ZnO nanostructures were grown on an Au seed layer by a hydrothermal method. The Au seed layer was deposited by ion sputter on a Si (100) substrate, and then the ZnO nanostructures were grown with different precursor concentrations ranging from 0.01 M to 0.3M at $150^{\circ}C$ and different growth temperatures ranging from $100^{\circ}C$ to $250^{\circ}C$ with 0.3 M of precursor concentration. FE-SEM (field-emission scanning electron microscopy), XRD (X-ray diffraction), and PL (photoluminescence) were carried out to investigate the structural and optical properties of the ZnO nanostructures. The different morphologies are shown with different growth conditions by FE-SEM images. The density of the ZnO nanostructures changed significantly as the growth conditions changed. The density increased as the precursor concentration increased. The ZnO nanostructures are barely grown at $100^{\circ}C$ and the ZnO nanostructure grown at $150^{\circ}C$ has the highest density. The XRD pattern shows the ZnO (100), ZnO (002), ZnO (101) peaks, which indicated the ZnO structure has a wurtzite structure. The higher intensity and lower FWHM (full width at half maximum) of the ZnO peaks were observed at a growth temperature of $150^{\circ}C$, which indicated higher crystal quality. A near band edge emission (NBE) and a deep level emission (DLE) were observed at the PL spectra and the intensity of the DLE increased as the density of the ZnO nanostructures increased.
Kim, Kyung-A;Cha, Jae-Ryung;Gong, Myoung-Seon;Kim, Jong-Gyu
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.35
no.2
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pp.431-435
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2014
Zinc peroxide nanoparticles ($ZnO_2$ NPs) were prepared by reacting zinc(II) isobutylcarbamate, as an organometallic precursor, with hydrogen peroxide ($H_2O_2$) at $60^{\circ}C$. Polyethylene glycol and polyvinylpyrrolidone were used as stabilizers, which suppressed aggregation of the $ZnO_2$ NPs. Conditions such as concentrations of $H_2O_2$ and the stabilizer were systemically controlled to determine their effect on the formation of nano-sized $ZnO_2$ NPs. The formation of stable $ZnO_2$ NPs was confirmed by UV-vis, Raman spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, transmission electron microscopy (TEM), scanning electron microscopy (SEM), and X-ray diffraction. The TEM images revealed that polyvinylpyrrolidone-stabilized $ZnO_2$ NPs (diameter, 10-30 nm) were well dispersed in the organic solvent. Quite pure ZnO NPs were obtained from the peroxide powder by simple heat treatment of $ZnO_2$. The transition temperature of $170^{\circ}C$ was determined by differential scanning calorimetry.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.13
no.6
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pp.305-309
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2012
In this study, ZnO nanorods and $SnO_2$-CuO heterogeneous oxide were grown on membrane-type gas sensor platforms and the sensing characteristics for carbon monoxide (CO) were studied. Diaphragm-type gas sensor platforms with built-in Pt micro-heaters were made using a conventional bulk micromachining method. ZnO nanorods were grown from ZnO seed layers using the hydrothermal method, and the average diameter and length of the nanorods were adjusted by changing the concentration of the precursor. Thereafter, $SnO_2$-CuO heterogeneous oxide thin films were grown from evaporated Sn and Cu thin films. The average diameters of the ZnO nanorods obtained by changing the concentration of the precursor were between 30 and 200 nm and the ZnO nanorods showed a sensitivity value of 21% at a working temperature of $350^{\circ}C$ and a carbon monoxide concentration of 100 ppm. The $SnO_2$-CuO heterogeneous oxide thin films showed a sensitivity value of 18% at a working temperature of $200^{\circ}C$ and a carbon monoxide concentration of 100 ppm.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.101-101
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2010
ZnO shows a direct band gap of 3.37eV, large exciton binding energy (~60 meV), high oxidation ability, high sensitivity to many gases, and low cost, and it has been used in various applications such as transparent electrodes, light emitting diodes (LEDs), gas sensors and photocatalysts. Among these applications ZnO as photocatalyst has considerably attracted attention over the past few years because of its high activities in removing organic contaminants generated from industrial activities. In this research, ZnO nanoparticles were synthesized by spray-pyrolysis method using the zinc acetate dihydrate as starting material at synthesis temperature of $900^{\circ}C$ with concentration varied from 0.01 to 1.0M. The physical and chemical properties of the synthesized ZnO nanoparticles were examined by X-ray Diffraction (XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM), Fourier Transformation Infrared (FT-IR), and UV-vis spectroscopy. The Miller indices of XRD patterns indicate that the synthesized ZnO nanoparticles showed a hexagonal wurtzite structure. With increased precursor concentration, a primary, secondary particle sizes of ZnO nanoparticles increased by 0.8 to $1.5{\mu}m$ and 15 to 35nm, and their crystallinity was improved. Methyleneblue (MB) solution ($1{\mu}M$) as a test comtaminant was prepared for evaluating the photocatalytic activities of ZnO nanoparticles synthesized in different precursor concentration. The results show that the photocatalytic efficiency of ZnO nanoparticles was gradually enhanced by increased precursor concentration.
