This paper, presents SECRET(SEC REliability Tool), which predicts reliability problems related to the hot-carrier and electromigration effects on the submicron MOSFETs and interconnections. To simulate DC and AC lifetime for hot-carrier damaged devices, we have developed an accurate substrate current model with the geometric sensitivity, which has been verified over the wide ranges of transistor geometries. A guideline can be provided to design hot-carrier resistant circuits by the analysis of HOREL(HOT-carrier RFsistant Logic) effect, and circuit degradation with respect to physical parameter degradation such as the threshold voltage and the mobility can also be expected. In SECRET, DC and AC MTTF values of metal lines are calculated based on lossy transmission line analysis, and parasitic resistances, inductances and capacitances of metal lines are accurately considered when they operate in the condition of high speed. Also, circuit-level reliability simulation can be applied to the determination of metal line width and-that of optimal capacitor size in substrate bias generation circuit. Experimental results obtained from the several real circuits show that SECERT is very useful to estimate and analyze reliability problems.
PSPICE circuit parameters of the blue laser diodes grown on wurtzite AlGaInN multiple quantum well structures were extracted directly from the three level rate equations. The relevant optical gain parameters were separately calculated from the self-consistent multiband Hamiltonian. The resulting equivalent circuit model for a blue laser diode was schematically presented, and its modulation characteristics, including the pulse response and the frequency response, have been demonstrated by using a conventional PSPICE.
In this paper, the extraction and optimization of SPICE parameters on SONOSFET for NVSM circuit design were discussed. SONOSFET devices with different channel widths and lengths were fabricated using conventional 1.2 um n-well CMOS process. And, electric properties for dc parameters and capacitance parameters were measured on wafer. SPICE parameters for the SONOSFET were extracted from the UC Berkeley level 3 model for the MOSFET. And, local optimization of Ids-Vgs curves has carried out in the bias region of subthreshold, linear, saturation respectively. Finally, the extracted SPICE parameters were optimized globally by comparing drain current (Ids), output conductance(gds), transconductance(gm) curves with theoretical curves in whole region of bias conditions. It is shown that the conventional model for the MOSFET can be applied to the SONOSFET modeling except sidewalk effect.
This paper presents the implementation of comparator which is self-testing with respect to the faults caused by any single physical defect likely to occur in NMOS and CMOS integrated circuit. The goal is to use it for the fault-tolerant system. First, a new fault model for PLA(Programmable Logic Array) is presented. This model reflects several physical defects in VLSI circuits. It focuses on the designs based on PLA because VLSI chips are far too complex to allow detailed analysis of all the possible physical defects that can occur and of the effects on the operation of the circuit. Second, this paper shows that these design, which has been implemented with 2 level AND-ORor NOR-NOR circuit, are optimal in term of size. And it also presents a formal proof that a comparator implemented using NOR-NOR PLA, based on these design, is sol f-testing with respect to most single faults in the presented fault model. Finally, it discusses the application of the self-testing comparator as a building block for the implementation of the fault-tolerant system.
A detailed circuit level model requires a small sampling time to represent high frequency switching behaviors with proper resolution. The small sampling time leads a large execution time to obtain the system analysis results. As the alternative of the detailed circuit model, an averaged PWM switch model was proposed for the rapid system level analysis. There exists a voltage distortion between the reference and output voltage because of non-ideal switching characteristics, such as the dead-time, diode forward voltage drop and conduction resistance. This paper analyzed causes and effects of the voltage distortion. The average inverter model, which reflecting this voltage distortion, is developed for the rapid and accurate analysis of automotive electric drive system in MATLAB/Simulink environment. The rapidity and accuracy of the proposed inverter model is proved through comparison between simulation and experiment.
