• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
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• pp.171-174
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• 2000

This study uses neon and xenon gas mixture discharges to determine the effects of the neon plasma emission on the characteristics of visible emission from the stimulation of the red, green, blue(RGB) phosphor layers in a surface-type alternate current plasma display panel(AC PDP). With a mixture of less than 2% xenon to neon, it is found that the luminance changes in the visible emission of the phosphor layers are similar to those of the neon plasma emission. In the range of xenon mix ratio from 2 to 5%, the luminance of the red, green, blue(RGB) phosphor layers decreases with a decrease in the neon plasma emission intensity. However, with a mixture of above 5% xenon to neon, the luminance of the red, green, blue(RGB) phosphor layers increases regardless of a decrease in the neon plasma emission intensity. Furthermore, the color purity of the red, green, blue(RGB) phosphor layers improve as the neon plasma emission intensity decreases. Accordingly, it is concluded that the optical properties of the phosphor layers, including color purity and luminance, depend on the neon plasma discharge emission as well as the visible emission from the stimulation of the phosphor layers.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 E
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• pp.2236-2238
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• 1999

This paper deals with the surface glow discharge characteristics and some physical properties of MgO thin films prepared by RF unbalanced magnetron sputtering(UBMS) in surface discharge type AC PDP. The minimum discharge voltage is obtained for the sample of substrate holder bias voltage -10V. The main factors that improves the discharge characteristics by applied bias voltage is considered to be due to the morphology changes or crystal structure of the MgO thin film by ion bombardment during deposition process Moreover, the anti-sputtering characteristics of MgO thin film by UBMS is more excellent than that of balanced magnetron sputtering(BMS) and E-beam evaporation method.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 E
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• pp.1761-1763
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• 1998

ITO(Iridium-Tin Oxide) thin film, as discharge electrodes in AC PDP, should have low resistivity and high transparency. Regarded as a high deposition rate method, the ITO thin film fabricated by the facing target sputtering system has been studied in this paper. The electrical property of the ITO film deposited below $150^{\circ}C$ is not satisfied. The SEM pictures show that the ITO films deposited below $150^{\circ}C$ are amorphous. After being annealed the amorphous ITO films become crystalline, and for this reason, the electrical property of amorphous ITO films can be effectively improved by annealing process. An ITO film with the resistivity as low as $1.99{\times}10^{-4}$ and transparency above 85% has be gotten after vacuum annealing at $300^{\circ}C$ for 2 hours while deposited at $75^{\circ}C$. The corresponding deposition rate is $220{\AA}/min$.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.29-32
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• 2007

We analyzed the effect of cell resolution on the luminous efficacy through three-dimensional numerical simulation to understand the inherent discharge mechanism change in the plasma display panel. As the resolution increases from VGA to Full HD, the luminous efficacy decreases. With higher Xe content, VUV generation efficacy of Full HD becomes much lower than those of VGA or XGA cells, due to the increased plasma loss and lower electron heating. However a long electrode gap $140{\mu}m$ in Full HD cell with Ne-Xe [20%] results in the high luminous efficacy comparable to that of the XGA cell with $60{\mu}m$ gap. When comparing the effects of Xe content variation on the luminous efficacy of two different subpixel types, i. e., SDE (Segmented electrode in Delta color arrayed, Enclosed subpixel) [1] and conventional stripe barrier type in the XGA and Full HD cells, the luminous efficacy of SDE structure shows higher improvement in Full HD resolution compared with that of conventional type XGA cell, whose cause is identified as the reduced plasma loss.

• Journal of Information Display
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• 제8권3호
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• pp.29-33
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• 2007

The temporal dark image sticking phenomena are examined and compared for the two different electrode structures such as the face-to-face and coplanar sustain electrode structure. To compare the temporal dark image sticking phenomena for both structures, the differences in the infrared emission profile, luminance, and perceived luminance of the image sticking cells and the non image sticking cells were measured. It is observed that the temporal dark image sticking is mitigated for the face-to-face structure. The mitigation of the temporal dark image sticking for the face-to-face structure is due to the slight increase in the panel temperature induced by the ITO-less electrode structure.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 춘계합동학술대회 논문집
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• pp.153-157
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• 2002

