 저항력이 높은 negative PR을 사용하였다. Photo-mask 역할을 하는 HMM의 Cr 금속막이 UV를 차단하여 잔류하게 되는 PR의 비경화층(unexpected residual layer)은 간단한 현상 공정으로 제거하여 PR 잔류층이 없는 나노 미세 패턴을 transfer layer에 형성하였다.

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