• 한국구조물진단유지관리공학회 논문집
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• 제27권2호
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• pp.67-76
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• 2023

본 연구에서는 기존 내력증진형 내진보강공법의 취약점을 개선 및 보완할 수 있는 새로운 개념의 내진보강법인 내부접합형 합성내진보강공법 (Composite Seismic Strengthening Method, CSSM)을 제안하였다. CSSM 내진보강 시스템은 필요 내진보강량 산정이 간편한 강도증진형 내진보강법의 일종으로서, 전단파괴가 지배적인 우리나라 내진상세를 가지지 않는 기존 R/C 건물에 적용 시 내력증가가 효율적으로 가능한 내진 시스템 공법이다. 제안한 내부접합형 CSSM 공법의 내진안전성을 검토하기 위하여 내진상세를 가지지 않는 우리나라 R/C 건축물을 바탕으로 한 실물 2층 골조 실험체를 대상으로 유사동적실험을 실시하여, 지진에 대한 하중 및 변위 특성, 지진피해수준, 강도증진 효과, 변위제어능력을 중심으로 내진성능을 평가하였다. 유사동적 실험결과 개발공법인 CSSM 내진시스템은 효과적으로 전단내력을 증가시켰으며, 2400년 재현주기인 지진파에 대해서도 지진에 대한 변위를 효과적으로 억제시켰다.

• 한국재료학회지
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• 제17권2호
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• pp.73-80
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• 2007

For the sub-65 nm CMOS process, it is necessary to develop a new silicide material and an accompanying process that allows the silicide to maintain a low sheet resistance and to have an enhanced thermal stability, thus providing for a wider process window. In this study, we have evaluated the property and unit process compatibility of newly proposed composite silicides. We fabricated composite silicide layers on single crystal silicon from $10nm-Ni_{1-x}Co_x/single-crystalline-Si(100),\;10nm-Ni_{1-x}Co_x/poly-crystalline-\;Si(100)$ wafers (x=0.2, 0.5, and 0.8) with the purpose of mimicking the silicides on source and drain actives and gates. Both the film structures were prepared by thermal evaporation and silicidized by rapid thermal annealing (RTA) from $700^{\circ}C\;to\;1100^{\circ}C$ for 40 seconds. The sheet resistance, cross-sectional microstructure, surface composition, were investigated using a four-point probe, a field emission scanning probe microscope, a field ion beam, an X-ray diffractometer, and an Auger electron depth profi1ing spectroscopy, respectively. Finally, our newly proposed composite silicides had a stable resistance up to $1100^{\circ}C$ and maintained it below $20{\Omega}/Sg$., while the conventional NiSi was limited to $700^{\circ}C$. All our results imply that the composite silicide made from NiCo alloy films may be a possible candidate for 65 nm-CMOS devices.

• Composites Research
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• 제30권2호
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• pp.108-115
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• 2017

$SiC_f/SiC$ 복합체를 제조하는 공정들 중에서 화학기상 침착(Chemical Vapor Infiltration) 공정은 저온에서 실형상이나 복잡한 형상을 제조할 수 있고, 기지상의 미세구조를 제어할 수 있으며, 고순도를 지닌 $SiC_f/SiC$ 복합체를 제조할 수 있는 효과적인 방법이다. 그러나 잔유 기공을 가지며 공정시간이 긴 단점이 있다. 기공률을 줄이고 효과적인 기지상 채움을 위하여 휘스커(whisker) 성장과 기지상 채움공정을 연속하여 수행하는 whisker growing assisted 화학기상침착공정이 개발되었다. 기지상 채움 전에 프리폼에 SiC 휘스커를 미리 성장시키면 섬유간이나 번들간에 존재하는 큰 기공을 작게 분할하여 기지상 채움 효율을 증진할 수 있다. 본 논문에서는 $SiC_f/SiC$ 복합체 제조를 위한 화학기상침착법공정의 기초와 일반적인 화학기상침착공정과 whisker growing assisted 화학기상침착공정으로 제조한 $SiC_f/SiC$ 복합체의 실험결과들을 간략히 서술하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2006년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.50-50
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• 2006

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2000년도 추계총회,초청강연,특별강연,연구발표회
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• pp.165.2-165
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• 2000

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2002년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.176.2-176
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• 2002

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2003년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.226.2-226
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• 2003

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2004년도 춘계학술발표대회 및 제6회 신소재 심포지엄
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• pp.44-44
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• 2004

• 콘크리트학회지
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• 제9권5호
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• pp.58-64
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• 1997

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2001년도 춘계학술강연 및 발표대회
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• pp.37-37
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• 2001