Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 1995.06a
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- Pages.48-49
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- 1995
Electromigration Characteristics in Al-1%Si hin Film Interconnections for Microelectronic Devices
극소전자 디바이스를 위한 Al-1%Si 박막배선에서의 electromigration 특성
Abstract
전자소자의 축소화에 따라 electromigration은 점차 반도체 디바이스의 주요 결함 원 인으로 부각되고 있다. 본 실험은 현재 배선 재료로 널리 사용되고 있는 Al-1%Si 금속박막 배선의 electromigration에 대한 온도 및 배선길이 의존성에 관하여 연구하였다. ppLCC(pplastic Leaded Chipp Carrier) ppackage된 ppSG(8000
Keywords