• 한국입자에어로졸학회지
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• 제9권3호
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• pp.127-132
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• 2013

Recently, Aerosol Deposition method has attracted considerable attention because of its advantages to produce ceramic coatings on various substrates at room temperature. This method is strongly dependent on the raw powder, which should have high mobility with carrier gas and moderate mechanical strength to be crushed onto the substrate. In this report, the effects of the ceramic granules' compressive strength on the ceramic coating formation are discussed. The ceramic granules were prepared by spray-drying method and heat treated at various temperatures. It was found that at the moderate mechanical strength of ceramic granules gave more effective film formation behavior during Aerosol Deposition method.

• 한국세라믹학회지
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• 제52권1호
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• pp.72-76
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• 2015

150-nm-thick In-Zn-Tin-Oxide (IZTO) films were deposited by RF magnetron sputtering after a 10 to 50-nm-thick $SiO_2$ buffer layer was deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) on polyethylene terephthalate (PET) substrates. The electrical, structural, and optical properties of the IZTO/$SiO_2$/PET films were analyzed with respect to the thickness of the $SiO_2$ buffer layer. The mechanical properties were outstanding at a $SiO_2$ thickness of 50 nm, with a resistivity of $1.45{\times}10^{-3}{\Omega}-cm$, carrier concentration of $8.84{\times}10^{20}/cm^3$, hall mobility of $4.88cm^2/Vs$, and average IZTO surface roughness of 12.64 nm. Also, the transmittances were higher than 80%, and the structure of the IZTO films were amorphous, regardless of the $SiO_2$ thickness. These results indicate that these films are suitable for use as a transparent conductive oxide for transparency display devices.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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• pp.877-880
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• 2003

A new class of light-emitting poly(p-phenylenevinylene) (PPV) derivatives. poly(9,9-di-n-octyfluorenyl- 2,7-vinylene) (PFV) and its PPV copolymers, poly[(9,9-di-n-octylfluorenyl-2,7-vinylene)-co-(1,4-phenylenevinylene)]s [Poly(FV-co-PV)s] was synthesized through Gilch polymerization, and their light-emitting properties were investigated. The copolymers showed almost the same UV absorption and PL emission as the PFV homopolymer, regardless of copolymer composition. Interestingly, the EL spectra of these devices were similar to the PL spectra of the corresponding polymer film. However, the EL devices constructed from the poly(FV-co-PV)s showed 10 times higher efficiency than the devices constructed from the PFV homopolymer. This higher efficiency is possibly a result of better charge carrier balance in the copolymer systems due to the lower HOMO level (${\sim}5.5$ eV) of the poly(FV-co-PV)s in comparison to the PFV (${\sim}5.7$ eV).

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.12-12
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• 2010

Time dependence of the shift of the threshold voltage of amorphous hafnium-indium-zinc oxide (a-HIZO) has been reported under on-current stress condition. a-HIZO thin films were deposited on $SiO_2$/Si (100) by rf magnetron sputtering. XPS measurement indicates that the Hf metal cations in a-HIZO system after annealing process reduce oxygen vacancies by binding oxygen. It was found that the Hf metal cation can be effectively incorporated in the IZO thin films as a suppressor against both the oxygen deficiencies and the carrier generation in the ZnO-based system.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권2호
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• pp.435-440
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• 2020

고주파 마그네트론 스퍼터링으로~500 nm 두께의 ZnO:Al막을 증착하였다. 증착된 ZnO:Al막을 100 ℃, 200 ℃, 300 ℃ 및 400 ℃에서 10시간 동안 열처리하였다. ZnO:Al막의 열처리에 따른 저항률, 캐리어 농도 및 이동도 변화를 측정하였다. XRD, FESEM 결과를 통해 열처리에 따른 ZnO:Al막의 저항률 변화 원인을 조사하였다. ZnO:Al막의 광 투과율을 측정한 후 에너지 밴드 갭, Urbach 에너지 및 굴절률을 도출하였다. ZnO:Al막의 전기적 특성 변화를 광특성과 연관지어 설명하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제13권1호통권38호
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• pp.17-22
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• 2006

2단계 스퍼터링으로 강유전 PZT 박막을 형성시켜 유전특성과 전도기구를 조사하였다. 또한 PZT 박막 내의 carrier를 보상해주기위해 도너 불순물을 도핑하였다. 2단계 스퍼터링으로 상온층 두에를 조절하여 누설전류를 $10^{-7}A/cm^2$ order까지 줄일 수 있었다. 전도기구가 bulk-limited의 하나임을 확인하였고 따라서 적정한 도너 불순물을 채택하였다. 도너 불순물을 도핑한 경우 2단계 스퍼터링한 PZT 박막의 누설전류 특성은 $10^{-8}A/cm^2$ order까지 개선되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.118-118
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• 1999

