• 한국전자파학회논문지
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• 제29권11호
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• pp.834-841
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• 2018

본 논문은 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용한 Sub-GHz 근거리 무선통신을 위한 전력증폭기 설계에 관한 내용이다. 가상접지 노드를 용이하게 형성하며, 출력전력을 키울 수 있는 차동구조로 설계하였으며, breakdown으로 인한 문제를 최소화하기 위하여 cascode 구조로 설계하였다. 또한 출력전력과 Power Added Efficiency(PAE)가 최대가 되도록 트랜지스터 게이트 폭을 결정하고, matching network으로 인한 손실이 최소화하기 위해 EM simulation을 통하여 balun을 최적화하였다. 제작된 전력증폭기는 크기가 $2.14mm^2$이며, 860~960 MHz의 주파수 범위에서 49.5 dB 이상의 이득과 26.7 dBm의 최대출력을 가지며, 최대효율은 20.7 %이다.

• 방사성폐기물학회지
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• 제17권1호
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• pp.95-106
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• 2019

원전 해체를 준비함에 있어 정성적 또는 정량적 위험도 평가는 필수요소이다. 해체 공정간 발생하는 방사선학적 및 비방사선학적 위험요소는 해체 작업자 및 대중의 안전을 보장하기 위해 사전에 평가되어야 한다. 현재 해체 경험이 많은 미국의 기존 사업자들 및 NRC의 경우 위험의 중대성만 평가하는 결정론적 위험도 평가에 집중하고 있다. 하지만 최근 IAEA는 위험도 매트릭스를 활용한 위험도평가를 결정론적 위험도 평가의 대체안으로 제안하고 있다. 따라서 본 연구에서는 위험도평가에 앞서 해체 공정 별 해체 활동을 Risk Breakdown Structure에 맞추어 정리하였고, 미국 20여개 해체 원전에서 해체 공정별 위험도 평가 시행 중 선정한 해체 활동간 잠재적 사고를 해체 활동에 맞게 체계적으로 정리하였다. 그리고 복합 리스크 매트릭스를 개발 및 활용하여 해체 공정간 방사선학적 및 비방사선학적 위험요소의 위험도를 평가하여 정량적으로 수치화 하였다.

• 대한토목학회논문집
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• 제29권2D호
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• pp.255-265
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• 2009

기존의 재해관리 업무는 각 부서별로 분산된 업무 체계 및 재해관리정보 누락의 문제점으로 인하여 재해 발생시 많은 피해를 발생시키고 있다. 본 연구에서는 기존의 재해관리 정보 및 업무특성을 파악하여 재해업무 단계 및 단계별 정보를 분 하며, 재해관리 정보간 통합 및 효율적 관리를 위해 재해정보분류체계를 구축한다. 또한 재해발생시 실시간 활용을 위한 재해관리 전자문서의 표준 XML(eXtensible Markup Language) 스키마(Schema)를 구성하며, 이를 기반으로 전자적 매뉴얼 시스템을 구축함으로써 제시된 방법론을 검증하고 있다. 따라서 본 시스템은 통합된 재해정보의 제공을 통해 재해관리업무 수행의 일관성 확보, 정보의 누락 방지 및 실시간적이고 종합적인 재해관리 정보제공을 위한 전자적 도구로 활용될 것이다.

• 대한토목학회논문집
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• 제26권3D호
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• pp.469-480
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• 2006

본 연구에서는 건설공사 리스크관리 현황을 파악하여 현재의 리스크관리 및 분석상의 문제점 및 기초적 개선방안을 파악하였다. 이러한 기초조사에 근거하여 연구에서는 리스크관리 시스템의 총괄적 구성을 리스크관리준비, 리스크확인, 리스크분석, 리스크대응의 4단계로 구분한 바 있으며, 이러한 각 프로세스별 리스크관리를 통합하여 구현할 수 있는 실무적 분석절차를 모형화 및 전산화하였다. 전산화를 위한 리스크관리의 단계별모듈은 기획, 시공, WBS 및 RBS의 연계활용, 리스크분석모듈로 구분 구성하며, 리스크분석기법으로 기존의 Fuzzy 기법을 단순화 한 분석방법론을 구성하였다. 모든 시스템구성은 시공자 위주로 구성하며 전산화 작업은 인터넷 기반으로 구성하여 본사 현장 및 계약자간 실시간 리스크관리 및 분석체계의 구축이 가능하도록 웹기반 메뉴방식으로 구성하여 실무사용시의 편리성을 극대화 하였다.