Kim, Jin-Ho;Lee, Mi-Jai;Hwang, Jonghee;Lim, Tae-Young
Korean Journal of Materials Research
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v.22
no.12
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pp.664-668
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2012
ZnO nanorods were successfully fabricated on Zn foil by chemical bath deposition (CBD) method. The ZnO precursor concentration and immersion time affected the surface morphologies, structure, and electrical properties of the ZnO nanorods. As the precursor concentration increased, the diameter of the ZnO nanorods increased from ca. 50 nm to ca. 150 nm. The thicknesses of the ZnO nanorods were from ca. $1.98{\mu}m$ to ca. $2.08{\mu}m$. ZnO crystalline phases of (100), (002), and (101) planes of hexagonal wurtzite structure were confirmed by XRD measurement. The fabricated ZnO nanorods showed a photoluminescene property at 380 nm. Especially, the ZnO nanorods deposited for 6 h in solution with a concentration of 0.005M showed a stronger (101) peak than they did (100) or (002) peaks. In addition, these ZnO nanorods showed a good electrical property, with the lowest resistance among the four samples, because the nanorods were densely in contact and relatively without pores. Therefore, a ZnO nanorod substrate is useful as a highly sensitive biochip substrate to detect biomolecules using an electrochemical method.
Park, Youngbin;Nam, Giwoong;Park, Seonhee;Moon, Jiyun;Kim, Dongwan;Kang, Hae Ri;Kim, Haeun;Lee, Wookbin;Leem, Jae-Young
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.47
no.4
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pp.198-203
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2014
ZnO nanorods have been deposited on ITO glass by electrodeposition method. The optimization of two process parameters (precursor concentration and current) has been studied in order to control the orientation, morphology, and optical property of the ZnO nanorods. The structural and optical properties of ZnO nanorods were systematically investigated by using field-emission scanning electron microscopy, X-ray diffractometer, and photoluminescence. Commonly, the results show that ZnO nanorods with a hexagonal form and wurtzite crystal structure have a c-axis orientation and higher intensity for the ZnO (002) diffraction peaks. Both high precursor concentration and high electrodeposition current cause the increase in nanorods diameter and coverage ratio. ZnO nanorods show a strong UV (3.28 eV) and a weak visible (1.9 ~ 2.4 eV) bands.
ZnO films have been deposited on oxide grown Si wafers by the conventional thermal evaporation method. Anhydrous zinc acetate was directly heated and sublimed in the laboratory-made brass boat. The substrates temperature varied from $200^{\circ}C$ to $600^{\circ}C$. Oxygen has been flowed into the deposition chamber to change the partial pressure of oxygen. The films deposited at high oxygen pressure exhibited higher resistivity than films at low pressure. X-Ray Diffraction(XRD), Energy Dispersive Spectroscopy(EDS) and Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS) were conducted on the films to reveal the crystallinity and composition of the ZnO films. The ZnO films deposited at high oxygen pressure were extremly sensitive to the humidity of higher than 70 % RH.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.143-143
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2013
DC Arc Plasmatron을 이용하여 대기압에서 ZnO 박막을 형성하였다. Zinc acetyl acetonate, diethylzinc, zinc power들을 precursor로 사용하여 박막을 형성하였다. 100 nm/min에 달하는 박막 형성 속도가 관측되었다. 기판의 온도와 압력, 플라즈마트론의 파워 등에 따라 박막은 amorphous와 poly-crystal 상을 나타내었다. XRD, SEM, XPS 등을 이용하여 박막의 특성을 조사하였고, 박막의 전기전도도를 증가시키기 위하여 수소분위기에서의 annealing 효과를 조사하였다.
The mechanism of formation of perovskite phase and the dielectric properties of PZMN[Pb(Zn, Mg)1/3Nb2/3O3] ceramics were examined using two different types of the columbite precursors, (Mg, Zn)Nb2O6 (MZN) and MgNb2O6+ZnNb2O6 (MN+ZN). The formatin of perovskite phase in PbO+MN+ZN system is characterized by an initial rapid formation of Mg-rich perovskite phase, followed by a sluggish formation of Zn-rich perovskite phase. On the other hand, thepyrochlore/perovskite transformation in the PbO+MZN system proceeded uniformly with a spatial homogeneity. The degree of diffuseness of the rhombohedral/cubic phase transitionis higher in the PbO+MN+ZN system than in the PbO+MZN specimen, indicating a broadened compositional distributjion of the B-site catons (Nb+5, Zn+2, Mg+2) in the PbO+MN+ZN system.
Metal oxide semiconductor (MOS) based on spray-pyrolysis deposition technique has attracted large attention due to simple and low-cost processibility while preserving their intrinsic optical and electrical characteristics. However, their high process temperature limits practical applications. Here, we demonstrated the nc-ZnO/ZnO field-effect transistors (FETs) via spray-pyrolysis as incorporating ZnO nanocrystalline nanoparticles into typical ZnO precursor. The nc-ZnO/ZnO FETs exhibit good quality of electrical properties. Our experiments reveal that nc-ZnO in active layer enhance electrical characteristics.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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