CVD방법에 의한 TiN 박막 형성에 있어서 ICP-CVD 방법이 대두되고 있다. 이것은 precursor에 대한 radical 형성, 식각된 패턴에서 양 벽의 self-shadowing 효과, 낮은 tress등으로 dense 한 박막을 얻을 수 있기 때문이다. TiN 박막은 Si 기판의 온도를 상온에서 50$0^{\circ}C$까지 유지하면서 TEMAT의 유량을 5-20sccm으로 변화시키면서 증착하였다. 증착 후 TiN 박막의 결정화에 따른 열처리는 Ar과 N2-가스분위기에서 in-situ로 증착하였다. 증착 후 TiN 박막증착 조건수립에 따른 플라즈마 특성진단은 전자의 온도와 밀도, 평균 전자밀도, 이온 에너지 분포, radical 분포, negative 이온분포 등으로 측정하였다. 플라즈마 변수에 따른 TiN 박막의 결정성과 상 변화는 XRD로 분석하였고, 조성비 및 TiN 박막의 원소화학적 상태, 결합에너지, 각 상에 따른 결합 에너지 천이정도, 초기 형성과정 및 반응기구 등은 RBS와 XPS로 조사하였다. TiN 박막의 표면상태, morphology 거칠기, TiN/Si(100)구조에서 계면상태 등은 SEM, AFM, 그리고 HRTEM으로 분석하였다. TiN 구조 박막의 비저항, carrier concentration 그리고 mobility 측정은 박막의 표면이 균일하고 bls-홀이 없는 것으로 하여 4-point probe 방법으로 측정하였다. 이들 분석으로부터 ICP-CVD 방법에 의하여 형성된 TiN 박막이 초고집적 반도체 소자의 contact barrier layer로서의 적용 가능성을 평가하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1995년도 제9회 학술발표회 논문개요집
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• pp.48-49
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• 1995

전자소자의 축소화에 따라 electromigration은 점차 반도체 디바이스의 주요 결함 원 인으로 부각되고 있다. 본 실험은 현재 배선 재료로 널리 사용되고 있는 Al-1%Si 금속박막 배선의 electromigration에 대한 온도 및 배선길이 의존성에 관하여 연구하였다. ppLCC(pplastic Leaded Chipp Carrier) ppackage된 ppSG(8000$\AA$)/SiO2(1000$\AA$)/Al-1%Si(7000 $\AA$)/SiO2(5000$\AA$)/pp-typpe Si(100)의 보호막처리된 시편과 Al-1%Si/SiO2(5000$\AA$)/pp-typpe Si(100)의 보호막처리되지 않은 시편등을 standard pphotolithograpphy 공정을 이용하여 각각 제작하였다. 선폭 3$mu extrm{m}$, 길이 100, 400, 800, 1600$\mu\textrm{m}$의 등의 Al-1%Si 박막배선구조를 사용하 였다. 가속화실험을 위해 인가된 D.C 전류밀도는 4.5$\times$106A/cm2이었고 실온에서 10$0^{\circ}C$까지 의 분위기 온도에서 electromigration를 실행하였다. 박막배선길이에 따른 MTF(Mean Time-to-Failure)는 임계길이 이상에서 포화되는 경향을 보이며 임계길이는 Al-1%Si 박막 배선에서 분위기온도에 따라 길이 400$\mu\textrm{m}$과 800$\mu\textrm{m}$범위에서 나타났다. 각 시편에서 electromigration에 대한 활성화에너지도 MTF의 특성과 유사하게 임계길이 이상에서 포화 되는 특성을 타나내었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제9권5호
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• pp.27-33
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• 1972

This paper describes the computer-aided design, fabrication and performance of high Q and high gain active filters suitable for microminiaturization in the frequency range of 10-800MHz, based on the negative resistance operation of a transistor. 48 as high as 1000 and a transducer gain as high as 35dB can readily be obtained with a single-transistor amplifier and with an inductance as small as a few nH at higher frequencies and 150 nH at lower frequencies in tile above frequency range. The gain of the proposed active filter can be stoabilized within $\pm$ 1.5 dB over the temperature range -1$0^{\circ}C$ to +5$0^{\circ}C$ and the temperature dependence of the center frequency is tapicalla 50ppm/$^{\circ}C$. An experimental FM receiver utilizing these fitters and operating at a carrier frequency of 92 MH3 was built. The whole circuit was fabricated on eight alumina substrates of by the thick-film hybrid IC technique and the coils are constructed, for miniaturization, in a spiral form of 3 or 4 turns of enamel copper wire with an overall diameter of about 5mm. The test results are also reported in this paper.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 반도체 재료 센서 박막재료 전자세라믹스
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• pp.1-4
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• 2004

Polycrystalline CdSe thin films were grown on ceramic substrate using a chemical bath deposition(CBD)method. They were annealed at various temperature and X-ray diffraction patterns were measured by X-ray diffractometer in order to study CdSe polycrystal structure. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the CdSe samples annealed in $N_2$ gas at $450^{\circ}C$ it was found hexagonal structure whose lattice parameters $a_0$ and $c_0$ were $4.302{\AA}$ and 7.014 ${\AA}$, respectively. Its grain size was about 0.3 ${\mu}m$. Hall effect on this sample was measured by Van der Pauw method and studied on carrier density and movility depending on temperature. From Hall data, the mobility was likely to be decreased by piezo electric scattering at temperature range of 33K and 200K, and by polar optical scattering at temperature range of 200K and 293K. We measured also spectral response, sensitivity$(\gamma)$, maximum allowable power dissipation and response time on these samples.