• 한국주조공학회지
• /
• 제10권1호
• /
• pp.50-56
• /
• 1990

Continuous casting of the $Al-Al_3Ni$: eutectic composite was carried out by the upward continuous casting process. The morphology of the eutectic growth and the stability of solid-liquid interface were investigated under various growth conditions in an upward continuous casting. The effect of growth conditions on the mechanical properties of the $Al-Al_3$ Ni eutectic composit was also investigated, and the results were compared with those by the Bridgman method. As for the results, it was possible to get the planar solid-liquid interface at the condition of $G_L/R$＝$1.04{\times}10^3^{\circ}Csec/mm^2$. And the inter-rod spacing of $Al-Al_3Ni$ eutectic composite was decreased with the increase of pulling speed. The reduction of inter-rod spacing & value of $G_L/R$ caused the increase of ultimate tensile strength in $Al-Al_3Ni$: eutectic composite. The ultimate tensile strengths of $Al-Al_3Ni$ by the upward continuous casting were higher then those by the Bridgman method.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.376-376
• /
• 2010

The single crystals of p-$CdIn_2Te_4$ were grown by the Bridgman method without the seed crystal. From photocurrent measurements, it was found that three peaks, A, B, and C, correspond to the intrinsic transition from the valence band states of $\Gamma_7$(A), $\Gamma_6$(B), and $\Gamma_7$(C) to the conduction band state of $\Gamma_6$, respectively. The crystal field splitting and the spin orbit splitting were found to be 0.2360 and 0.1119 eV, respectively, from the photocurrent spectroscopy. The temperature dependence of the $CdIn_2Te_4$ band gap energy was given by the equation of $E_g(T)=E_g(0)-(9.43{\times}10^{-3})T^2/(2676+T)$. $E_g$(0) was estimated to be 1.4750, 1.7110, and 1.8229 eV at the valence band states of A, B, and C, respectively. The band gap energy of p-$CdIn_2Te_4$ at room temperature was determined to be 1.2023 eV.

• 센서학회지
• /
• 제19권6호
• /
• pp.443-448
• /
• 2010

In this work, the scintillation properties of CsI:Na crystal were investigated as radiation detection sensor. This scintillation material was grown by a 2-zone vertical Bridgman method. Under X-ray excitation the crystal shows a broad emission band between 280 nm and 690 nm wavelength range, peaking at 413 nm. Energy resolution for $^{137}Cs$ 662 keV $\gamma$-rays of the crystal was measured to be 6.9 %(FWHM). At room temperature, the crystal exhibits three exponential decay time components. The fast and major component of scintillation time profile of the crystal emission decays with a 457 ns time constant. Absolute light yield of the crystal was estimated to be 53,000 ph/MeV using LAAPD. The sample crystal shows proportionality of 30 % in the measured energy range from 31 to 1,333 keV. And the $\alpha/\beta$ ratio of the crystal was 0.14.

• 대한기계학회논문집A
• /
• 제33권10호
• /
• pp.1054-1064
• /
• 2009

본 연구에서는 인장시험 및 유한요소해석으로 재료의 파단 진변형률을 구하고, 궁극적으로 재료의 진응력-진변형률을 얻는 방법을 제안했다. 먼저 인장시험으로 얻은 응력-변형률 선도를 네킹점에서 선형 외삽해, 초기 진응력-진변형률 곡선을 설정하고, 이를 유한요소해석에 채택했다. 유한요소해석 후 Bridgman 계수 및 평판 수정계수들을 사용해, 단축 상태의 하중-진변형률 선도를 얻어 파단진변형률을 실험-해석적으로 구했다. 이 예측 파단진변형률의 실험치 대비 오차는 3% 미만이다. 이렇게 구한 파단 진변형률과 이에 상응하는 파단진응력을 구해 파단점을 결정한다. 이어 네킹점과 결정한 파단점을 연결하는 네킹 후 진응력-진변형률 선형선도를 확보하고, 이를 네킹 전의 실험선도와 결합해 최종적으로 재료의 진응력-진변형률 선도를 완성했다. 본 연구에서 제시한 실험-해석적 진응력-진변형률 곡선 획득 방법은 SS400 평판시편과 같이 파단면적 측정이 어려운 경우, 그 유용함이 배가된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.17-17
• /
• 2009

