• 한국결정성장학회지
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• 제13권6호
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• pp.279-283
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• 2003

본 연구에서는 ZnTe에 S 원자를 소량 첨가한 ZnTe : S 단결정 박막이 열적적층법에 의하여 GaAs(100) 기판 위에 성장되었다. S 원자에 의한 효과를 알기 위하여 ZnTe : S 단결정 박막의 광발광 특성을 조사하였다. 저온 광발광 스펙트럼에서 등전자적 중심(isoelectronic center)으로 보이는 2.339 eV의 피크가 관측되었고, ZnTe 단결정 박막의 광발광 스펙트럼에서 근원을 알 수 없었던 발광 스펙트럼은 관측되지 않았다. 온도에 따른 가벼운 양공 자유 엑시톤의 세기 변화는 외부자기포획(extrinsic self-trapping)으로 설명하였다. 그리고 상온에서 에너지 띠간격 흡수단 근처의 발광선이 관측되었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제12권4호
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• pp.35-40
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• 1975

ZnTe-lnSb Heterojunction을 계면합금법으로 제작했다. Insb의 In이 ZnTe결정에 확산되어 계면에 고저항 ZnTe충을 성장시켜 P-i-n구조를 갖고 있으며 전류수송기구는 p형 ZnTe 가전자대로부터 고저항 ZnTe충에 주입된 Hole의 SCLC기구에 의존된다. 순방향과 역방향 전압을 인가할때 실온에서 오런지색 전 장발장이 관측되었다. The Zn7e-lnSb heterojunctions was prepared by interface alloying technique. The structure of this beterojunction had p-i-n which semi-insulating ZnTe laver at interface of this heterojunction was formed by diffusing In of InSb into ZnTe crystal. The current transport mechanism of this heterojunction was Spacecharge-Limited-Current(SCLC) mechanism by hole at semi-insulating ZnTe layer. The hole wart injected from valence band of p- type SnTe crystal. Orange color electroluminescence was observed at this heterojunction when forward and reversed bias voltage applied.

• 한국결정성장학회지
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• 제13권5호
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• pp.230-234
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• 2003

GaAs (001) 기판과 완충층을 사용한 ZnTe/GaAs(001) 기판 위에 고농도의 Zn 조성을 가지는 $Cd_xZn_{1-x}$Te/GaAs, $Cd_xZn_{1-x}$Te/ZnTe/GaAs 에피층 구조를 성장시켰다. 이때 $Cd_xZn_{1-x}$Te 에피층에서의 CuPt형의 규칙상 형성, 미세구조적 특성과 광발광특성을 X-선회절과 전자회절상, 고분해능 투과전자현미경, 그리고 저온 광발광 측정 장치를 이용하여 연구하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권6호
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• pp.269-269
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• 2002

희박 자성 반도체 ZnMnTe를 장벽층으로 사용한 양질의 ZnTe/ZnMnTe 단일 양자우물 구조를 열벽적층 성장법으로 성장하였다. 고분해능 X-선 회절측정 결과 ZnTe 우물층이 강하게 스트레인을 받고 있음을 알 수 있었다. 광발광 측정으로부터 무거운 양공 엑시톤 (el-hhl)과 가벼운 양공 엑시톤 (el-lhl)의 매우 뾰족한 발광 크들이 나타남을 관측하였다. 또한 우물층의 두께가 증가함에 따라 (el-hhl)과 (el-lhl)의 엑시톤 관련 피크들은 낮은 에너지 쪽으로 이동하였다. 광발광 피크 세기의 온도에 따른 변화는 운반자들의 열적 활성화로 설명할 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권6호
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• pp.267-271
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• 2002

희박 자성 반도체 ZnMnTe를 장벽층으로 사용한 양질의 ZnTe/ZnMnTe 단일 양자우물 구조를 열벽적층 성장법으로 성장하였다. 고분해능 X-선 회절측정 결과 ZnTe 우물층이 강하게 스트레인을 받고 있음을 알 수 있었다. 광발광 측정으로부터 무거운 양공 엑시톤 (el-hhl)과 가벼운 양공 엑시톤 (el-lhl)의 매우 뾰족한 발광 크들이 나타남을 관측하였다. 또한 우물층의 두께가 증가함에 따라 (el-hhl)과 (el-lhl)의 엑시톤 관련 피크들은 낮은 에너지 쪽으로 이동하였다. 광발광 피크 세기의 온도에 따른 변화는 운반자들의 열적 활성화로 설명할 수 있었다.

