한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.431-434
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2008
The physical OLED analog behavioral model for SPICE simulation has been described using Verilog-A language. The model is based on the carrier-balance between the hole and electron injected through Schottky barrier at anode and cathode. The accuracy of this model was examined by comparing with the results from device simulation.
본 논문에서는 아날로그 회로에 사용되는 NMOSFET에 대한 Hot-Carrier 열화특성을 조사하였다. 여러 값을 갖는 게이트 전압으로 스트레스를 인가한 후, 소자의 파라미터 열화를 포화 영역에서 측정하였다. 스트레스 게이트 전압의 범위에 따라 계면 상태(interface state) 뿐 아니라 전자와 정공의 포획이 드레인 근처 게이트 산화막에서 확인되었다. 그리고 특히 낮은 게이트 전압의 포화영역에서는 정공의 포획이 많이 발생하였다. 이러한 전하들의 포획은 전달 컨덕턴스 ($g_m$) 및 출력 컨덕턴스 ($g_{ds}$)의 열화의 원인이 된다. 아날로그 동작 범위의 소자에서 파라미터 열화는 소자의 채널 길이에 매우 민감하게 반응한다. 채널길이가 짧을수록 정공 포획이 채널 전도도에 미치는 영향이 증가하게 되어 열화가 증가되었다. 이와 같이 아날로그 동작 조건 및 아날로그 소자의 구조에 따라 $g_m$ 및 $g_{ds}$의 변화가 발생하므로 원하는 전압 이득($A_V=g_m/g_{ds}$)을 얻기 위해서는 회로 설계시 이러한 요소들에 대한 고려가 필요하다.
디지털 콘텐츠는 IT 산업의 핵심적인 콘텐츠로 인터넷의 발전과 더불어 다양한 분야에서 개발되고 있다. 사용자의 멀티미디어 장비가 다양해지고 성능이 향상되어 감에 따라 디지털 콘텐츠 보호는 더욱 복잡해지고 다양한 보호 시스템 개발을 요구한다. DRM(Digital Rghts Management)은 대표적인 콘텐츠 보호 시스템이며 이 기술 기반으로 다양한 콘텐츠 보호 기법이 등장하고 있다. 그러나 콘텐츠와 배포형태에 따른 다수의 기술을 적용해야하는 문제점과 "analog hole" 문제 및 키 분배 방식의 비효율성으로 인해 안전하게 보호하기 어렵다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해서 RFID(Radio Frequency Identification) 기술을 이용한 콘텐츠의 인증 및 보호 시스템 제안하고 스마트 홈 환경에서 자유로운 콘텐츠의 복제 및 효율적인 콘텐츠관리가 가능함을 보인다.
The linear encoder used in the BLAC driving circuit consists usually analog type sensor, and need signal transform from analog sinusoidal to digital one for application in the PWM algorithm that is used to control motor current. When the motor is driven in low speed, it is required many operations and higher quality DSP to convert the hole sensor signal to digital one with enough resolution. In this paper, the another method to convert that signal with enough resolution without calculation of sine function is proposed. This is very simple and have high resolution even if the motor is driving in low speed. To verify the proposed method, BLAC motor is used, and it is proved that the motor is tracking well the reference step signal in the low speed as well as in the high one.
KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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제11권7호
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pp.3664-3677
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2017
Abrupt scene changes generally incur the afterimage effect. So, the unblocked image portion is still viewed by human eyes just after it is blocked by some pattern. Yovo's secure display method utilized this phenomenon and it is systematically analyzed using computational afterimage modeling by replacing the complex afterimage effect via simple low-pass filtering. With this approach, realistic images perceived by the human eye can be computationally generated at every single moment, especially reflecting the afterimage effect. The generated images are compared with the original images to determine the factors that affect the image quality of the secure display method. The simulation results demonstrate that the ratio of the unblocked portion to the blocked portion of an image and the playback rate are two primary factors related to the recognized image quality. We also found that the two factors are still effective for generalized secure display techniques.
본 연구에서는 연약지반의 개량 및 부등침하가 일어난 건물의 복원 등에 사용할 수 있는 컴팩션 그라우팅 공법을 소개하였다. 기존 컴팩션 그라우팅 공법에서 사용되는 펌프는 1공씩 주입하는 시스템으로 시공 효율성이 저하되고,아날로그 주입방식으로 현장 작업자가 수동으로 시공을 관리하여 일관된 품질관리가 어려웠다. 기존 시공에서의 문제점을 해결하기 위하여 펌프와 품질관리 시스템을 개발하였다. 품질관리 시스템은 주입재료의 자동 배합 시스템, 다중 동시 주입 펌프, 주입관리 모니터링 시스템으로 구성하였다. 현장 시험을 통해 품질관리 시스템의 성능을 검증하였고 컴팩션 그라우팅 공법의 시험시공 후 품질 시험을 통하여 지반개량 성능을 확인하였다. 따라서 개발된 통합 품질관리 시스템을 활용한다면 시공 및 품질 확인이 어려운 현장에서 일관된 품질의 보장과 시공의 효율성 및 안정성을 향상시킬 수 있을 것으로 기대된다.
