• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 I
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• pp.346-349
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• 2003

A SiGe HBT MMIC double balaced up-converter has been designed and fabricated for C-band WLAN applications. The up-converter is based on the Gilbert cell mixer with an active baluns for differential inputs of LO and IF signals. The designed up-converter exhibits a conversion gain 12.5dB for a -10 dBm LO power. It also exhibits LO-RF isolation of 19.3dBc, and IF-RF isolation of 23.3 dBc at a 1-dB compression point of -14.2dBm

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(1)
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• pp.421-424
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• 2001

In this paper, We have designed and fabricated VCO in two way, the common source and common gate circuit for I local oscillator of 60 GHz wireless LAN system. The VCO employed a GaAs MESFET for negative resistance and a varactor diode for frequency tuning. The common gate VCO was measured the phase noise -112 dBc/Hz at the 1 MHz frequency offset. The output power and the second harmonic frequency suppression were 7.81 dBm and -29.3 dBc when tuning voltage was 3V, respectively. The total size of VCO was 28.6$\times$12.14 $\textrm{mm}^2$.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2003년도 종합학술발표회 논문집 Vol.13 No.1
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• pp.145-149
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• 2003

The parallel feedback dielectric resonator oscillator (DRO) which is applicable to satellite communications and broadcasting has been investigated. In the design of oscillator, the phase noise is important parameter. In this paper, The proposed oscillator has good phase noise level because it suppressed harmonics. Measurement show the fabricated oscillator is output power of about 9 dBm at fundamental frequency of 12.0 GHz and fundamental frequency suppression of -47.5 dBc. The phase noise level is about -110 dBc/Hz at 100 KHz offset frequency.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제7권2호
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• pp.64-68
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• 2007

An InGaP/GaAs HBT based differential Colpitts voltage control oscillator(VCO) is presented in this paper. In the VCO core, two switching transistors are introduced to steer the core bias current to save power. An LC tank with an inductor quality factor(Q) of 11.4 is used to generate oscillation frequency. It has a superior phase noise characteristics of -130.12 dBc/Hz and -105.3 at 1 MHz and 100 kHz frequency offsets respectively from the carrier frequency(1.566 GHz) when supplied with a control voltage of 0 volt. It dissipates output power of -5.3 dBm. Two pairs of on-chip base collector (BC) diodes are used in the tank circuit to increase the VCO tuning range(168 MHz). This VCO occupies the area of $1.070{\times}0.90mm^2$ including buffer and pads.

• 한국전자파학회논문지
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• 제25권12호
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• pp.1251-1257
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• 2014

본 논문에서는 6~13 GHz 주파수 범위에서 30 kHz 이하의 주파수 분해능과 500 ns 이하의 동조 속도를 갖는 광대역 고속 주파수 합성기 구조를 제안하였다. 광대역에서 빠른 동조 속도와 우수한 위상잡음 특성, 고해상도 주파수 특성을 얻기 위해 DDS(Direct Digital Synthesizer)와 아날로그 직접 주파수 합성기술을 적용하여 주파수 합성기의 출력을 합성하였다. 그리고 광대역 주파수 합성기의 위상잡음 특성을 중첩의 원리를 이용하여 예측하였고 측정 결과와 비교하였다. 제작된 주파수 합성기의 주파수 동조 속도는 500 ns 이하, 위상잡음은 최고 주파수에서 -106 dBc @ 10 kHz 이하, 주파수 정확도는 ${\pm}2kHz$ 이하로 측정 되었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제25권12호
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• pp.1236-1242
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• 2014

본 연구에서는 65-nm CMOS 공정을 이용하여 D-밴드 주파수 대역(110~170 GHz)의 전압 제어 발진기(voltage controlled oscillator)를 제작 및 측정을 수행하였다. 발진기의 구조는 푸쉬-푸쉬(push-push) 방식에 기반을 두고 있다. 제작된 전압 제어 발진기의 동작 주파수의 범위는 152.7~165.8 GHz로 측정되었으며 이때의 출력 전력은 -17.3 dBm에서 -8.7 dBm까지의 값을 보였다. 이 회로의 위상잡음(phase noise)은 10 MHz 오프셋에서 -90.9 dBc/Hz로 측정되었고, 측정용 패드를 포함한 제작된 칩의 크기는 $470{\mu}m{\times}360{\mu}m$이다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제11권12호
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• pp.1193-1200
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• 2016

본 논문에서는 광대역 특성을 갖는 이동통신 RF 모듈의 수동혼변조왜곡신호를 측정할 수 있는 시스템을 개발하였다. 광대역 특성을 나타내기 위하여 RF 수신단에서 저 잡음 특성과 광대역 특성을 만족하는 수신기를 설계하였으며 RF 수신 단에서 넓은 동적영역(high dynamic range)을 나타내도록 하였다. 설계된 수동혼변조왜곡 측정시스템에서 FPGA/DSP를 적용하여 측정된 PIMD신호를 PC에 기록하도록 프로그램 하였다. 650MHz-2700MHz 까지 가변하여 PIMD3를 측정하여 최고 -138dBc를 나타내었다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제9권12호
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• pp.1331-1336
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• 2014

본 논문은 X대역 고출력증폭기의 전력 결합 손실을 최소화 하기위하여 Al2O3 박막 기판으로 제작한 divider/Combiner 회로를 X-대역의 PAM(Power Amplifier Module)에 적용하여 25W 급 전력증폭기 모듈을 구현하였다. 제작은 MMIC 칩과 수정된 형태의 10way traveling wave divider/Combiner회로를 사용하였으며 제작된 Traveling wave구조의 전력증폭기는 출력전력 45.2dBm, 16dB 이득, PAE 26 % 특성을 얻었으며 IMD3 는 17dBc@44dBm의 특성을 보였다. 본 연구의 divider/Combiner 회로는 다단계 구조의수동 결합기 및 분배기에 사용될 수있으며 협소한 크기의 전력증폭기에 사용될 수 있다.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제16권1호
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• pp.12-16
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• 2018

In this work, a voltage controlled oscillator (VCO) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) was demonstrated for 10-GHz band motion detecting sensors. The VCO MMIC was fabricated using a $2-{\mu}m$ InGap/GaAs HBT process, and the tuning of the oscillation frequency is achieved by changing the internal capacitance in the HBT, instead of using extra varactor diodes. The implemented VCO MMIC has a micro size of $500{\mu}m{\times}500{\mu}m$, and demonstrates the value of inserting the VCO into a single chip transceiver. The experimental results showed that the frequency tuning characteristic was above 30 MHz, with the excellent output flatness characteristic of ${\pm}0.2dBm$ over the tuning bandwidth. And, the VCO MMIC exhibited a phase noise characteristic of -92.64 dBc/Hz and -118.28 dBc/Hz at the 100 kHz and 1 MHz offset frequencies from the carrier, respectively. The measured values were consistent with the design values, and exhibited good performance.

• 전기전자학회논문지
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• 제4권2호
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• pp.241-248
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• 2000

채널간의 상호 변조에 의한 왜곡성분이 주로 전력 증폭기의 비선형성에 의해 발생하는 CDMA 시스템에서는 선형 전력 증폭기를 필요로 하게 된다. 본 논문에서는 평형 MESFET 전치 왜곡 선형화기가 추가된 새로운 형태의 선형화 방법을 제안하였다. 제안된 선형화기는 한국 PCS주파수 대역에서 30dBm A급 전력 증폭기에 연결하여 시뮬레이션하였으며 실험 결과를 통하여 1dB 압축점은 2dBm, 상호변조왜곡은 12.5dBc정도 개선됨을 보였다.