This paper deals with the relationships between MgO manufacturing condition and misfiring at low temperature. The characteristics of MgO are affected by substrate temperature and MgO deposition current. In this study. the. substrate temperature was varied from $100^{\circ}C$ to $200^{\circ}C$. And the MgO deposition current was varied from 5mA to 20mA. As a result. the misfiring at low temperature was decreased in the panels with substrate temperature $200^{\circ}C$ and MgO deposition current 5mA. These results may be explained that the higher substrate temperature and lower MgO deposition current makes the denser film formation.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.420-420
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• 2010

AC PDP에서 유전체 보호막으로 사용되는 MgO 박막은 높은 이차전자방출계수($\gamma$)로 인해 방전전압을 낮춰주는 중요한 역할을 하고 있다. 이러한 MgO 보호막의 이차전자방출계수를 증가시키기 위해 MgO 의 Energy Band Structure 규명이 중요한 연구 주제가 되고 있다. MgO의 이차전자방출계수($\gamma$)는 Auger 중화 이론에 의해 방출 메커니즘이 설명이 되고, 그 원리는 다음과 같다. 고유의 이온화 에너지를 가진 이온이 MgO 표면에 입사 되면, Tunneling Effect에 의해 전자와 이온 사이에 중화가 일어나고, 중화가 되고 남은 에너지가 MgO Valance Band 내의 전자에게 전달되면 이때 남은 에너지(${\Delta}E$)가 MgO의 일함수(Work function) 보다 크게 되면 이차전자로 방출된다. 본 실험 에서는 $\gamma$-FIB System을 이용하여 결정 방향이 (100), (110), (111)을 갖는 Single Crystal MgO에 이온화 에너지가 24.58eV인 He Ion source를 주사 하였을 때 Auger self-convolution을 통해 이차전자의 운동 에너지 분포를 구하고, 이를 통해 MgO 내의 Energy Band Structure를 실험적으로 측정하였다. 이를 통해 MgO Single Crystal의 일함수 및 Defect Level의 분포를 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.229-229
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• 1999

교류형 플라즈마 방전 표시기(AC Plasma Display Panel, AC PDP)의 구동에서의 방전 현상은 기입방전, 유지방전, 소거 방전이 있다. 이중 유지 방전은 표시장치로서의 휘도와 계조의 표현을 위한 방전으로 표시기로서의 효율을 결정하게 된다. 본 연구에서는 유지 방전 전압의 상승 시간의 변화에 따른 방전현상과 휘도, 효율의 변화를 살펴 보았다. 방전 현상에서의 가장 큰 변화는 교류형 플라즈마 방전 표시기의 방전 개시 전압과 방전 유지 전압의 변화이다. 유지 전압의 상승시간이 증가할수록 방전 개시 전압과 방전 유지 전압의 변화이다. 유지 전압의 상승 시간이 증가할수록 방전 개시 전압과 방전 유지 전압의 차(sustain margin)는 감소하여 상승 시간이 1$\mu$s/100V 이상의 영역에서는 방전 개시 전압과 방전 유지 전압이 차이가 없어지게 된다. 이는 방전 유지 전극 위의 유전체에 쌓이게 되는 벽전하(wall charge) 양의 감소에 의한 방전 약화의 영향을 보여질 수 있다. 그러나 방전 유지 전압의 형태와 전류의 시간적인 변화를 살펴보면 이러한 약한 방전은 벽전하의 감소에 의한 방전 시의 전계 감소보다는 방전 전류의 발생 시간이 방전 전압이 증가하여 최고점에 이르지 못한 시간에 위치하여 방전이 형성될 때의 전계가 강하지 못하기 때문인 것을 알 수 있다. 방전 전류를 측정한 결과에 의하면 방전 전류의 시작은 변위 전류가 흐르고 난 후부터 시작되며 그 결과 방전 전류가 최고점에 도달하는 시간은 방전 전압 상승 시간이 길어질수록 낮은 전압에서 형성되게 된다. 또한 방전 유지 전압의 상승 시간이 길어질수록 플라즈마 방전표시기의 휘도와 효율은 낮아지고 이 결과 또한 약한 전계에서의 방전에 의한 결과로 생각되어진다.플라즈마의 강도값을 입력하여 플라즈마의 radiation을 검출하고, 스퍼터링 공정중 실질적인 in-situ 정보로 이용하였다. PEM을 통하여 In/Sn의 플라즈마 강도변화를 조사하였다. 초기 In/Sn의 플라즈마 강도(intensity)는 강도를 100하여, 산소를 주입한 결과, plasma intensity가 35 줄어들었고, 이때 우수한 ITO 박막을 얻을 수 있었다. Pulsed DC power를 사용하여 아크 현상을 방지하였다. PET 상에 coating 된 ITO 박막의 표면저항과 광투과도는 4-point prove와 spectrophotometer를 이용하여 분석하였고, AES로 박막의 두께에 따른 성분비를 확인하였다. ITO 박막의 광투과도는 산소의 유량과 sputter 된 In/Sn ion의 plasma emission peak에 따라 72%-92%까지 변화하였으며, 저항은 37$\Omega$/$\square$ 이상을 나타내었다. 박막의 Sn/In atomic ratio는 0.12, O/In의 비율은 In2O3의 화학양론적 비율인 1.5보다 작은 1.3을 나타내었다.로 보인다.하면 수평축과 수직축의 분산 장벽의 비에 따라 cluster의 두께비가 달라지는 성장을 볼 수 있었고, 한 축 방향으로의 팔 넓이는 fcc(100) 표면의 경우 동일한 Ed+Ep값에 대응하는 팔 넓이와 거의 동일한 결과가 나타나는 것을 볼 수 있다. 따라서 이러한 비대칭적인 모양을 가지는 성장의 경우도 cluster 밀도, cluster 모양, cluster의 양 축 방향 길이 비, 양 축 방향의 평균 팔 넓이로부터 각 축 방향의 분산 장벽을 얻어낼 수 있을 것으로 보인다. 기대할 수 있는 여러 장점들을 보고하고자 한다.성이 우수한 시

