This paper presents a microcontroller-based control circuit for color variation of high brightness RGB LEDs in $8{\times}8$ matrix array. The control circuit is comprised of an AT89C52 chip, D Flip-flops, and transistors for switching, and is used to adjust the number of LEDs operated for color variation. For a stable operation, it is required that the input current to each LED should be maintained to a normal value irrespective of the number of LEDs operated.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.26
no.7
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pp.567-574
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2013
An optical model is proposed in the white LED using phosphor and LED chip. In this paper a new model that describes the absorption rate and quantum efficiency with increasing the mixing ratio of phosphor in silicone, and the allotment of the phosphor absorption optical power in the several phosphor mixing in the silicone. Single phosphor in silicone from the optical measurement data before and after molding, the solution to get the blue optical power and the phosphor emission optical power is proposed. By these solution the absorption rate and the quantum efficiency was obtained. The model with single phosphor mixing in the silicone the validity was confirmed.
The dependance of degradation on the blue-peak wavelength is investigated with the blue light-emitting diode (LED) of InGaN/GaN with respect to the optical and the electrical characteristics of the devices. The LED devices emitting the blue-peak wavelength ranging from 437 nm to 452 nm is prepared to be stressed for a long aging time with three different currents of 60 mA, 75 mA and 90 mA, respectively. The degradation of optical intensity is observed with and without phosphor in the devices. The device without phosphor has been degraded significantly as the wavelength of blue-peak is decreased while the optical intensity of LED device with phosphor become less sensitive than that of device without phosphor. The electrical property does not depend on the emission peak wavelength. However, the series-resistance of LED device is slowly increased as the aging time is increased. The deformation of device is observed severely the short wavelength of blue-peak even with the same current since the short wavelength is absorbed substantially at the materials of device during the aging time. Consequently, in order to enhance the lifetime of LED devices, it is important to understand the optical degradation property of the materials against the specific wavelengths emitted from the blue chip.
Design and fabrication process of a full inorganic electroluminescent microdislay based on aluminum / nanostructured porous silicon reverse biased light emitting Schottky diodes are discussing. Being of a solid state construction. this micro-display is cost-effective, thin and light in weight due to very simple device architecture. Its benefits include also super high resolution, wide viewing angles, fast response time and wide operating temperature range. The advantages of full integration of a LED-array and driving circuitry onto a Si-chip will be also discussed.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.11a
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pp.328-331
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2001
Color simulation on a portable colorimeter was performed to distinguish quantitatively a chromaticity coordinates on a color guide of a urine strips by using the spectral power distribution of chip LED, the spectral reflectance of printed objects, and the spectral sensitivity of photodiode. The CIE tristimulus values and chromaticity coordinates realized by a colorimeter were modified to be conformable with real color reactions. Experimental results showed a real color in comparison with those obtained by Colorimeter CM2C(Color Savvy).
Silicone is recently used for LED chip encapsulment due to its good thermal stability and optical transmittance. In order to predict residual stress which causes optical briefringence and mechanical warpage of silicone, finite element analysis was conducted for both curing and cooling process during silicone molding. For analysis of curing process, a cure kinetics model was derived based on the differential scanning calorimetry(DSC) test and applied to the material properties for finite element analysis. Finite element simulation result showed that the curing as well as the cooling process should be designed carefully so as to reduce the residual stress although the cooling process plays the bigger role than curing process in determining the final residual stress state. In addition, birefringence experiment was carried out in order to observe residual stress distribution. Experimental results showed that cooling-induced birefringence was larger than curing-induced birefringence.
Silicone is recently used for LED chip lense due to its good thermal stability and optical transmittance. In order to predict residual stress which causes optical briefringence and mechanical warpage of silicone, finite element analysis was conducted for curing process during silicone molding. For analysis of curing process, a dynamic cure kinetics model was derived based on the differential scanning calorimetry(DSC) test and applied to the material properties for finite element analysis. Finite element simulation result showed that the slow cure reduced abrupt reaction heat and it was predicted decrease of the residual stress.
This paper presents a secondary-side, dual-mode feedback LLC resonant controller IC with dynamic PWM dimming for LED backlight units. In order to reduce the cost, master and slave outputs can be generated simultaneously with a single LLC resonant core based on dual-mode feedback topologies. Pulse Frequency Modulation (PFM) and Pulse Width Modulation (PWM) schemes are used for the master stage and slave stage, respectively. In order to guarantee the correct dual feedback operation, Phased-Locked Loop (PLL)-based automatic duty control circuit is proposed in this paper. The chip is fabricated using $0.35{\mu}m$ Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) technology, and the die size is $2.5mm{\times}2.5mm$. The frequency of the gate driver (GDA/GDB) in the clock generator ranges from 50 to 425 kHz. The current consumption of the LLC resonant controller IC is 40 mA for a 100 kHz operation frequency using a 15 V supply. The duty ratio of the slave stage can be controlled from 40% to 60% independent of the frequency of the master stage.
Park, YoungJun;Kim, Hongjin;Chun, Joo-Young;Lee, JooYoung;Pu, YoungGun;Lee, Kang-Yoon
Journal of Power Electronics
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v.15
no.4
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pp.861-875
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2015
This paper presents a wide frequency range LLC resonant controller IC for LED backlight units. In this paper a new phase-domain resonance deviation prevention circuit (RDPC), which covers a wide frequency and input voltage range, is proposed. In addition, a wide range gate clock generator and an automatic dead time generator are proposed. The chip is fabricated using 0.35 μm BCD technology. The die size is 2 x 2 mm2. The frequency of the clock generator ranges from 38 kHz to 400 kHz, and the dead time ranges from 300 ns to 2 μs. The current consumption of the LLC resonant controller IC is 4 mA for a 100 kHz operation frequency using a supply voltage of 15 V.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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