• 한국컴퓨터산업학회논문지
• /
• 제6권5호
• /
• pp.783-790
• /
• 2005

In this paper, we have simulated a Symmetric Dual-gate Single-Si TFT which has three split floating n+ zones. This structure reduces the kink-effect drastically and improves the on-current. Due to the separated floating n+ zones, the transistor channel region is split into four zones with different lengths defined by a floating n+ region, This structure allows an effective reduction of the kink-effect depending on the length of two sub-channels. The on-current of the proposed dual-gate structure is 0.9mA while that of the conventional dual-gate structure is 0.5mA at a 12V drain voltage and a 7V gate voltage. This result shows a 80% enhancement in on-current. Moreover we observed the reduction of electric field in the channel region compared to conventional single-gate TFT and the reduction of the output conductance in the saturation region. In addition, we also confirmed the reduction of hole concentration in the channel region so that the kink-effect reduces effectively.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
• /
• pp.1105-1108
• /
• 2003

In this paper, we have fabricated the hydrogenated n-channel polysilicon thin film transistor (TFT) with LDD structure and have analyzed the hot carrier degradation characteristics by electrical stress. We have compared the threshold voltage (Vth), sub-threshold slope (S), and trans-conductance (Gm) for devices with LDD (Lightly Doped Drain) structure and non-LDD at same active sizes. We have analyzed the hot carrier effects by the hydrogenation in devices. As a analyzed results, the threshold voltage, sub-threshold slope for n-channel poly-si TFT were increased, trans-conductance was decreased. The effects of hydrogenation in n-channel poly-si TFT with LDD structure were shown the lower variations of characteristics than devices of the non-LDD structure with nomal process.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제21권1호
• /
• pp.44-48
• /
• 2008

Hole mobility characteristics of two representative biaxially strained SiGe/Si structures with high Ge contents are studied, They are single channel ($Si/Si_{1-x}Ge_x/Si$ substrate) and dual channel ($Si/Si_{1-y}Ge_y/Si_{1-x}Ge_x/Si$ substrate), where the former consists of a relaxed SiGe buffer layer with 60 % Ge content and a tensile-strained Si layer on top, and for the latter, a compressively strained SiGe layer is inserted between two layers, Owing to the hole mobility performance between a relaxed SiGe film and a compressive-strained SiGe film in the single channel and the dual channel, the hole mobility behaviors of two structures with respect to the Si cap layer thickness shows the opposite trend, Hole mobility increases with thicker Si cap layer for single channel structure, whereas it decreases with thicker Si cap layer for dual channel. This hole mobility characteristics could be easily explained by a simple capacitance model.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제22권5호
• /
• pp.787-793
• /
• 2018

본 논문은 협대역 간섭신호에 대응하기 위한 새로운 SC-FDE 구조를 제안한다. 기존의 SC-FDE구조는 협대역 간섭신호가 발생했을 시 채널 추정이 어려워지고, 그로 인해 데이터 복원이 어려운 상황이 발생한다. 이러한 문제를 해결하기 위해 본 논문에서는 큰 전력의 협대역 간섭신호가 발생했을 때에도 주파수영역 채널추정이 가능한 새로운 SC-FDE 프레임 구조를 제안한다. 구체적으로 기존방식은 시간영역 채널추정을 먼저 수행한 후 푸리에변환을 통해 주파수 영역 채널을 추정하지만 본 논문은 곧바로 수신신호에서 주파수영역에서 채널추정이 가능하도록 새로운 SC-FDE의 구조를 제안하며 제안하는 구조의 성능 향상은 컴퓨터 모의실험을 통해 검증하였다. 모의실험 결과 재머의 크기가 수신신호의 크기와 동일한 환경에서 제안하는 방식은 재머가 없는 경우 대비 약 2 dB 이내의 손실로 수신이 가능하지만 기존의 방식은 통신이 불가능 하다.

• Journal of information and communication convergence engineering
• /
• 제9권1호
• /
• pp.27-31
• /
• 2011

This paper describes the optimization of spectrum sensing in terms of the throughput of a cognitive radio (CR) system. Dealing with the optimization problem of spectrum sensing, this paper evaluates the throughput of a CR system by considering such situations as the penalty time of a channel search and incumbent user (IU) detection delay caused by a missed detection of an incumbent signal. Also, this paper suggests a serial channel search scheme as the search method for a vacant channel, and derives its mean channel search time by considering the penalty time due to the false alarm of a vacant channel search. The numerical results suggest the optimum sensing time of the channel search process using the derived mean channel search time of a serial channel search in the case of a sensing hardware structure with single radio frequency (RF) path. It also demonstrates that the average throughput is improved by two separate RF paths in spite of the hardware complexity of an RF receiver.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제31권3A호
• /
• pp.291-303
• /
• 2006

