Lorello, Kim M.;Kreutzberger, Alex J.;King, Allison M.;Lee, Hee-Seung
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.35
no.3
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pp.783-792
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2014
The binding interaction between a hemolytic peptide ${\delta}$-lysin and a zwitterionic lipid bilayer POPC was investigated through a series of molecular dynamics (MD) simulations. ${\delta}$-Lysin is a 26-residue, amphipathic, ${\alpha}$-helical peptide toxin secreted by Staphylococcus aureus. Unlike typical antimicrobial peptides, ${\delta}$-lysin has no net charge and it is often found in aggregated forms in solution even at low concentration. Our study showed that only the monomer, not dimer, inserts into the bilayer interior. The monomer is preferentially attracted toward the membrane with its hydrophilic side facing the bilayer surface. However, peptide insertion requires the opposite orientation where the hydrophobic side of peptide points toward the membrane interior. Such orientation allows the charged residues, Lys and Asp, to have stable salt bridges with the lipid head-group while the hydrophobic residues are buried deeper in the hydrophobic lipid interior. Our simulations suggest that breaking these salt bridges is the key step for the monomer to be fully inserted into the center of lipid bilayer and, possibly, to translocate across the membrane.
Recent research results regarding the very long chain transmembrane ${\alpha},{\omega}-dicarboxylic$ components in the membrane of extremophilic eubacteria, such as Sarcina ventriculi, Thennotoga maritima, and Thermoanaerobacter ethanolicus have raised interesting questions concerning the physical and biochemical function on these components in the membrane. In order to understand the dynamic characteristics of these acids which reside in the bilayer membrane, 580 ps molecular dynamic simulations at 300 K were performed for two model systems. These systems were the bilayer with regular chain (C16:0 or C18:1) fatty acid methyl esters and the fatty acid bilayer containing very long chain transmembrane dicarboxylic acid methyl esters (${\alpha},{\omega}-15,16-dimethyltriacotane-dioate$ dimethyl ester; C32:0). Our analyses indicate that very long chain transmembrane dicarboxylic acids have a noticeable influence on the bilayer dynamics at a sub-nanosecond time scale. The center-ofmass mean-squared-displacement (MSD) of regular chain fatty acids adjacent to the very long chain transmembrane dicarboxylic acids decreased, the long-axis order parameter increased, and the reorientational motions of methylene groups were slowed along the hydrocarbon chains. These results indicate that the very long chain transmembrane dicarboxylic acids reduce the molecular order of the whole bilayer membrane.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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v.41
no.8
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pp.869-874
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1992
The physical and electrical properties of TiN/TiSiS12T bilayer were studied. The TiN/TiSiS12T bilayer was formed by rapid thermal anneal in NHS13T ambient after the Ti film was deposited on silicon substrate. The Ti film reacts with NHS13T gas to make a TiN layer at the surface and reacts with silicon to make a TiSiS12T layer at the interface respectively. It was found that the formation of TiN/TiSiS12T bilayer depends on RTA temperature. In this experiment, competitive reaction for TiN/TiSiS12T bilayer occured above $600^{\circ}C$. Ti-rich TiNS1xT layer and Ti-rich TiSiS1xT layer and Ti-rich TiSiS1xT layer were formed at $600^{\circ}C$. stable structure TiN layer TiSiS12T layer which has CS149T phase and CS154T phase were formed at $700^{\circ}C$. Both stable TiN layer and CS154T phase TiSiS12T layer were formed at 80$0^{\circ}C$. The thickness of TiN/TiSiS12T bilayer was increased as the thickness of deposited Ti film increased.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.15
no.4
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pp.189-192
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2014
Yttria-stablized zirconia (YSZ) is the most commonly used electrolyte material, but the reduction in working temperature leads to insufficient ionic conductivity. Ceria based electrolytes (GDC) are more attractive in terms of conductivity at low temperature, but these materials are well known to be reducible at very low oxygen partial pressure. The reduction of electrolyte resistivity is necessary to overcome cell performance losses. So, thin YSZ/GDC bilayer technology seems suitable for decreasing the electrolyte resistance at lower operating temperatures. Bilayer electrolytes composed of a galdolinium-doped $CeO_2$ ($Ce_{0.9}Gd_{0.1}O_{1.95}$, GDC) layer and yttria-stabilized $ZrO_2$ (YSZ) layer with various thicknesses were deposited by RF sputtering and E-beam evaporation. The bilayer electrolytes were deposited between porous Ni-GDC anode and LSM cathode for anode-supported single cells. Thin film structure and surface morphology were investigated by X-ray diffraction (XRD), using $CuK{\alpha}$-radiation in the range of 2ce morphol$^{\circ}C$. The XRD patterns exhibit a well-formed cubic fluorite structure, and sharp lines of XRD peaks can be observed, which indicate a single solid solution. The morphology and size of the prepared particles were investigated by field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM). The performance of the cells was evaluated over $500{\sim}800^{\circ}C$, using humidified hydrogen as fuel, and air as oxidant.
Silicidation of the Co/Ti/Si bilayer system in which Ti is used as epitaxy promoter for $CoSi_2$has recently received much attention. The Co/Ti bilayer on the spacer oxide of gate electrode must be thermally stable at high temperatures for a salicide transistor to be fabricated successfully. In the $SiO_2$substrate was rapid-thermal annealed. The Sheet resistances of the Co/Ti bilayer increased substantially after annealing at $600^{\circ}C$, which is due to the agglomeration of the Co layer to reduce the interface energy between the Co layer and the $SiO_2$substrate. In the bilayer system insulating Ti oxide stoichiometric Ti oxide and silicide were not found after annealing.
We have grown a Nb/Gd bilayer on a$SiO_2$/Si substrate by using a DC magnetron sputtering system, which was fabricated in situ with silicon stencil masks. In order to investigate proximity effect of the Nb/Gd bilayer, we used a planar tunnel junction with an AlOx tunnel barrier by oxidizing the Al ground electrode at the bottom. A $Co_{60}Fe_{40}$ backing of Al was deposited so as to reduce the superconductivity of the Al, ensuring a normal counterelectrode. With a 50-nm-thick Nb layer, we have measured dI/dV (dynamic conductance) by varying the thickness of Gd, which can reveal the density of states (DOS) of the Nb/Gd bilayer as a function of the Gd thickness resulting from the proximity effect of a superconductor/ferromagnet bilayer (S/F). The SF proximity effect in Nb/Gd will be discussed in comparison to our previous results of the CoFe/Nb, Ni/Nb and CuNi/Nb proximity effect; Gd is expected to show different effects since Gd has f-electrons, while CoFe, Ni, and CuNi have only d-electrons. Our studies will focus on the triplet correlation in a superconducting pair.
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