• 대한전자공학회논문지
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• 제25권11호
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• pp.1294-1303
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• 1988

광 유도 전류 천이 (photo-induced current transient)방법으로 측정한 SI GaAs의 전자와 정공 trap이 갖을 수 있는 activation energy({\Delta}E_r)의 범위는 0.16$\pm$ 0.01eV에서 0.98$\pm$ 0.01eV까지 분포되어 있다. SI Undoped GaAs가 SI GaAs : Cr 보다 깊은 준위의 수가 적음을 확인 하였다. Trap의 열적인 capture cross section과 농도를 평가 하였고, 약간의 trap은 SI GaAs 성장시에 발생될 수 있는 결함과 관련되어 있음을 확인하였다. 특히 SI GaAs에서 보상 level로 작용하는 Cr과 “0” level를 좀 더 정확하게 측정하기 위하여 서로 다른 측정방법을 사용하여 측정한 결과를 각기 비교 검토 하였다. 즉, PICT측정, 상온 이상의 온도에서 측정한 Hall data 및 광전류 spectra data 등을 비교 검토 하였으며, 보상 level은 격자 결합이 매우 약함을 확인할 수 있었다. Hall data를 computer로 분석한 결과 중성 불순물 scattering이 측정 온도 범위에서 매우 중요한 역할을 하고 있음을 알 수 있었다.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제27권5호
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• pp.109-112
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• 2018

Optical properties of InAs/GaAs submonolayer-quantum dot (SML-QD) have been investigated using excitation intensity ($I_{ex}$)- and temperature-dependent photoluminescence (PL). At a low temperature (13 K) strong PL was observed at 1.420 eV with a very narrow full-width at half maximum, of 7.09 meV. The results of the $I_{ex}$ dependence show that the PL intensities increase with increasing $I_{ex}$. The enhancement factors (k) of PL increment as a function of $I_{ex}$ are 3.3 and 1.22 at low and high $I_{ex}$ regime, respectively. The high k value at low $I_{ex}$, implies that the activation energy of the SML-QDs is low. The calculated activation energy of the SML-QDs from temperature dependence is 30 meV.

• Applied Biological Chemistry
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• 제22권1호
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• pp.42-50
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• 1979

본(本) 연구(硏究)에서 얻은 결과(結果)를 종합(綜合)하면 다음과 같다. 1. 황촉규근(黃蜀葵根) 점액(粘液)의 온도변화(溫度變化)에 따른 회전점도(回轉粘度)의 회복(回復)은 $5^{\circ}{\sim}30^{\circ}C$ 범위(範圍)에서는 조(組) 81%, $5{\sim}95^{\circ}C$ 범위(範圍)에서는 조(組) 53% 회복(回復)된다. 2. 황촉규근(黃蜀葵根) 점액(粘液)의 점도변화(粘度變化)는 $5{\sim}50^{\circ}C$범위(範圍)에서 Andrade equation이 잘 적용(適用)되며 여러가지 방법(方法)으로 전처리(前處理)한 황촉규근(黃蜀葵根) 점액(粘液)의 점도변화(粘度變化)에 대한 activation energy $12{\sim}14$ Kcal/mole, activation entropy는 $12{\sim}15e.u.$ 범위(範圍)이다. 3. Autoclave처리(處理) 또는 formalin 처리(處理)한 황촉규근점액(黃蜀葵根粘液)의 activation energy는 다른것보다 큰 값이 계산(計算)되었고, 또 질소기류내(窒素氣流內)에서의 activation energy 값이 큰 값으로 계산(計算)되었는 결과(結果)로 점도(粘度)의 변화(變化)에 생물학적(生物學的) 요인(要因)이 크게 관여(關與)할 것으로 추측(推測)된다. 4. 단시간내(短時間內)의 점도변화(粘度變化)에 대한 도도(渡度) 의존성(依存性)은 비교적(比較的) 작고 $5^{\circ}{\sim}50^{\circ}C$, 72시간내(時間內)에서는 점도변화(粘度變化)에 관여(關與)할 분자구조(分子構造)의 전환(轉換)에 대한 도도의존성(渡度依存性)도 작다. 따라서 이 범위내(範圍內)에서의 점도변화(粘度變化)의 주요인(主要因)은 점질물(粘質物)의 분선현상(分鮮現象)과 conformation의 전환(轉換)이라 추측(推測)된다.

