Adhesive bonding and plastic welding have been widely used to join two plastic materials together. The goal of this paper is to determine a proper joining technology of a pair of flat panel (FP) photobioreactor (PBR) case. The material of the FP PBR case is polycarbonate (PC) plate. Two types of adhesion, including acryl adhesive and two-part epoxy adhesive, as well as two types of plastic welding technology, including ultrasonic welding and thermal welding, are employed for joining of PC plates. In order to influence of the adhesion and welding conditions on the joining characteristics of the PC plates in operational conditions of the FP PBR case, the morphology in the vicinity of the joined region as well as the water and pressure resistance characteristic are investigated. In addition, the variation of the bonding strength of the joined region and deformation behaviors in the vicinity of the joined region according to the adhesion and welding conditions is examined via the lap-shear test. From the results of basic experiments, proper joining technologies are chosen. Using the chosen joining technologies, the FP PBR case are fabricated to perform full-scale durability experiment. The results of the full-scale durability experiment have been shown that the chosen joining technologies can be applicable to fabricate the FP PBR case.
다양한 에폭시 수지를 함유한 언더필의 열적 특성을 시차주사열량측정법, 열중량측정법, 동적-기계적 분석법, 열적-기계적 분석법과 같은 열 분석법을 이용하여 분석하였다. 또한, 언더필과 FR-4기판 사이의 접합 강도를 측정하였다. Cycolaliphatic 에폭시 수지를 함유한 언더필의 유리 전이 온도가 cycolaliphatic 에폭시 수지를 함유하지 않은 언더필의 유리 전이 온도보다 낮음을 확인할 수 있다. 대기로부터 유입된 산소와 열화된 폴리머 사이의 화학적 반응으로 인하여 언더필의 열적 감소 반응이 두 번 발생하는 것을 확인할 수 있다. Cycolaliphatic 에폭시 수지를 함유한 언더필의 열팽창 계수가 cycolaliphatic 에폭시 수지를 함유하지 않은 언더필의 열팽창 계수보다 높음을 확인할 수 있다. 과도한 경화 온도는 에폭시 수지의 경계면을 약하게 하여 에폭시 수지의 기계적 특성의 변화를 초래하게 되고 언더필과 FR-4 기판 사이의 접합 특성을 저하시키게 된다.
Microprocessor technology now relies on copper for most of its electrical interconnections. Because of the high diffusivity of copper, Atomic layer deposition (ALD) $TaN_x$ is used as a diffusion barrier to prevent copper diffusion into the Si or $SiO_2$. Another problem with copper is that it has weak adhesion to most materials. Strong adhesion to copper is an essential characteristic for the new barrier layer because copper films prepared by electroplating peel off easily in the damascene process. Thus adhesion-enhancing layer of cobalt is placed between the $TaN_x$ and the copper. Because, cobalt has strong adhesion to the copper layer and possible seedless electro-plating of copper. Until now, metal film has generally been deposited by physical vapor deposition. However, one draw-back of this method is poor step coverage in applications of ultralarge-scale integration metallization technology. Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) is a good approach to address this problem. In addition, the MOCVD method has several advantages, such as conformal coverage, uniform deposition over large substrate areas and less substrate damage. For this reasons, cobalt films have been studied using MOCVD and various metal-organic precursors. In this study, we used $C_{12}H_{10}O_6(Co)_2$ (dicobalt hexacarbonyl tert-butylacetylene, CCTBA) as a cobalt precursor because of its high vapor pressure and volatility, a liquid state and its excellent thermal stability under normal conditions. Furthermore, the cobalt film was also deposited at various $H_2/NH_3$ gas ratio(1, 1:1,2,6,8) producing pure cobalt thin films with excellent conformality. Compared to MOCVD cobalt using $H_2$ gas as a reactant, the cobalt thin film deposited by MOCVD using $H_2$ with $NH_3$ showed a low roughness, a low resistivity, and a low carbon impurity. It was found that Co/$TaN_x$ film can achieve a low resistivity of $90{\mu}{\Omega}-cm$, a low root-mean-square roughness of 0.97 nm at a growth temperature of $150^{\circ}C$ and a low carbon impurity of 4~6% carbon concentration.
We investigated structural and electrical properties of Metal-Oxide-Semiconductor(MOS) structure using Hafnium $oxide(HfO_{2})$ as high-k gate dielectric material. $HfO_{2}$ films are ultrathin gate dielectric material witch have a thickness less than 2.0nm, so it is spotlighted to be substituted $SiO_{2}$ as gate dielectric material. In this paper We have grown $HfO_{2}$ films with pt electrode on P-type Silicon substrate by RF magnetron sputtering system using $HfO_{2}$ target and oserved the property of semiconductor-oxide interface. Using pt electrode, it is necessary to be annealed at ${300^{\circ}C}$. This process is to increase an adhesion ratio between $HfO_{2}$ films with pt electrode. In film deposition process, the deposition time of $HfO_{2}$ films is an important parameter. Structura1 properties are invetigated by AES depth profile, and electrical properties by Capacitance-Voltage characteristic. Interface trap density are measured to observe the interface between $HfO_{2}$ with Si using High-frequency(1MHz) C-V and Quasi - static C-V characteristic.