Piezoelectric single crystals in the ternary MPB PMN-PZ-PT system with high $T_cs$ ($T_c$ > $200\sim300^{\circ}C$) and $E_cs$($E_c$>5~10 kV/cm) were fabricated by the cost-effective solid-state crystal growth (SSCG) technique. Chemically uniform PMN-PZT single crystals were successfully grown up to 60 mm by the SSCG method and their dielectric and piezoelectric properties characterized. Compared to Bridgman PMN-PT single crystals, the high $T_c/E_c$ PMN-PZT single crystals were found to exhibit a much wider usage range with respect to electric field as well as temperature, and thus become best candidates for medical transducers, actuators, and naval applications.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제19권5호
• /
• pp.1-4
• /
• 1982

Bridgman방법으로 Inse 단결정을 성장시켰다. 성장된 단결정은 rhombohedral 구조를 가지고 있으며 격자 상수는 a=4.02A, c=24.96A이고 전기 전도도는 300°K에서 ∼10-1, 50°K에서 ∼10-6(Ω·cm)-1이다. 전기 전도형은 n형으로 도우너 (donor) 준위는 전도대밑 0.072ev 되는 점에 위치하고 있다. 광전도도는 840nm부터 1120nm까지의 영역에서 감도를 가지고 있으며 광투과 특성으로부터 구한 InSe의 에너지 갭(gap)은 1.21ev이다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제11권5호
• /
• pp.218-223
• /
• 2001

수평 Bridgman 방법으로 성장한 사파이어 인고트를 절단 연마한 후, 사파이어 결정기판의 표면을 우레탄 천 위에서 실리카 졸을 사용하여 폴리싱하였다. 표면의 결정성을 X-선 회절을 통하여 조사하였으며, 2중 결정회절에 의한 반치폭은 200~400 arcsec을 가지며, 결정 인고트의 절편화 또는 양면 연삭 연마에 따른 잔류응력에 의한 표면에서의 기계적인 스트레스에 의해 결정성이 손상되어진다. 화학-기계적인 폴리싱공정을 수행한 수에 표면처리로 $1,200^{\circ}C$로 4시간 열처리 및 산처리를 연속적으로 수행할 경우 결정성이 반치폭 8.3 arcsec까지 줄어들어 향상됨을 확인하였다.

• 한국주조공학회지
• /
• 제14권1호
• /
• pp.28-34
• /
• 1994

Metallurgical-grade polycrystalline silicon was directionally solidified at growth rates of $0.2{\sim}1.0mm/min$ by using split type, reusable graphite molds which were coated with $Si_3N_4$ powder. The resultant grain sizes of the silicon ingots and the shapes of the solid/liquid(S/L) interfaces were investigated. X-ray diffraction was used to determine the preferred orientation in each of the silicon ingots. The impurity content of the silicon was analyzed and the resistivities of the ingots were measured. During the growth of an ingot, the shape of the S/L interface was concave to the silicon melt, and the resistivity decreased. The presence of Al which can be acting as a carrier, is thought to be the main factor causing such a decrease in resistivity. When a growth rate of 0.2㎜/min was used, the preferred orientation was found to be (111).

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제21권2호
• /
• pp.36-46
• /
• 1984

Ga1-xlnxSe 단결정을 X=0.0∼0.1영역과 X=0.8-1.0영역에서 Bridgman방법으로 성장시켰다. 성장된 Ga1-xlnxSe 단결정은 X=0.0∼0.1영역에서는 hexagonal구조, X=0.8∼1.0영역에서는 rhombohedral 구조를 가지고 있었다. CaInSe 단결정은 간접천이형 energy gap을 가지고 있었으며, 15°K에서 250°K로 시편의 온도가 상승할 때 energy gap 은 감소되었고, 온도계수는 (-2.4∼-4.3)×10-4eV/K으로 주어졌다. Ga1-xlnxSe 단결정의, energy gap에 온도 의존성은 Schmid의 electron-phonon 상호작용의 이론으로 설명할 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제10권4호
• /
• pp.286-291
• /
• 2000

수직 Bridgman법으로 $Cd_{1-x}Mn_{x}Te$ 단결정을 성장시켜 자기장과 파장을 변화시키면서 Faraday회전을 측정하였다. Verdet 상수값은 포톤의 에너지가 높은 쪽으로 이동함에 따라 흡수단 근처에서 최대였고, 조성비 x에 따라 증가하다가 x=0.40 이상에서 감소하였다. $Cd_{1-x}Mn_{x}Te$ 단결정을 Faraday 소자로 이용할 경우, 흡수단 근처에서 Faraday 회전이 가장 크게 일어나는 $Cd_{0.60}Mn_{0.38Te}$ 단결정이 적합하고,광원으로 He-Ne레이저를 사용할 경우에는 $Cd_{0.62}Mn_{0.40}Te$ 단결정이 유용함을 알 수 있었다.