• 한국식품영양과학회지
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• 제14권3호
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• pp.274-279
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• 1985

년근별(年根別)에 따른 더덕의 일반성분(一般成分), 무기질(無機質) 및 단백질(蛋白質) 성분(成分)을 atomic absorption spectro-photometer, spectrophotometer 및 disc gel electrophoresis에 의한 분석(分析) 결과(結果)는 다음과 같았다. 일반성분(一般成分)은 재배더덕이나 야생더덕에 관계없이 총당(건물중)이 가장 많이 함유된 성분이고 1년근이 68.76%, 5년근이 66.54%로써 재배 년령이 높아짐에 따라 다소 함량이 감소되는 경향이었다. 그 다음 조단백질, 조섬유, 조지방, 회분의 순으로 함유되었고 조섬유를 재외하고는 재배더덕이 야생더덕 보다 그 성분함량이 다소 높았고 재배 년령이 높아짐에 따라 함량이 높아졌으나 조섬유는 별로 증가가 없었다. 무기성분은 K의 함량이 $208.7{\sim}327.9ppm$으로 가장 높았고 Mg, Ca가 그 다음으로 비슷한 함량을 보여 주었고 전반적으로 재배더덕이 야생더덕보다 무기질 함량이 높았으며 Fe를 제외하고는 대체적으로 재배 년근(年根)의 년령이 높아짐에 따라 무기성분 함량이 높아졌다. 그리고 중금속(重金屬)인 Pb와 Cd의 함량은 허용기준량보다 낮게 함유되어 있었다. P는 재배더덕이 야생더덕보다 함량이 3배 정도 높았다. 더덕의 단백질 분획중 가장 많이 함유된 것은 재배와 야생더덕에 상관없이 albumin이 었고 재배년령이 높아질수록 다소 함량이 감소되는 경향이었다. 그 다음 globulin, prolamin 및 glutelin의 순서로 함유되었고 대체로 년근(年根)의 년령이 높아감에 따라 그 함량이 증가되는 경향을 보여주었고 prolamin함량이 $19.74{\sim}22.90%$로 비교적 함량이 높았다. 더덕 단백질의 용해도는 pH 4에서 최소, pH 10에서 최대를 나타냈으며 disc gel 전기영동 패턴은 재배년령이나 재배와 야생더덕에 관계 없이 band의 형태와 수에 별 차이를 인지할 수 없었고 7개의 band로 나타났으며 이들의 주단백질(主蛋白質)의 분자량(分子量)은 약 90,000이었다.

• Journal of Applied Biological Chemistry
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• 제63권4호
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• pp.387-392
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• 2020

Pseudomonas tolaasii는 인공재배 버섯에 갈반병을 일으키는 병원 세균이다. 이전 연구에서, 갈반병이 발생한 버섯 조직에서 다양한 P. tolaasii 균주를 분리하였으며, 그들은 16S rRNA 유전자 분석을 통하여 Ptα와 Ptβ, Ptγ 소그룹으로 세분류되었다. Tolaasin 및 이의 유사 펩티드 분비를 조사하기 위하여, Pt 그룹 균주들의 배양추출액을 gel permeation chromatography로 분석하였다. Ptα 소그룹 균주들의 배양추출액은 두 개의 chromatographic band인 band A와 B로 이루어졌다. 반면, Ptβ와 Ptγ 소그룹 균주들의 배양추출액은 주로 band A 성분만을 가졌으며, band B는 약하게 나타났다. 배양액 중 독성 펩티드들을 MALDI-TOF 질량분석기를 이용하여 분석하였다. Ptα 소그룹 균주들에서 band A와 B의 펩티드 조성은 tolaasin I (1987 Da)과 tolaasin II (1943 Da), 1,973 Da과 2,005 Da인 두 개의 유사 펩티드를 포함하여 동일하였다. Ptβ와 Ptγ 소그룹 균주들은 분자량 1,100-1,200 Da의 많은 성분들을 분비하였으나, 이들은 tolaasin 유사 펩티드를 포함하지 않았다. 이러한 결과는 Ptα 소그룹 균주들만이 tolaasin 및 유사 펩티드 독소를 분비하며, Ptβ와 Ptγ 소그룹 균주들은 갈반병을 일으키는 다른 병원 특성을 가짐을 보여준다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.541-544
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• 1998

A SiGe p-channel MESFET using $\delta-doped$ layers is designed and the considerable enhancement of the current driving capability of the device is observed from the result of simulation. The channel consists of double $\delta-doped$ layers separated by a low-doped spacer which consists of Si and SiGe. A quantum well is formed in the valence band of the Si/SiGe heterojunction and much more holes are accumulated in the SiGe spacer than those in the Si spacer. The saturation current is enhanced by the contribution of the holes inthe spacer. Among the design parameters that affect the performance of the device, the thickness of the SiGe layer and the Ge composition are studied. The thickness of $0~300\AA$ and the Ge composition of 0~30% are investigated, and the saturation current is observed to be increased by 45% compared with a double $\delta-doped$ Si p-channel MESFET.

