• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제23권4호
• /
• pp.273-279
• /
• 2010

In this paper, we proposed 2500 V Non punch-through(NPT) Insulated gate bipolar transistor(IGBT) for high voltage industry application. we carried out optimal simulation for high efficiency of 2500 V NPT IGBT according to size of device. In results, we obtaind design parameter with 375 um n-drift thickness, 15 um gate length, and 8um emitter windows. After we simulate with optimal parameter, we obtained 2840 V breakdown voltage and 3.4V Vce,sat. These design and process parameter will be used designing of more 2000 V NPT IGBT devices.

• 생물정신의학
• /
• 제14권1호
• /
• pp.68-71
• /
• 2007

Quetiapine is an atypical antipsychotic drug with a benign side effect profile. However, recent studies have reported that thyroid dysfunction is associated with quetiapine treatment. The authors report a patient with DSM-IV bipolar I disorder who developed subclinical hypothyroidism during quetiapine treatment. The patient showed no significant clinical symptoms, but only abnormal thyroid function test findings including antithyroglobulin antibody. The abnormal thyroid function test findings were normalized after discontinuation of quetiapine. The subclinical hypothyroidism developed during quetiapine treatment may be associated with autoimmune process.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
• /
• pp.621-622
• /
• 2006

This paper presents the design of LVDS(Low-Voltage-Differential-Signaling) driver circuit for Gb/s-per-pin operation using BiCMOS process technology. To reduce chip area, LVDS driver's switching devices were replaced with lateral bipolar devices. The designed lateral bipolar transister's common emitter current gain($\beta$) is 20 and device's emitter size is 2*10um. Also the proposed LVDS driver is operated at 2.5V and the maximum data rate is 2.8Gb/s approximately.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제23권6호
• /
• pp.741-746
• /
• 1986

A novel n-p-n bipolar transistor of which emitter is self-aligned with base contact by polyilicon is developed for using in high speed and high packing density LSI circuits. The emitter of this transistor is separated less than 0.4 \ulcorner with base contact by self-aligh technology, and the emitter feature size is less than 3x5 \ulcorner\ulcorner Because the active region of this transistor is not damaged through all the process, it has excellent electric properties. Using the n-p-n transistors by 3.0\ulcorner design rules, a NTL ring oscillator has 380 ps, a CML ring oscillator has 390ps, and a I\ulcorner ring oscillator has 5.6ns of per-gate minimum propagation delay time.

• Journal of electromagnetic engineering and science
• /
• 제14권4호
• /
• pp.411-414
• /
• 2014

A switch is one of the most useful circuits for controlling the path of signal transmission. It can be added to digital circuits to create a kind of gate-level device and it can also save information into memory. In RF subsystems, a switch is used in a different way than its general role in digital circuits. The most important characteristic to consider when designing an RF switch is keeping the isolation as high as possible while also keeping insertion loss as low as possible. For high isolation, we propose leakage signal cancellation and inductive switching for designing a singlepole double-throw (SPDT) RF switch. By using the proposed method, an isolation level of more than 23 dB can be achieved. Furthermore, the heterojunction bipolar transistor (HBT) process is used in the RF switch design to keep the insertion loss low. It is demonstrated that the proposed RF switch has an insertion loss of less than 2 dB. The RF switch operates from 1 to 8 GHz based on the $0.18-{\mu}m$ SiGe HBT process, taking up an area of $0.3mm^2$.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제32권5호
• /
• pp.366-370
• /
• 2019

In this paper, a single N+ emitter trench gate-type insulated gate bipolar transistor (IGBT) device was studied using T-CAD, in order to achieve a low on-state voltage drop (Vce-sat) and high breakdown voltage, which would reduce power loss and device reliability. Using the simulation, the threshold voltage, breakdown voltage, and on-state voltage drop were studied as a function of the temperature, the length of time in the diffusion process (drive-in) after implant, and the trench gate depth. During the drive-in process, a $20^{\circ}C$ change in temperature from 1,000 to $1,160^{\circ}C$ over a 150 minute time frame resulted in a 1 to 4 V change in the threshold voltage and a 24 to 2.6 V change in the on-state voltage drop. As a result, a 0.5 um change in the trench depth of 3.5 to 7.5 um resulted in the breakdown voltage decreasing from 802 to 692 V.