본 연구에서는 토크로드의 여러가지 성능시험이 하능한 시험기의 설계와 개발 에 관하여 논하려 한다. 토크 로드의 정적 성능은, 반경방향 스프링 특성시험 및 비 틀림 방향 스프링 특성시험 그리고 회전토크 특성시험 등을 통하여 평가된다. 그러 나, 이들 세가지 성능시험을 위한 시험기를 각각 개발할 경우 소요비용이 과다해진다. 따라서, 한정된 예산과 시험기 개발후 시험평가 공정의 간소화 등을 고려하여, 본 시 험기는 3대의 시험기로써 하여야 할 기능을 한대의 시험기로써 할수 있도록 개발하였 다. 시험기 개발에 따른 기술적인 고찰과, 본 시험기로 정하중에서의 토크 로드 부 품의 성능시험을 수행하고 서어보 유압식 구조물 피로 시험기를 사용하여 동 부품의 피로 내구성 시험을 실시하고, 고무의 조성변화, 접착성 개선 등을 통해 내구성을 향 상시킴으로 국산화 개발을 가능케 한 기술적 내용들을 살펴 보고자 한다.
The electrical and physical characteristics of MgO and Pt thin-films on Si substrate, deposited by r.f magnetron sputtering. It were analyzed with annealing condition($1000^{\circ}C$ for 120 min) by four point probe, a-step, SEM and XRD. Until $1000^{\circ}C$ of annealing temperature, MgO medium layer had the properties of improving Pt adhesion to $SiO_2$ and insulation without chemical reaction to Pt thin-films and the resistivity of Pt thin-films was improved. In the analysis of properties of Pt-RTD, TCR value had $3927ppm/^{\circ}C$ and liner in the temperature range of room temperature ${\sim}400^{\circ}C$.
Several materials using polymer-portland-cement concrete have developed to have not only strength of attachment with body, but also waterproof function and strong anti-sodium chloride properties. Especially, in case of railway, unlike other public transportation, it is very difficult to doing the repair and reinforcement work of structure during service time. Therefore, the development and study of materials having characteristics of structural strength, unification behavior with body, and resistance of crack are very important. Accordingly, the characteristic of material of polymer based concrete is indicated compared with the experiment and analysis through this study, and suggested application to railway tunnel, bridge, and concrete track structure.
In this paper, the resonance characteristics of ZnO-based film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with high-quality multi-layer reflectors are proposed. The ultrathin Cr film $(300\;\AA-thick)$ between $SiO_2$ film and W film is formed by a sputtering-deposition in order to enhance the adherence at their interfaces. The resonance frequency was observed to vary with the number of the reflectors. This seems to be attributed to the change in the effective thickness of the ZnO film. Also, increasing the number of layers has led to a significant improvement of the series/parallel quality factor.
A weakened wild feral pig (a boar of about 15 kg) with snout distortion and characteristic external lesion of infectious atrophic rhinitis was captured at farm land near low mountains in Chinju, Kyeongnam province. This pig was necropsied and then the snout parts and the parenchymal organs were removed. The snout and nose were transversely sectioned at thickness of 1.5 cm interval. Grossly, the right side of the snout was shorted than that of left by reduction of right nasal turbinate length, but the nasal opening exudate was not observed. At necropsy, degeneration, adhesion, occlusion, and asymmetry of left and right sides on the meatus and turbinate were observed and findings of mild pneumonia were observed. Microscopically, the leukocyte infiltration, hyperemia and hyperplasia on the mucosa of the turbinates and septum were observed. The atrophied periosteum and osseous tissue were also observed. But Bordetella bronchiseptica was not identified in culture from nasal swabs. We expect the possibility that the snout distortion of this pig was due to infectious atrophic rhinitis according to these findings.
Although Rap GTPases of the Ras family remained enigmatic for years, extensive studies in this decade have revealed diverse functions of Rap signaling in the control of cell proliferation, differentiation, survival, adhesion, and movement. With the use of gene-engineered mice, we have uncovered essential roles of endogenous Rap signaling in normal lymphocyte development of both T- and B-lineage cells. Deregulation of Rap signaling, on the other hand, results in the development of characteristic leukemia in manners highly dependent on the contexts of cell lineages. These results highlight crucial roles of Rap signaling in the physiology and pathology of lymphocyte development.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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