• 대한전자공학회논문지
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• 제27권7호
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• pp.1033-1041
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• 1990

In this paper, under pinch-off conditions, the gate-drain breakdown voltage characteristics of GaAs Power MESFET's as a function of device parameters such as channel thickness, doping concentration, gate length etc. are analyzed. Using the Green's function, the gate ionic charge induced by the depleted channel ionic charge is calculated. The impact ionization integral by avalanche multiplication between gate and drain is used to investigate breakdown phenomena. Especially, the localized excess surface charge effect as well as the uniform surface charge effect on breakdown voltage is considered.

• 한국통신학회논문지
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• 제28권8A호
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• pp.650-656
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• 2003

In 1995, a group of representatives from the integrated circuits and computer-aided design industries presented a industry standard bipolar model called the VBIC model. The VBIC model includes the improved Early effect, quasi-saturation, substrate parasitic, avalanche multiplication, and self-heating which are not available in the conventional SGP model. This paper applies VBIC model for SiGe HBT device and develops an accurate and efficient methodology to extract all the DC and AC parameters of the VBIC model for SiGe HBT device at room temperature. Simulated results by the extracted VBIC model parameter are compared with the measurement data and show very good agreement in both DC and s-parameters prediction.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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• pp.100-101
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• 2003

본 논문은 초고속 광통신용 검출기로 사용되고 있는 InP／InGaAs Avalanche Photodiode (APD)에 대한 연구로서 구조 변화에 따른 APD의 특성에 대해 연구하였다. 채택된 APB의 기본 구조는 Separated Absorption, Grading, Charge and Multiplication (SAGCM)구조로 u-InP 의 두께 3.5$\mu\textrm{m}$에~2.9$\mu\textrm{m}$ 만큼 Zn diffusion 하였으며, u-InGaAs 의 흡수층 두께는 0.8$\mu\textrm{m}$ 로 하였다. charge sheet 층의 도핑 농도는 ~ 3.5 $\times$ 10／sup 12／／cm／sup 2／ 이고, 전극 구조는 back side illumination type이다. (중략)

• 한국진공학회지
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• 제14권4호
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• pp.229-237
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• 2005

바이어스 스트레스 인가 후에 발생하는 실리콘-게르마늄 이종접합 바이폴라 트랜지스터(SiGe HBT)의 열화현상을 고찰하였다. SiGe HBT가 바이어스 스트레스에 일정 시간 노출되면 소자 내부의 변화에 의하여 소자 파라미터가 원래 값으로부터 벗어나게 된다. 에미터-베이스 접합에 역방향 바이어스 스트레스가 걸리면 전기장에 의해 가속된 캐리어가 재결합 중심을 생성하여 베이스 전류가 증가하고 전류이득이 감소한다. $140^{\circ}C$ 이상의 온도에서 높은 에미터 전류를 흘려주는 순방향 바이어스 전류 스트레스가 가해지면 Auger recombination이나 avalancHe multiplication에 의해 형성된 핫 캐리어가 전류이득의 변동을 유발한다. 높은 에미터 전류와 콜렉터-베이스 전압이 동시에 인가되는 mixed-mode 스트레스가 가해지면 에미터-베이스 역방향 바이어스 스트레스의 경우와 마찬가지로 베이스 전류가 증가한다. 그러나 miked-mode 스트레스 인가 후에는 inverse mode Gummel 곡선에서 베이스 전류 증가가 관찰되고 perimeter-to-area(P/A) 비가 작은 소자가 심각하게 열화되는 등 에미터-베이스 역방향 바이어스 스트레스와는 근본적으로 다른 신뢰성 저하 양상이 나타난다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.123-136
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• 2004

본 논문에서는 $GF({2^n})$상 곱셈의 복잡도와 규칙도를 GF(2)상의 다항식 곱셈을 표현하는 행렬식의 행과 열의 해밍 가중치를 이용하여 정의한다 차분공격에 강한 블록 암호 알고리즘을 만들기 위해서는 치환계층과 확산계층의 $GF({2^n})$상 곱셈의 복잡도와 규칙도가 높아야함을 실험을 통하여 보인다. 실험 결과를 활용하여 우리나라 표준인 128 비트 블록 암호 알고리즘인 SEED의 S 박스와 G 함수를 구성하는 방식을 제안한다. S 박스는 비 선형함수와 아핀변환으로 구성한다. 비 선형함수는 차분공격과 선형공격에 강한 특성을 가지며, '0'과 '1'을 제외하고 입력과 출력이 같은 고정점과 출력이 입력의 1의 보수가 되는 역고정점을 가지지 않는 $GF({2^8})$ 상의 역수로 구성한다. 아핀변환은 입력과 출력간의 상관을 최저로 하면서 고정점과 역고정점이 없도록 구성한다. G 함수는 4개의 S 박스 출력을 $GF({2^8}) 상의 4 {\times} 4$ 행렬식을 사용하여 선형변환한다. 선형변환 행렬식 성분은 높은 복잡도와 규칙도를 가지도록 구성한다 또한 MDS(Maximum Distance Separable) 코드를 생성하고, SAC(Strict Avalanche Criterion)를 만족하고, 고정점과 역고정점 및 출력이 입력의 2의 보수가 되는 약한 입력이 없도록 G 함수를 구성한다. 비선형함수와 아핀변환 및 G 함수의 원시다항식은 각기 다른 것을 사용한다. 본 논문에서 제안한 S 박스와 G 함수는 차분공격과 선형공격에 강하고, 약한 입력이 없으며, 확산 특성이 우수하므로 안전성이 높은 암호 방식의 구성 요소로 활용할 수 있다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제51권5호
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• pp.1428-1435
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• 2019

The total ionizing dose (TID) and non ionizing energy loss (NIEL) effects of 100 MeV phosphorous ($P^{7+}$) and 80 MeV nitrogen ($N^{6+}$) ions on 200 GHz silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBTs) were examined in the total dose range from 1 to 100 Mrad(Si). The in-situ I-V characteristics like Gummel characteristics, excess base current (${\Delta}I_B$), net oxide trapped charge ($N_{OX}$), current gain ($h_{FE}$), avalanche multiplication (M-1), neutral base recombination (NBR) and output characteristics ($I_C-V_{CE}$) were analysed before and after irradiation. The significant degradation in device parameters was observed after $100MeV\;P^{7+}$ and $80MeV\;N^{6+}$ ion irradiation. The $100MeV\;P^{7+}$ ions create more damage in the SiGe HBT structure and in turn degrade the electrical characteristics of SiGe HBTs more when compared to $80MeV\;N^{6+}$. The SiGe HBTs irradiated up to 100 Mrad of total dose were annealed from $50^{\circ}C$ to $400^{\circ}C$ in different steps for 30 min duration in order to study the recovery of electrical characteristics. The recovery factors (RFs) are employed to analyse the contribution of room temperature and isochronal annealing in total recovery.