• 한국분말재료학회지
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• 제19권6호
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• pp.442-445
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• 2012

The quantum dots (QD) have unique electrical and optical properties due to quantum dot confinement effect. The optical properties of QDs are decided by various synthesis conditions. In a prior QDs study, a study on the QDs size with synthesis condition such as synthesis time and temperature is being extensively researched. However, the research on QDs size with composition ratio has hitherto received scant attention. In order to evaluate the ratio dependence of CdSe crystal, synthesis ratio of Se precursor is changed from 16.7 mol%Se to 44 mol%Se. As the increasing Se ratio, the band gap was increased. This is caused by red shift of emission. We confirmed optical property of CdSe QDs with composition ratio.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1995년도 추계학술대회 논문집
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• pp.248-252
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• 1995

In this paper, the samples are made by the new three-composition seed grain method, in order to obtain the low voltage varistor distributed randomly large seed grain in its bulk. The oscillation phenomena of carriers appeared from current-voltage characteristics under knee voltage is shown by the transient flow of non trapped carriers group in the trap level of intergranular layer, surface state and/or depletion layer. Current oscillation phenomena is hardly shown in the high electric field. The injected carriers from both electrodes are directly flowed from the conduction band of forward biased grain through the intergranular layer into the reverse biased grain, because the trap level in the electric field above the knee voltage is mostly filled.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.216-216
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• 2010

ITO는 n- type 반도체 재료로 Sn의 첨가로 인한 매우 낮은 전기저항과 안정성때문에 널리 사용되고 있는 재료이며 비교적 높은 band gap(3.55Ev)를 가짐으로 인하여 가시광선 영역에서 높은 투과도를 가지는 특징이 있다. 단점으로는 박막 제조 시에 증착시간의 증가함에 따라 음이온 충격 및 온도 상공으로 인한 막의 표면손상이 발생하게 되고 이것은 전기저항이 증가하는 요인으로 작용하는 문제점이 있다. 본 연구에서는 3가지 조성의 ITO박막을 스퍼터 장치를 이용하여 증착하고 그에 따른 전기적, 구조적, 광학적 특성을 분석 하였다. 증착된 ITO성막의 표면분석을 위해 AFM (Atomic Force Microscope)으로 표면 거칠기값 분석, XRD (X-ray diffraction)을 이용 결정성장분석, SEM (Scanning Electron Microscope)으로 표면의 미세구조관찰, 4Point pobe로 면 저항분석, spectrophotometer로 박막의 투과율과 흡수율을 분석하였다. 조성변화와 공정변수에 따른 전기적, 구조적, 광학적 특성변화의 원인분석으로 고효율의 ITO 박막성장 가능성을 조사하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제29권5호
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• pp.939-942
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• 2008

Photoelectrochemical deposition of CdZnSe thin films on the Se-modified Au electrode using electrochemical quartz crystal microgravimetry (EQCM) and voltammetry is described. Corrosion of pre-deposited Se electrodes by illumination at a fixed potential resulted in $Se^{2-}$ species, which was manifest from the EQCM frequency changes. $Se^{2-}$ species generated from the photocorrosion reacted with $Cd^{2+}$ and $Zn^{2+}$ ions in the electrolyte to form CdZnSe films on the Au electrode. The effect of electrolyte composition on the composition and band gap of CdZnSe films was studied in detail. Also, photoelectrochemistry, EDX, Raman spectroscopy were used for the characterization of CdZnSe thin films.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권10호
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• pp.1019-1026
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• 1996

In this study, we may be presented the carrier oscillation properties for the low-voltage varistor fabricated by a new method of three composition seed grain, in order to analyze the behavior of carriers at the its equivalent circuit model. The oscillation phenomena of carriers appeared from current-voltage characteristics under knee voltage is shown by the transient flow of nontrapped carriers group in the trap level of intergranular layer, surface state and/or depletion layer. In particularly, current oscillation phenomena is hardly shown in the high electric field. It is that the injected carriers from both electrodes are directly from the conduction band of forward biased ZnO grain through the intergranular layer into the reverse biased ZnO grain, because the trap level in the electric field above the knee voltage is mostly filled.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1993년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.1159-1161
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• 1993

This paper may be presented the carrier oscillation properties for the varistor fabricated by a new method of three-composition seed grain, in order to analyze the behavior of carriers at the its equivalent circuit model. The oscillation phenomena of carriers appeared from current-voltage characteristics under knee voltage is shown by the transient flow of non trapped carriers group in the trap level of intergranular layer, surface state and/or depletion layer. However, Current oscillation phenomena is hardly shown in the high electric field. The injected carriers from both electrodes are directly flowed from the conduction band of forward biased grain through the intergranular layer into the reverse biased grain, because the trap level in the electric field above the knee voltage is mostly filled.

• 한국자기학회지
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• 제5권5호
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• pp.805-809
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• 1995

In order to widen the band-width of ferrite absorber, compositional effect on the complex permeability of Ni-Zn ferrite and the structure of grid absorber were studied. From the experimental results, we could determine the optimum composition composition of Ni-Zn ferrite and the structure of grid absorber. Also, we manufactured grid absorber and investigated its microwave absorbing characteristics. Calculation shows that the ferrite frid absorber suppresses reflection ${\leq}-20dB$ from 30 MHz to 700 MHz and the conventional ferrite tile absorber suppresses reflection ${\leq}20dB$ in the frequency range of 30 MHz-400 MHz. It was found that the microwave absorbing performance of the ferrite grid absorber was superior to the ferrite tile absorber.