본 논문은 비동기식 프로세서를 위한 새로운 명령어 레벨 소비 전력 모델을 제안한다. 최근까지 SoC에 내장되는 프로세서의 소비 전력을 예측하기 위한 다양한 소비 전력 모델들이 제안되었으나, 모두 동기식 프로세서들을 타겟으로 구현되었기 때문에 비동기식 프로세서에 적용할 경우 정확성이 떨어진다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 비동기식 회로의 동작 특성을 반영한 새로운 비동기식 프로세서 소비 전력 모델을 제안하였다. 제안된 소비 전력 모델은 비동기식 8051 프로세서, A8051의 소비 전력 특성을 반영하여 구현되었고 게이트 레벨의 합성한 결과를 이용한 소비 전력 예측 결과와 비교하여 성능 평가를 수행하였다. 제안된 소비 전력 모델의 예측 결과는 게이트 레벨의 소비전력 측정 결과와 비교하여 90.7%의 정확도를 보였고, 1,900 배 이상 시뮬레이션 시간을 단축하였다.
As a new algorithm for RC tree delay estimation, we propose a $\tau$-model of the driver and a moment propagation method. The $\tau$-model represents the driver as a Thevenin equivalent circuit which has a one-time-constant voltage source and a linear resistor. The new driver model estimates the input voltage waveform applied to the RC more accurately than the k-factor model or the 2-piece waveform model. Compared with Elmore method, which is a lst-order approximation, the moment propagation method, which uses $\pi$-model loads to calculate the moments of the voltage waveform on each node of RC trees, gives more accurate results by performing higher-order approximations with the same simple tree walking algorithm. In addition, for the instability problem which is common to all the approximation methods using the moment matching technique, we propose a heuristic method which guarantees a stable and accureate 2nd order approximation. The proposed driver model and the moment propagation method give an accureacy close to SPICE results and more than 1000 times speedup over circuit level simulations for RC trees and FPGA interconnects in which the interconnect delay is dominant.
본 논문에서는 새로운 멀티프로세서 디자인을 위한 상위 수준 합성 시스템의 회로 복잡도 최적화 ILP 알고리즘을 제안하였다. 상위수준 합성에서 가장 중요한 연산자의 특성과 데이터패스의 구조를 분석하고, 멀티사이클 연산의 스케줄링 시 가상연산자 개념을 도입함으로써, 멀티사이클 연산을 구현하는 연산자의 유형에 관계없이 공통으로 적용시킬 수 있는 ILP 알고리즘을 이용하여 증명하였다. 기술된 알고리즘의 스케줄링 성능을 평가하기 위하여, 표준벤치마크 모델인 5차 디지털 웨이브필터에 대한 스케줄링을 행한 결과, 기존의 데이터패스 스케줄링 결과와 정확하게 일치함으로서, 제시된 모든 ILP 수식이 정확하게 기술되었음을 알 수 있었다.
In this literature, the CMOS current mode fout quadrant differentiator circuit is proposed. The implementation is base on an appropriate input stage that converts the input current into a compressed voltage at the input capacitor ($C_{gs}$) of the CMOS driver circuit. This input voltage use as the control output current which flow to the output node by passing through a MOS active load and use it as the feedback voltage to the input node. Simulation results with level 49 CMOS model of MOSIS are given to demonstrate the correct operation of the proposed configuration. But the gain of the circuit is too low so the output differentiate current also low. The proposed differentiator is expected to find several applications in analog signal processing system.
휴대용 기기에서 자체 발진하여 클럭원으로 사용되는 TCXO의 출력과 같은 작은 진폭(400mV)의 정현파 입력을 내부 논리회로의 클럭원으로 사용하기 위한 파형정형 및 50%의 듀티 비(duty ratio)의 출력을 가지는 새로운 디지털 클럭레벨 변환기를 설계, 개발 하였다. 정, 부 두 개의 비교기, RS 래치, 차아지 펌프, 기준 전압 발생기로 구성된 새로운 신호 변환회로는 출력파형의 펄스 폭을 감지하고, 이 결과를 궤환루프로 구성하여 입력 비교기 기준 전압단자로 궤환시킴으로서 다지털 신호레벨의 정확한 50%의 듀티 비를 가진 출력을 생성할 수 있다. 개발한 레벨변환기는 ADC등의 샘플링 클럭원, PLL 또는 신호 합성기의 클럭원으로 사용할 수가 있다. 설계는 $0.8\mu\textrm{m}$ double metal double poly analog CMOS 공정을 사용하고, BSIM3 model을 사용하였으며, 실험결과 370mV의 정현파 입력율 50 + 3%의 듀티 비를 가진 안정된 논리레벨 출력 동작특성을 얻을 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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