• 한국자기학회지
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• 제19권4호
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• pp.133-137
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• 2009

GaAs 기판 위에 증착된 $MnGeP_2$ 박막이 상온에서 강자성을 보임을 자기화 및 자기저항 측정을 통해 확인하였다. 강자성-상자성 전이 온도는 320 K 정도였고, 항자력장은 5, 250, 300 K에서 각각 3870, 1380, 155 Oe 정도였다. 전하 운반자가 스핀 편극되어 있음을 암시하는 비정상 홀 효과를 관측하였다. 자기장에 따른 자기저항과 홀 저항을 측정할 때 이력곡선이 나타남을 확인하였다. $MnGeP_2$ 박막과 n-형 GaAs 기판 사이에 I-V 측정을 통해 전형적인 p-n 다이오드 특성을 보임을 확인하였다.

• 한국진공학회지
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• 제9권3호
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• pp.249-253
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• 2000

차세대 마이크로파 유전체 소자에 응용하기 위한 $MgTiO_3$ 박막을 펄스 레이저 증착법(PLD, pulsed laser deposition)을 이용하여 400-$500^{\circ}C$에서 비정질 상태로 실리콘 기판 위에 성장시킨 후 전기적 특성을 분석하였다. PLD로 증착된 $MgTiO_3$ 박막의 전기적 특성은 성장시 온도에 의존하였다. 즉, 증착 온도가 낮아짐에 따라 $MgTiO_3$ 박막 내부에 존재하는 이상정전하 결함 밀도가 증가하였으며, 이들 결함과 실리콘 기판과의 전하교환에 의하여 High Frequency(HF) C-V 곡선이 음의 방향으로 이동하는 현상이 관측된 것으로 사료된다. 또한, 증착 온도간 HF C-V 곡선 이동 폭 및 이상정전하 밀도는 ~l00$\AA$ 두께의 $SiO_2$ 중간층을 사용할 경우에 현저히 감소함을 확인하였다.