• 분석과학
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• 제31권1호
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• pp.7-13
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• 2018

이 연구에서는 구석기 고토양층 석영의 시간분해 광자극 냉광 신호를 측정한 후 측정된 냉광신호로부터 시료의 냉광수명을 산출하였다. 냉광수명의 방사선 조사 후 열전처리 의존성 및 조사선량 의존성, 광자극 펄스 의존성을 모두 고려한 결과, 고토양층 석영의 시간분해 광자극 냉광은 방사선량 100 Gy 조사 후 별도의 열전처리 없이 펄스 주기 $250{\mu}s$, 펄스 폭 $10{\mu}s$, 반복수 100,000번인 광 자극 펄스를 가하여 측정할 때 정확한 냉광수명이 산출됨을 알 수 있었다. 냉광수명의 측정온도 의존성으로부터 산출된 열소광 활성화 에너지 ${\Delta}E$, thermal assistance 활성화 에너지 $E_a$는 각각 $0.60{\pm}0.14eV$, $0.053{\pm}0.029eV$ 이었으며, 이 결과는 기존에 보고된 연구 성과와 매우 잘 일치하였다. 결론적으로 이 연구에서 산출된 고토양층 석영의 운동학 변수 값은 매우 신뢰할 수 있다고 판단된다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제45권1호
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• pp.81-88
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• 2013

Neutron spectrum analyses of spallation neutrons are conducted in the accelerator-driven system (ADS) facility at the Kyoto University Critical Assembly (KUCA). High-energy protons (100 MeV) obtained from the fixed field alternating gradient accelerator are injected onto a tungsten target, whereby the spallation neutrons are generated. For neutronic characteristics of spallation neutrons, the reaction rates and the continuous energy distribution of spallation neutrons are measured by the foil activation method and by an organic liquid scintillator, respectively. Numerical calculations are executed by MCNPX with JENDL/HE-2007 and ENDF/B-VI libraries to evaluate the reaction rates of activation foils (bismuth and indium) set at the target and the continuous energy distribution of spallation neutrons set in front of the target. For the reaction rates by the foil activation method, the C/E values between the experiments and the calculations are found around a relative difference of 10%, except for some reactions. For continuous energy distribution by the organic liquid scintillator, the spallation neutrons are observed up to 45 MeV. From these results, the neutron spectrum information on the spallation neutrons generated at the target are attained successfully in injecting 100 MeV protons onto the tungsten target.

• 한국건축시공학회지
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• 제14권1호
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• pp.110-117
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• 2014

본 연구에서는 양생온도변화에 따른 자기수축의 예측을 위하여 FA 및 SF를 치환한 시멘트모르타르를 대상으로 자기수축변화를 측정하고 이를 등가재령방법으로 해석하고자 하였다. 이를 위해 수화반응의 온도민감도를 고려하는 Ea의 변화에 따라 지수함수모델을 이용하여 자기수축 해석을 실시하였는데, 경화단계의 $E_a$를 이용할 경우 응결단계의 $E_a$를 사용한 경우보다 정확한 해석이 가능한 것으로 나타났는데, 이는 경화의 전단계에 걸친 수화의 온도민감도 영향을 반영한 $E_a$값에 기인된 결과로 사료된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제30권6호
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• pp.215-219
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• 2020

A-자리 결함 이중 Perovskite La1/3TaO3 단결정 시편을 제작하여 10~800 K 온도범위에서 유전특성을 조사하였다. 500 K 이하에서는 상유전성 거동이 나타났으며, 550 K 이상에서 유전이상과 유전상수의 열이력(thermal hysterisis)가 나타났다. 교류전도도 측정에 의한 활성화 에너지는 560 K 이하 영역에서 1.83 eV로 가장 크며, 560~690 K 영역에서 0.35 eV, 690 K 이상인 고온 영역에서 0.28 eV로 나타났다 이러한 결과로부터 500 K 이하 영역에서는 La3+-이온과 공공-자리가 무질서하게 배열하여 상유전상을 유지하며, 가장 높은 활성화 에너지를 나타낸 560 K 부근 영역에서는 La3+-이온이 공공-자리로의 전도 혹은 점프에 의한 재배열에 기인하여 유전이상이 나타난 것으로 판단된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제41권11호
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• pp.858-863
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• 2004