• 한국재료학회지
• /
• 제11권6호
• /
• pp.441-447
• /
• 2001

PACVD 방법으로 다이캐스팅용 금형에 적용할 수 있는 TiN 코팅막을 형성시키는 연구를 하였다. 직류 펄스전원을 사용하여 지름이 4 mm인 작은 동공내부에 최고 20 mm 깊이까지 균일한 TiN 코팅층을 형성할 수 있었다. 코팅공정시 발광분광분석기를 사용해 Ti와 $N_{2}$ 및 $Ar^{+}$의 분광선을 측정함으로써 TiN 코팅막의 형성기구에 대하여 고찰하였다. 듀티비율이 50% 이상인 경우는 Ti, $N_{2}^{+}$ 및 $Ar^{+ }$ 의 분광선이 나타났으나, 듀터비율이 28.6%이하인 경우 분광선이 전혀 나타나지 않았으며 TiN 코팅층의 형성도 불안정하였다. 펄스전원으로 Bipolar로 사용한 경우 Unipolar를 사용한 경우보다 지름이 4 mm인 구멍에서 2배 깊게 코팅되었다.

• 자원리싸이클링
• /
• 제31권5호
• /
• pp.3-19
• /
• 2022

전기막(Electro-membrane) 기술은 전기투석(ED) 및 바이폴라 전기투석(BMED)과 같이 선택적 투과성을 갖는 이온교환막을 사용하여 전기에너지에 의하여 수용액 내의 물질을 분리·정제하는 공정이다. 전기막(Electro-membrane) 기술은 공정 중에 부산물이 발생하지 않고 회수된 염기나 산을 공정 중에 재사용할 수 있어 환경 친화적인 기술로 주목받고 있다. 본고에서는 전기분리막 기술인 ED와 BMED 기술의 원리 및 셀(Cell) 구성에 따른 여러 가지 특성 및 문제점 등에 대해 조사하고, 특히 금속회수 공정 중 다량 발생되고 있는 황산나트륨(Na2SO4) 폐액 처리와 관련된 연구사례들을 조사·분석하였다.

• 멤브레인
• /
• 제33권3호
• /
• pp.87-93
• /
• 2023

전기투석(ED)은 이온교환막을 통한 이온의 분리에서 중요한 과정이다. 해수담수화로 발생하는 염수 처리는 환경적으로 큰 문제이며 막분리 기술을 통한 재활용 효율이 높다. 마찬가지로 알칼리는 가죽, 전기도금, 염색, 제련 등과 같은 여러 화학 산업에서 생산된다. 폐기물의 고농도 알칼리는 부식성이 높고 화학적 산소 요구량(COD) 값이 높기 때문에 환경에 방출하기 전에 처리해야 합니다. 칼슘과 마그네슘의 농도는 염수의 거의 두 배이며 주요 환경 오염 물질인 이산화탄소의 흡착에 완벽한 후보입니다. 수산화나트륨은 양극성 막 전기투석 공정으로 쉽게 생산되는 금속 탄산화 공정에 필수적입니다. 역삼투압(RO), 나노여과(NF), 초여과(UF), ED 등 다양한 공정을 통해 회수가 가능하다. 본 검토에서는 알칼리 회수를 위한 이온교환막에 의한 ED 공정에 대해 논의한다.

• 멤브레인
• /
• 제17권3호
• /
• pp.210-218
• /
• 2007

바이폴라막을 이 용한 전기탈이온(Continuous Electrodeionization-Bipolar Membrane(CEDI-BPM))공정 은 이온교환막의 이온 선택적 투과를 통한 제거의 효율을 높이며, 바이폴라막에서 생성된 수소이온과 수산화이온이 이온교환수지를 전기적으로 재생하여 재생효율을 높일 수 있는 장점을 지니고 있다. 본 연구에서는 CEDI-BPM을 이용하여 경도물질을 제거하고 전기적 재생을 수행하였다. 이를 위하여 이온교환수지의 흡착 특성 및 유량의 변화에 따른 경도제거효율의 영향과 전기적 재생방법을 이용한 재생효율을 조사하였다. CEDI-BPM에서 Ca의 제거율이 Mg보다 높은 값을 보여주었는데, 이는 흡착실험에서 Ca의 높은 흡착능력과 관계가 있음을 보여주었다. 유량이 증가함에 따라 Ca과 Mg의 플럭스는 증가하는 경향을 보이는데, 양이온 교환막의 선택 투과가 경도물질의 제거에 더 큰 영향을 미치고 있음을 알 수 있다. CEDI-BPM의 전기적인 재생 실험결과 재생 전압을 낮게 유지할수록 높은 경도물질 제거효율 및 높은 플럭스를 보여 전기적 재생에 효율적으로 사용할 수 있음을 보여주었다.