• 조명전기설비학회논문지
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• 제15권1호
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• pp.13-21
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• 2001

3전극 교류형 면방전 플라즈마 디스플레이의 방전특성을 분석하여 최대 방전전압에서 나타나는 방전의 불안정성은 2차방전에 의한 벽전하의 부분소거가 원임임을 알았다. 이를 이용하여 어드레스 방전과 표시방전의 상호관계를 고려한 동작마진을 새로이 정의하였고 실험을 통하여 이의 타당성을 검증하였다. 고속 어드레싱을 하기 위해서는 어드레스 펄스폭을 줄여야 한다. 그러나 어드레스 펄스폭이 좁아지면 어드레스 펄스의 동작마진이 줄어든다. 반면에 표시방전 유지펄스의 동작마진은 어드레스 펄스폭이 $1[{\mu}s]$ 이상만 되면 어드레스 펄스폭에 무관하다는 것을 알앗다. 시렇ㅁ결과 펄스폭 $1[{\mu}s]$의 고속 어드레스 ADS 구동방식으로 HDTV급 셀구조를 가지는 플라즈마 디스플레이 패널에 8bit 256계조의 화상을 구현 하였고 $560[cd/m^2]$의 휘도를 얻었다.

• 한국진공학회지
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• 제15권3호
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• pp.259-265
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• 2006

[ $RF-O_2$ ] plasma 처리한 MgO 박막의 스퍼터링 수율을 집속이온빔 장치를 이용하여 측정하였다. 가속 전압 10 kV의 Ga 이온빔을 주사했을 때 plasma 처리하지 않은 MgO 박막의 스퍼터링 수율은 0.33 atoms/ion, $RF-O_2$ plasma 처리한 MgO 박막의 스퍼터링 수율은 0.20 atoms/ion 으로 $RF-O_2$ plasma 처리한 경우 스퍼터링 수율이 낮아졌다. 또한 XPS, AFM을 통해 plasma 처리로 인한 MgO 표면의 변화를 관찰하였다. MgO 박막에 $RF-O_2$ plasma 처리한 후 XPS O 1s spectra의 binding energy와 FWHM 값이 각각 2.36 eV와 0.6167 eV 작아졌고 표면거칠기의 RMS 값 또한 0 32 nm 작아졌다.