본 연구는 입방정 L $a_{2}$ 3/Ti $O_{2.84}$ 세라믹스의 전기전도율, 열기전력 그리고 자기적 특성에 대하여 조사하였다. 350 K 이하의 은도영역에서의 입방정 L $a_{2}$ 3/Ti $O_{2.84}$ 세라믹스의 열기전력은 음으로 나타났다 열기전력은 온도의 증가와 더불어 선형적으로 증가하여 A+BT의 형태로 표현가능 하였으며, Emin과 Wood가 제안한 모델과 잘 일치하였다. 이와 같은 열기전력의 온도의존성은 L $a_{2}$ 3/Ti $O_{2.84}$ 세라믹스의 전도 carrier가 small polaron임을 의미한다. L $a_{2}$ 3/Ti $O_{2.84}$ 세라믹스는 실온 이하의 특정온도에서 variable range hopping에서 small polaron hopping으로 변화하였다. 저온영역에서는 직류전도 기구해석은 Mott의 접근방식을 이용하였다. Mott의 보조변수 해석결과 Fermi면에서의 상태밀도 [N( $E_{F}$)]는 3.18${\times}$$10^{20}$ $cm^{-3}$e $V^{-1}$이었으며, 무질서에너지 $W_{d}$는 0.93로 고온에서의 활성화 에너지 보다 매우 크다. 200K와 300K온도 범위에서 log($\sigma$T)와 1/T의 직선 관계가 존재 하였으며, small polaron의 hopping energy는 0.15 eV였다.

• 한국표면공학회지
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• 제44권4호
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• pp.131-136
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• 2011

A kinetic study has been made for the growth of nanocrystalline diamond (NCD) particles to a continuous thin film on silicon substrate in a microwave plasma chemical vapor deposition reactor. Parameters of deposition have been microwave power of 1.2 kW, the chamber pressure of 110 Torr, and the Ar/$CH_4$ ratio of 200/2 sccm. The deposition has been carried out at temperatures in the range of $400\sim700^{\circ}C$ for the times of 0.5~16 h. It has been revealed that a continuous diamond film evolves from the growth and coalescence of diamond crystallites (or particles), which have been heterogeneously nucleated at the previously scratched sites. The diamond particles grow following an $h^2$ = k't relationship, where h is the height of particles, k' is the particle growth rate constant, and t is the deposition time. The k' values at the different deposition temperatures satisfy an Arrhenius equation with the apparent activation energy of 4.37 kcal/mol or 0.19 eV/ atom. The rate limiting step should be the diffusion of carbon species over the Si substrate surface. The growth of diamond film thickness (H) shows an H = kt relationship with deposition time, t. The film growth rate constant, k, values at the different deposition temperatures show another Arrhenius-type expression with the apparent activation energy of 3.89 kcal/mol or 0.17 eV/atom. In this case, the rate limiting step might be the incorporation reaction of carbon species from the plasma on the film surface.

• 대한화학회지
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• 제9권1호
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• pp.23-28
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• 1965

90% ethanol solution에서 benzyl chloride와 radioactive chloride($^{36}Cl^-$)와의 exchange를 反應速度論的으로 硏究하였으며 그 結果로 交換反應은 typical bimolecular reaction임을 알았고 그 activation parameter들은 각기 다음과 같았다. ${\Delta}H^{\neq}$= 18.50 Kcal ${\Delta}S^{\neq}$= -22.09 e.u. 특히 本實驗 缺課와 다른 實驗結果를 綜合討論함으로써 反應速度는 attacking anion의 nuclephilic ability에 크게 관계 됨을 입증할 수 있었으며 또한 exchange reaction에 있어서 halide들의 reactivity의 순서는 bond dissociation energy의 差로써 보다는 오히려 Swain의 nucleophilic parameter(n)로써 설명함이 더욱 타당함을 알았다.