• 한국연소학회지
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• 제11권4호
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• pp.27-35
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• 2006

The impacts of equivalence ratio on flow structure and flame dynamic in a model gas turbine combustor are investigated using large eddy simulation(LES). Dynamic k-equation model and G-equation flamelet model are employed as LES subgrid model for flow and combustion, respectively. As a result of mean flow field for each equivalence ratio, the increase of equivalence ratio brings about the decrease of swirl intensity through the modification of thermal effect and viscosity, although the same swirl intensity is imposed at inlet. The changes of vortical structure and turbulent intensity etc. near flame surface are occurred consequently. That is, the decrease of equivalence ratio can leads to the increase of heat release fluctuation by the more increased turbulent intensity and fluctuation of recirculation flow. In addition, the effect of inner vortex generated from vortex breakdown on the heat release fluctuation is increased gradually with the decrease of equivalence ratio. Finally, it can be identified that the variations of vortical structure play an important role in combustion instability, even though the small change of equivalence ratio is occurred.

• 한국위성정보통신학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.21-26
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• 2016

PPS 소자가 삽입된 N형 실리콘 제어 정류기(NSCR_PPS) 소자에서 채널차단영역의 이온주입 변화가 정전기 보호 성능에 미치는 영향을 연구하였다. 종래의 NSCR 표준소자는 on 저항, 스냅백 홀딩 전압 및 열적 브레이크다운 전압이 너무 낮아 마이크로칩의 정전기보호소자로 적용이 어려웠다. 그러나 본 연구에서 제안하는 채널 차단 영역의 이온주입 조건을 변화시켜 각각 변형설계된 소자에서는 채널 차단 이온주입이 정전기 보호성능의 향상에 영향을 주는 중요한 파라미터였으며, CPS_PDr+HNF 구조의 변형소자는 정전기보호소자의 설계창을 만족시키는 향상된 정전기보호성능을 나타내어 고전압 동작용 마이크로 칩의 정전기보호 소자로 적용 가능함을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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• pp.421-424
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• 2004

As the deep sub-micron devices are recently integrated high package density, novel process method for sub $0.1{\mu}m$ devices is required to get the superior thin gate oxide characteristics and reliability. However, few have reported on the electrical quality and reliability on the thin gate oxide. In this paper I will recommand a novel shallow trench isolation structure for thin gate oxide $30{\AA}$ of deep sub-micron devices. Different from using normal LOCOS technology, novel shallow trench isolation have a unique 'inverse narrow channel effects' when the channel width of the devices is scaled down shallow trench isolation has less encroachment into the active device area. Based on the research, I could confirm the successful fabrication of shallow trench isolation(STI) structure by the SEM, in addition to thermally stable silicide process was achiever. I also obtained the decrease threshold voltage value of the channel edge and the contact resistance of $13.2[\Omega/cont.]$ at $0.3{\times}0.3{\mu}m^2$. The reliability was measured from dielectric breakdown time, shallow trench isolation structure had tile stable value of $25[%]{\sim}90[%]$ more than 55[sec].

• 한국기계가공학회지
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• 제17권5호
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• pp.149-154
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• 2018

To improve the efficiency and lifetime of filters, we analyze the element distribution at the entrance and exit by using the flow inside a filter, confirming that the internal structure affects the filter efficiency. The flow in the pipe is predicted through computer simulations, and the filtration efficiency of each element is compared through experiments. The efficiency and lifetime of the filter are indirectly improved through the element distribution at the filter outlet according to the internal structure. Because pressure loss from the structure inevitably occurs, the efficiency and lifetime of filters against pressure loss must be considered.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제49권5호
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• pp.270-277
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• 2000

A new Lateral Trench-MOS Bipolar-Mode Field-Effect Transistor(LTMBMFET) is proposed and verified by MEDICI simulation. By using a trench MOS structure, the proposed device can enhance the current gain without sacrificing other device characteristics such as the breakdown voltage. The channel region of the proposed device is formed between the trench MOS structure. So the effect of the substrate voltage is negligible when compared with the conventional device which has a channel region between the gate junction and the buried oxide layer.

• Corrosion Science and Technology
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• 제5권4호
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• pp.137-140
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• 2006

The effect of pre-existing barrier-type film on porous aluminum oxide film formation during anodization was investigated to control the uniform film growth rate. Initial potential fluctuations during anodization indicated that the breakdown of barrier-film is preceded before the porous formation and the induction time for the porous film growth increases with the increases of pre-existing film thickness. The porous film growth mechanism is lot affected by the presence of barrier film on aluminum surface. In parallel, uniform growth of barrier film underneath the porous structure was attained by two-step anodization processes.