RF 및 고속 아날로그 특성 및 제조 공정의 용이성에 의하여 고속 유무선통신 및 초고주파 분야에서 많이 이용되고 있는 SiGe 집적회로에서, SiGe 박막 저항기의편차를 줄여 집적회로의 신뢰성을 높이는 것이 중요하다. 본 논문에서는 실리콘계 박막 저항기 제조 후 발생하는 불균일한 저항 값 분포의 원인 규명과 그 해결 방안에 대하여 고찰한다. SiGe 박막 저항기의 실리사이드가 존재하는 컨택 영역에서 Ti-B석출물의 영향으로 인하여 저항 값의 불균일성 발생하는데, 이를 최소화하기 위하여는 가능한 최대의 boron 이온을 주입할 필요가 있다. SiGe 저항기와 금속을 배선하기 위한 컨택 홀의 크기가 작을수록 SiGe 층 내에서 돌출부가 컨택 홀의 전체면적을 차지하게 될 확률이 커지게 되어 접촉저항이 비정상적으로 커질 확률 또한 높아지게 되므로, 돌출부가 생성되는 SiGe 저항기의 경우는 컨택 홀의 면적을 크게하여 SiGe 저항기의 편차를 개선하였다.
이 연구의 목적은 감마선 검출 시스템을 개발하여 평행구멍형 조준기와 바늘구멍 조준기를 이용하여, 각각 소동물용 감마영상 획득과 환경 방사선 검출 영상을 획득하는 것이다. 본 연구에서는 크기가 $50{\times}50mm$ 이며, 6 mm 두께의 CsI(Tl) 섬광체와 $50{\times}50mm$ 크기의 Hamamatsu H8500C 위치민감형 광전자증배관, 저항분배회로, 전치증폭기, 성형증폭기, NIM 모듈 및 아날로그 디지털 변환기로 구성된 감마카메라를 개발하였다. 또한. 바늘구멍 감마카메라와 전하결합소자 카메라를 결합하여 환경모니터링에 적용할 수 있는 장비를 개발하였다. 본 연구 결과는 평행 구멍형 조준기와 바늘구멍 조준기를 이용한 감마카메라를 각각 소동물용 감마영상 획득과 환경방사선 측정에 적용 할 수 있음을 보여주었다. 이 시스템은 소 동물전용 감마카메라와 환경방사선 측정 시스템으로 활용 될 수 있을 것이다.
We are developing a small gamma camera or imaging malignant breast tumors. The small scintillation camera system consists of NaI(Tl) crystal ($60\;{\times}\;60\;{\times}\;6\;mm^3$) coupled to position sensitive photomultiplier tube (PSPMT), nuclear instrument module (NIM), analog to digital converter (ADC), and personal computer. High quality flood source image and hole mask image were obtained using the gamma camera developed in this study. Breast phantom containing $2{\sim}7\;mm$ diameter spheres was successfully imaged with parallel hole collimator. The obtained image displayed accurate activity distribution over the imaging field of view. Linearity and uniformity correction algorithms are being developed. It is believed that the developed small gamma camera could be useful or detection of malignant breast cancer.
We introduce a strained-SiGe technology adopting different thicknesses of Si cap layers towards low power and high performance CMOS applications. By simply adopting 3 and 7 nm thick Si-cap layers in n-channel and p-channel MOSFETs, respectively, the transconductances and driving currents of both devices were enhanced by 7 to 37% and 6 to 72%. These improvements seemed responsible for the formation of a lightly doped retrograde high-electron-mobility Si surface channel in nMOSFETs and a compressively strained high-hole-mobility $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ buried channel in pMOSFETs. In addition, the nMOSFET exhibited greatly reduced subthreshold swing values (that is, reduced standby power consumption), and the pMOSFET revealed greatly suppressed 1/f noise and gate-leakage levels. Unlike the conventional strained-Si CMOS employing a relatively thick (typically > 2 ${\mu}m$) $Si_xGe_{1-x}$ relaxed buffer layer, the strained-SiGe CMOS with a very thin (20 nm) $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ layer in this study showed a negligible self-heating problem. Consequently, the proposed strained-SiGe CMOS design structure should be a good candidate for low power and high performance digital/analog applications.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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