본 논문에서는 현재 진행 중인 IEEE 802.22 WRAN의 Functional Requirements를 분석하고, 제시된 Requirements를 만족시키는 하향링크 프레임 구조를 제안한다. 제안된 하향링크 프레임 구조는 WRAN 각 채널 환경하에서의 상황인식 적응 Traffic Channel에 의한 Rate Control을 수행하여 전송 효율을 극대화시키며, 이를 위한 하항링크와 상향링크의 Signaling Overhead를 계산한다. 그리고, 하링링크의 프리앰블을 이용한 시간, 주파수동기 및 셀 ID 탐색 성능을 분석하고, 프리앰블 또는 Pilot에 의한 환경 적응적 채널 추정 방법과 동적채널할당(Dynamic Channel Allocation)을 결합한 고정 빔형성(Stationary Beamforming) 알고리즘을 제안한다. 또한, 모의실험을 통하여 이와 같이 제안된 무선 채널 환경에서 적응 부채널 할당 기능을 고려한 상황인식 하향링크 프레임구조가 IEEE 802.22 WRAN 시스템의 요구사항을 만족시킴을 검증한다.

• Ecology and Resilient Infrastructure
• /
• 제2권1호
• /
• pp.33-41
• /
• 2015

본 연구는 어류서식적합도 향상을 위해 유전자알고리즘을 이용한 하천의 구조개선 방안을 제시하였다. 하천구조 개선에 의한 수리특성의 변화에 따른 어류 서식적합도와 물리적 교란양상과의 상관특성을 분석하였다. 원주천의 하천 환경조사와 어류의 군집특성을 이용하여 수중 생태계를 대표할 수 있는 복원 목표어종으로 참갈겨니를 선택하였다. 참갈겨니의 서식적합지수를 사용한 서식적합도 분석은 PHABSIM 모형을 이용하였다. HEC-RAS를 이용한 수리특성 분석과 하천교란 평가방법을 이용하여 물리적 교란평가를 수행하였다. 서식적합도 향상을 위한 최적의 저수로 폭의 개선방안을 제시하였다. 하천구조의 개선에 의한 수리특성의 변화에 따른 서식적합도와 물리적 교란의 상관성을 분석하여 어류 서식적합도와 물리적 교란 평가점수의 향상이 있음을 확인하였다. 서식적합도 향상을 위한 하천의 구조 개선은 물리적 교란의 평가점수의 향상을 가져옴을 확인하였다.

• 반도체디스플레이기술학회지
• /
• 제12권4호
• /
• pp.21-25
• /
• 2013

This paper is for enhancing the breakdown voltage of MHEMTs with an InP-etchstop layer. The fully removed recess structure in the drain side of MHEMT shows that the breakdown voltage enhances from 2 V to 4 V in the previous work. This is because the surface effect at the drain side decreases the channel current and the impact ionization in the channel at high drain voltage. In order to increase the breakdown voltage at the same asymmetric gate-recess structure, the InGaAs channel structure is replaced with the InGaAs/InP composite channel in the simulation. The simulation results with InGaAs/InP channel show that the breakdown voltage increases to 6V in the MHEMT as the current decreases. In this paper, the simulation results for the InGaAs/InP channel are shown and analyzed for the InGaAs/InP composite channel in the MHEMT.

• Interaction and multiscale mechanics
• /
• 제6권2호
• /
• pp.157-172
• /
• 2013

This paper presented an investigation of macromolecular suspension in a grooved channel by using the dissipative particle dynamics (DPD) with finitely extensible non-linear elastic (FENE) bead spring chains model. Before studying the movement and evolution of macromolecules, the DPD method was first validated by modeling the simple fluid flow in the grooved channel. For both simple fluid flow and macromolecular suspension, the flow fields were analyzed in detail. It is found that the structure of the grooved channel with sudden contraction and expansion strongly affects the velocity distribution. As the width of the channel reduces, the horizontal velocity increases simultaneously. Vortices can also be found at the top and bottom corners behind the contraction section. For macromolecular suspension, the macromolecular chains influence velocity and density distribution rather than the temperature and pressure. Macromolecules tend to drag simple fluid particles, reducing the velocity with density and velocity fluctuations. Particle trajectories and evolution of macromolecular conformation were investigated. The structure of the grooved channel with sudden contraction and expansion significantly influence the evolution of macromolecular conformation, while macromolecules display adaptivity to adjust their own conformation and angle to suit the structure so as to pass the channel smoothly.

• 한국위성정보통신학회논문지
• /
• 제11권4호
• /
• pp.21-26
• /
• 2016

PPS 소자가 삽입된 N형 실리콘 제어 정류기(NSCR_PPS) 소자에서 채널차단영역의 이온주입 변화가 정전기 보호 성능에 미치는 영향을 연구하였다. 종래의 NSCR 표준소자는 on 저항, 스냅백 홀딩 전압 및 열적 브레이크다운 전압이 너무 낮아 마이크로칩의 정전기보호소자로 적용이 어려웠다. 그러나 본 연구에서 제안하는 채널 차단 영역의 이온주입 조건을 변화시켜 각각 변형설계된 소자에서는 채널 차단 이온주입이 정전기 보호성능의 향상에 영향을 주는 중요한 파라미터였으며, CPS_PDr+HNF 구조의 변형소자는 정전기보호소자의 설계창을 만족시키는 향상된 정전기보호성능을 나타내어 고전압 동작용 마이크로 칩의 정전기보호 소자로 적용 가능함을 확인하였다.