Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2012.05a
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pp.295-295
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2012
The $TiO_2$ films were prepared in the $H_2SO_4$ solution containing $NH_4F$ at different anodic voltages, to compare the photocatalytic performances of titania for purification of waste water. The microstructure was characterized by a Field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM) and X-ray diffractometry (XRD). Chemical bonding states and co-doped elements of F and N were analyzed using surface X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The photocatalytic activity of the co-doped $TiO_2$ films was analyzed by the degradation of aniline blue solution. From the result of diffuse reflectance absorption spectroscopy(DRS), it is indicated that the absorption edge of the F-N-codoped $TiO_2$ films shifted toward visible light area, and the photocatalytic reaction of $TiO_2$ was improved by doping an appropriate contents of F and N.
The effects on the ferromagnetism of the O or Zn defect in Cu-doped ZnO with the concentration of 2.77-8.33% have been investigated by the first-principles calculations. The Cu doping in ZnO was calculated to be a kind of p-type ferromagnetic half-metals. When the Zn vacancy exists in Cu-doped ZnO, the Cu magnetic moment increases, while for the O vacancy it is reduced. It is noticeable that the ferromagnetic state was originated from the hybridized O(2p)-Cu(3d)-O(2p) chain formed through the p-d coupling. The carrier-mediated ferromagnetism by nitrogen or fluorine does not depend on their concentration.
In this study, a straightforward and precise nitrogen/sulphur-codoped carbon dots (N/S-CD) was produced using a microwave irradiation approach. The N/S-CD was formulated from succinic acid (SA), bis-(3-aminopropyl)-amine (BAPA), and sodium thiosulphate (STS) as sources of carbon, nitrogen, and sulphur, respectively. The synthesized N/S-CD established a valuable quantum yield (QY) of 70 % and was sensitive to aluminium ion (Al3+) with a detection limit of 0.21 µM and a linear concentration range of 0-100 µM. When detecting Al3+ in real water samples, the N/S-CD resulted in a satisfactory recovery in the range of 91.14 %-103.37 %. Thus, the proposed study is very promising for Al3+ detection in environmental water samples.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.106-107
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2009
In this study, We investigated the effects of substrate temperature on the electrical and optical properties of Ga-, B-codoped ZnO(GZOB) thin films. GZOB thin films were deposited on glass substrate with various substrate temperature in the range from R.T. to $500\;^{\circ}C$ by DC magnetron sputtering. In the reslt, GZOB films at $400\;^{\circ}C$ exhibited a low resistivity value of $8.67\;{\times}\;10^{-4}\;{\Omega}-cm$, and a visible transmission of 80% with a thickness of 300 nm. This result indicated that the addition of Ga and B in ZnO films leads to the improvement of conductivity and transparent. From the result, we can confirm the possibility of the application as transparent conductive electrodes.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.108-109
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2009
In this study we investigated the characteristics of GZOB thin film on $O_2$ plasma treated Polycarbonate substrate using DC magnetron sputtering method. In our experiments results, GZOB thin film on $O_2$ plasma treated Polycarbonate substrate showed low resistivity than As-grown GZOB thin film, and visible transmission of 85% with a thickness 400 nm. Compared with As-Grown the electrical properties of GZOB were relatively improved by $O_2$ plasma treated substrate. From these results, we could confirm the suitable GZOB thin films for transparent electrode.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.24
no.7
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pp.584-588
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2011
The ZnO thin films doped with Ga and Ge (GZO:Ge) were prepared on glass substrate using RF sputtering system. Structural, morphological and optical properties of the films deposited in different temperatures were studied. Proportion of the element of using target was 97 wt% ZnO, 2.5 wt% Ga and 0.5 wt% Ge with 99.99% highly purity. Structural properties of the samples deposited in different temperatures with 200 w RF power were investigated by field emission scanning electron microscopy, FE-SEM images and x-ray diffraction XRD analysis. Atomic force microscopy, AFM images were able to show the grain scales and surface roughness of each film rather clearly than SEM images. it was showed that increasing temperature have better surface smoothness by FE-SEM and AFM images. Transmittance study using UV-Vis spectrometer showed that all the samples have highly transparent in visible region (300~800 nm). In addition, it can be able to calculate bandgap energy from absorbance data obtained with transmittance. The hall resistivity, mobility, and optical band gap energy are influenced by the temperature.
We present a novel and simple method to enable spatially selective $ZnAl_2O_4$ nanocrystal formation on the surface of $B_2O_3$-$Al_2O_3$-ZnO-CaO-$K_2O$ glass by employing localized laser heating. Optimized precipitation of glass-ceramics containing nanocrystals doped with $Eu^{3+}$ and $Yb^{3+}$ ions was performed by controlling $CO_2$ laser power and scan speed. Micro-x-ray diffraction and transmission electron microscopy revealed the mean size and morphology of nanocrystals, and energy dispersive x-ray spectroscopy showed the lateral distribution of elements in the imaged area. Laser power and scan speed controled annealing temperature for crystalization in the range of 1.4-1.8 W and 0.01-0.3 mm/s, and changed the size of nanocrystals and distribution of dopant ions. We also report more than 20 times enhanced downshift visible emission under ultraviolet excitation, and 3 times increased upconversion emission from $Eu^{3+}$ ions assisted by efficient sensitizer $Yb^{3+}$ ions in nanocrystals under 980 nm excitation. The confocal microscope revealed the depth profile of $Eu^{3+}$ ions by showing their emission intensity variation.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.22
no.8
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pp.645-649
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2009
We investigated the effects of a high density $O_2$ plasma treatment on the structural and electrical properties of Ga-, B- codoped ZnO (GZOB) films. The GZOB films were deposited on polymer substrate without substrate heating by DC magnetron sputtering. Prior to the GZOB film growth, we treated a polymer substrate with highly dense inductively coupled oxygen plasma. The optical transmittance of the GZOB film, about 80 %, was maintained regardless of the plasma pre-treatment. The resistivity of the GZOB film on PC substrate decreased from 9.08 ${\times}$$10^{-3}$${\Omega}-cm$ without an $O_2$ plasma pre-treatment to 2.12 ${\times}$$10^{-3}$${\Omega}-cm$ with an $O_2$ plasma pre-treatment. And PES substrate decreased from 1.14 ${\times}$$10^{-2}$${\Omega}-cm$ without an $O_2$ plasma pre-treatment to 6.13 ${\times}$$10^{-3}$${\Omega}-cm$ with an $O_2$ plasma pre-treatment.
Iron and nitrogen codoped carbon (Fe-N/C) catalysts have emerged as one of the most promising replacements for state-of-the-art platinum-based electrocatalysts for oxygen reduction reaction (ORR) in polymer electrolyte fuel cells. During the last decade, significant progress has been achieved in Fe-N/C catalysts in terms of ORR activity improvement and active site identification. In this review, we focus on recent efforts towards advancing our understanding of the structure of active sites in Fe-N/C catalysts. We summarize the spectroscopic and electrochemical methods that are used to analyze active site structure in Fe-N/C catalysts, and the relationship between active site structure and ORR activity in these catalysts. We provide an overview of recently reported synthetic strategies that can generate active sites in Fe-N/C catalysts preferentially. We then discuss newly suggested active sites in Fe-N/C catalysts. Finally, we conclude this review with a brief future outlook.
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