• 한국광학회지
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• 제16권6호
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• pp.553-559
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• 2005

(110) ZnTe 결정을 사용한 광정류(Optical Rectification)법에 의한 테라헤르츠파의 발생과 자유공간 전광 샘플링(Free-Space Electro-Optic Sampling; FS-EOS)법에 의한 테라헤르츠파의 검출특성에 대해서 보고한다. ZnTe 결정에 펌프용 레이저광에 대한 반사방지막 코팅을 실시함으로서 테라헤르츠파 신호크기가 $27\%$ 증가함을 알 수 있었다. ZnTe 결정의 두께가 얇을수록 테라헤르츠파의 신호의 크기는 작으나 광대역의 주파수를 가진 스펙트럼이 얻어졌다. 또한 레이저광의 편광방향과 ZnTe 결정의 (001)축사이의 각도에 따른 테라헤르츠파의 신호 변화, 펌프광 출력에 따른 테라헤르츠파의 신호크기 변화 등에 대한 특성이 조사되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권6호
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• pp.299-303
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• 2002

The relationship of crystallinity between defects distribution with (100) ZnTe/GaAs using HWE growth was investigated by four crystal rocking curve (FCRC) and transmission electron microscopy (TEM). The thickness dependence of crystal quality in ZnTe epilayer was evaluated. The FWHM value shows a strong dependence on ZnTe epilayer thickness. For the films thinner than 6 ${\mu}{\textrm}{m}$, the FWHM value decreases very steeply as the thickness increases. For the films thicker than 6 ${\mu}{\textrm}{m}$, it becomes an almost constant value. At the thickness of 12 $\mu\textrm{m}$ with the smallest value of 66 arcsec. which is the best value so far reported on ZnTe epilayers was obtained. Investigation into the nature and behavior of dislocations with film thickness in (100) ZnTe/(100)GaAs heterostructures grown by Hot Wall Epitaxy (HWE). This film defects range from interface to 0.7 ${\mu}{\textrm}{m}$ thickness was high density, due to the large lattice mismatch and thermal expansion coefficients. The thickness of 0.7~1.8 ${\mu}{\textrm}{m}$ was exists low defect density. In the thicker range than 1.8 ${\mu}{\textrm}{m}$ thickness was measured hardly defects.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권5호
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• pp.223-228
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• 2002

$_ZnS{1-x}Te_x$삼원 화합물의 전 영역에서 상온 라만 스펙트럼을 연구하였다. 격자진동 모드가 두 방식의 거동을 보이고, Te 조성비 x에 따라 라만 선 모양의 비대칭성과 넓어짐이 변하였다. 선 모양의 비대칭성 넓어짐은 공간적인 상호관계(spatial correlation)모형을 이용하여 설명하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권2호
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• pp.180-184
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• 1999

수집 Bridgman 법을 이용하여 $Mg_{0.15}Zn_{0.85}Te$ 와 $Mg_{0.15}Zn_{0.85}Te:Co^{2+}$(0.001%) 단결정을 성장시켰다. 성장된 시료들에 대하여 광흡수 특성을 연구하였다. 광흡수결과 $Mg_{0.15}Zn_{0.85}Te$단결정에서는 exciton과 관련된 흡수 peak들이 나타났으며, 이 peak들은 온도증가와 함께 장파장쪽으로 이동하였고, 100K이상의 온도에서 excitionic band gap의 온도계수 $-5.8{\times}10^{-4}\;eV/K$eV/K 이었다. $Mg_{0.15}Zn_{0.85}Te$ : $Co^{2+}$단결정에서는 $Co^{2+}$이온에 기인된 $A-band:^4A_2(^4F) {\to}^4T_1(^4F),\; B-band:\; ^4A_2(^4F){\to}^4T_1(^4P)$의 intracenter 전이와 흡수단 부근에서 charge transfer에 기인한 photoionization transition에 관련된 C-band를 6--~770nmdnk 파장영역에서 관측하였다. 이들을 결정장 이론과 Lucovsky formular에 의해 결정장 매개변수와 Racah 매개변수, 전하이동 에너지 값을 결정하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제11권3호
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• pp.96-101
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• 2001

본 연구에서는 열벽 적층 성장법으로 GaAs(100) 기판 위에 $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ 에피층을 성장하여 그 특성을 조사하였다. $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ 에피층의 Mn 조성비는 x = 0.97까지 얻을 수 있었으며 성장된 시료의 결정구조는 징크브랜드이었다. 성장된 면은 GaAs (100) 기판과 동일한 방향으로 성장되었다. 성장시 기판 온도가 $350^{\circ}C$에서 $400^{\circ}C$로 증가함에 따라 Mn 조성비 x는 0.02에서 0.23으로 증가하였다. $Zn_{1-x}Mn_{x}Te$ 에피층의 격자상수는 Mn 조성비 x가 증가할수록 선형으로 증가하였고 띠 간격 에너지는 x에 대하여 비선형으로 증가하였다.