• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제2권3호
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• pp.213-225
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• 2002

Metal-Ferroelectric- Insulator- Silicon (MFIS) structured field effect transistor (FET) device was fabricated and characterized. Important issues to realize ferroelectric gate field effect transistor device were summarized in three sections. The choice of interlayer dielectric was made in the consideration of device functionality and chemical reaction between ferroelectric materials and silicon surface during fabrication process. Also, various ferroelectric thin film materials were taken into account to meet desired memory window and process compatibility. Finally, MFIS structured FET device was fabricated and important characteristics were discussed. For feasible integration of current device as random access memory array cell address schemes were also suggested.

• 기술혁신학회지
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• 제21권3호
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• pp.938-968
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• 2018

우리나라의 기초연구는 1977년 한국과학재단설립(현(現) 한국연구재단), 1989년 기초과학 연구진흥 원년 선포와 기초과학연구진흥법 제정을 거치며 정부 연구비 투자 확대와 이공계 인력양성 등에 힘입어 양적 질적으로 눈에 띄게 성장하였다. 하지만 지속적인 정부 기초연구비의 증가에도 불구하고 대학 연구자의 낮은 체감도 문제는 끊임없이 제기되었다. 동 연구에서는 기초연구 투자 현황과 수준을 대학 중심으로 분석하고, 이에 기반한 주요 정책 이슈 고찰을 통해 향후 발전을 위한 과제를 제안하고자 하였다. 대학의 연구자 주도 기초연구의 다음단계 도약을 위해 시급히 검토해야 할 핵심이슈는 (1) 대학에 대한 기초연구 투자 규모, (2) 교수 1인당 적정 지원 규모, (3) 기초연구비 지원 방식, (4) 연구과제선정률의 적정선 유지, (5) 우수 연구자의 체계적 지원, (6) 연구몰입환경 조성이다. 이러한 진단을 기반으로 대학의 연구자 주도 기초연구의 지속적 혁신을 위한 다섯 가지 발전과제를 제안하였다. 발전과제는 (1) 대학연구비 증액, (2) 기초연구 펀딩방식 다양화, (3) 연구분야별 연구지원체계 구축 및 예측 가능한 원칙 수립, (4) 우수연구자에 대한 안정적이고 충분한 지원, (5) 연구행정 부담 완화이다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1998년도 IUMRS-ICEM ABSTRACT BOOK
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• pp.71.2-71
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• 1998

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제33권2호
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• pp.721-724
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• 2012

• ETRI Journal
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• 제27권5호
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• pp.484-490
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• 2005

We fabricated 40 Gb/s front-end optical receivers using spot-size converter integrated waveguide photodiodes (SSC-WGPDs). The fabricated SSC-WGPD chips showed a high responsivity of approximately 0.8 A/W and a 3 dB bandwidth of approximately 40 GHz. A selective wet-etching method was first adopted to realize the required width and depth of a tapered waveguide. Two types of electrical pre-amplifier chips were used in our study. One has higher gain and the other has a broader bandwidth. The 3 dB bandwidths of the higher gain and broader bandwidth modules were about 32 and 42 GHz, respectively. Clear 40 Gb/s non-return-to-zero (NRZ) eye diagrams showed good system applicability of these modules.

• ETRI Journal
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• 제25권4호
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• pp.270-273
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• 2003

This paper presents a simple process to integrate thin-film inductors with a bottom NiFe magnetic core. NiFe thin films with a thickness of 2 to 3${\mu}m$ were deposited by sputtering. A polyimide buffer layer and shadow mask were used to relax the stress of the NiFe films. The fabricated double spiral thin-film inductor showed an inductance of 0.49${\mu}H$ and a Q factor of 4.8 at 8 MHz. The DC-DC converter with the monolithically integrated thin-film inductor showed comparable performances to those with sandwiched magnetic layers. We simplified the integration process by eliminating the planarization process for the top magnetic core. The efficiency of the DC-DC converter with the monolithic thin-film inductor was 72% when the input voltage and output voltage were 3.5 V and 6 V, respectively, at an operating frequency of 8 MHz.

• 한국생물공학회:학술대회논문집
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• 한국생물공학회 2003년도 생물공학의 동향(XIII)
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• pp.608-608
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• 2003

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제37회 하계학술대회 초록집
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• pp.351-351
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• 2009

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제10권5호
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• pp.463-465
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• 1989

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.923-926
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• 2004

Active-matrix field emission display (AMFED) based on carbon nanotube (CNT) emitter and amorphous silicon thin-film transistor (a-Si TFT) is reviewed. The AMFED pixels consisted of a high-voltage a-Si TFT and mesh-gated CNT emitters. The developed AMFED panel showed a high performance with a driving voltage of below 15 V. The low-cost and large-area AMFED approach with a metal mesh technology will be discussed.