• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1597-1599
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• 2007

In TFT-LCD, mura is a defect which degrades the display quality. The resistance difference between gate lines is the main cause of H-Block mura. Two methods could eliminate this defect. A thinner gate layer or gate fan-out pattern decrease mura level. H-Block mura has been reduced after implementing the new schemes.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 1992년도 한국자동제어학술회의논문집(국내학술편); KOEX, Seoul; 19-21 Oct. 1992
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• pp.845-849
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• 1992

The disturbance and time delay can often cause a significant error in the estimation of trajectory of a underwater vehicle. The time delay considered in this study is due to the delayed rudder response to the rudder input from the guidance control part. The simulation tests are performed on maneuver with constant rudder angle, zigzag maneuver, dive-climb maneuver, and corridor pattern maneuver. The results are compared with those of without delay cases.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2000년도 추계학술대회논문집A
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• pp.426-431
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• 2000

A decoupled thermo-piezoelectric-mechanical model of composite laminates with surface bonded piezoelectric actuators, subjected to externally applied load, temperature change load, electric field load is developed. The governing differential equations are obtained by applying the principle of free energy and variational techniques. A higher order zigzag theory displacement field is employed to accurately capture the transverse shear and normal effects in laminated composite plates of arbitrary thickness.

• 한국복합재료학회:학술대회논문집
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• 한국복합재료학회 2000년도 추계학술발표대회 논문집
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• pp.46-49
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• 2000

A decoupled thermo-~lezoelectric-mechanical model of composite laminates with surface bonded piezoelectric actuators, subjected to externally applied load, temperature change load, electric field load is developed. The governing differential equations are obtained by applying the principle of free energy and variational techniques. A higher order zigzag theory displacement field is employed to accurately capture the transverse shear and normal effects in laminated composite plates of arbitrary thickness.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제2회(2013년)
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• pp.214-216
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• 2013

The atomic and electronic properties of molybdenum disurfide ($MoS_2$) nanostructures are investigated through density functional theory (DFT) calculations. We find that the band gap is indirect (about 1.79 eV) and direct (about 1.84 eV) in GGA for 2-dimensional $MoS_2$ in our calculations. On the other hand, 1-dimensional armchair nanoribbons have semiconductor properties (band gap is about 0.11~0.28 eV), while 1-dimensional zigzag nanoribbons are metallic.

• 분석과학
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• 제18권5호
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• pp.391-395
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• 2005

$[Cd(N_3)_2(2-ethylimidazole)_2]$ 착물을 합성하고 단결정 X-선 회절법으로 구조를 규명하였다. 이 착물은 단사정계, 공간군 Cc, a=16.200(3), b=12.926(3), $c=7.007(1){\AA}$, ${\beta}=102.29(3)^{\circ}$, $V=1433.7(5){\AA}^3$, Z=4로 결정화되었으며, 1874 개의 독립적인 회절반점에 대한 최종 신뢰도 인자 $R_1$ 및 ${\omega}R_2$ 값은 각각 0.0239 및 0.0604 이었다. Cd(II) 금속 원자는 4개의 azido 리간드와 2개의 2-ethylimidazole 리간드의 질소 원자가 배위되어 약간 찌그러진 팔면체 구조를 나타낸다. c 축 방향으로 배열되어 있는 Cd(II) 금속 원자 사이를 azido 리간드가 end-on (${\mu}-1$,1) 형태로 bridge 하고 2-ethylimidazole 리간드가 시스 형태로 결합하여 이 착물은 1차원의 zigzag 사슬 구조를 형성한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.300-300
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• 2012

본 연구에서는 음극 아크 방전을 이용하여 빗각 증착으로 단층 또는 다층 구조를 갖는 TiN 코팅층을 제작하여 미세구조 변화가 코팅층 물성에 미치는 영향을 확인하였다. TiN 박막은 아크 소스에 장착된 99.5%의 Ti 타겟을 사용하여 아르곤과 질소 가스의 혼합가스 분위기에서 기판으로 사용된 스테인레스 강판 위에 코팅하였다. 기판과 타겟 간의 거리는 30 cm이며, 기판은 알코올과 아세톤으로 초음파 세척을 실시한 후 진공챔버에 장착하고 ${\sim}10^{-6}$Torr가지 진공배기를 실시하였다. 진공챔버가 기본 압력까지 배기되면 아르곤 가스를 주입하고 아크 소스에 약 70A의 전류를 인가하여 아크를 발생시키고 기판 홀더에 약 -400 V의 직류전압을 인가하여 약 5분간 청정을 실시 하였다. 기판의 청정이 끝나면 기판에 인가된 전압을 차단하고 질소 가스를 진공챔버에 주입하여 TiN을 코팅하였다. 빗각 증착을 위한 기판의 회전각은 $45^{\circ}$와 $-45^{\circ}$이며, TiN 박막의 총 두께는 약 $3{\mu}m$로 동일하게 유지하였다. 빗각 증착으로 TiN을 코팅하면 기울어진 주상정 구조를 갖는 박막이 제조되는 것을 확인할 수 있었다. 빗각 증착을 실시하는 중에 기판 홀더에 약 -100 V의 전압을 인가하면 빗각 효과가 사라지며 기판에 수직한 주상정이 성장한다는 사실을 확인하였다. $45^{\circ}$의 빗각으로 코팅한 단층 TiN 박막은 $0^{\circ}$로 코팅한 박막보다 경도가 감소하는 경향을 보였으나 $45^{\circ}$와 $-45^{\circ}$로 번갈아 코팅한 다층 TiN 박막은 zigzag 구조가 관찰되었으며 $0^{\circ}$로 코팅한 단층 TiN 박막보다 경도가 증가하는 경향을 보였다. 빗각으로 zigzag 구조의 다층 TiN 박막을 코팅하는 공정에서 최상층이 코팅될 때 기판 홀더에 전압을 인가해서 기판에 수직한 코팅층을 형성하면 가장 높은 경도 증가를 보였다. 본 연구에서 얻어진 결과를 이용하여 다양한 형태의 박막 구조 제어가 가능하고 이러한 미세구조 제어를 통해서 박막의 물성도 제어가 가능할 것으로 판단된다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제33권10호
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• pp.3285-3292
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• 2012

The interaction of thiazole drug with (6,0) zigzag single-walled boron nitride nanotube of finite length in gas and solvent phases was studied by means of density functional theory (DFT) calculations. In both phases, the binding energy is negative and presenting characterizes an exothermic process. Also, the binding energy in solvent phase is more than that the gas phase. Binding energy corresponding to adsorption of thiazole on the BNNT model in the gas and solvent phases was calculated to be -0.34 and -0.56 eV, and about 0.04 and 0.06 electrons is transferred from the thiazole to the nanotube in the phases. The significantly changes in binding energies and energy gap values by the thiazole adsorption, shows the high sensitivity of the electronic properties of BNNT towards the adsorption of the thiazole molecule. Frontier molecular orbital theory (FMO) and structural analyses show that the low energy level of LUMO, electron density, and length of the surrounding bonds of adsorbing atoms help to the thiazole adsorption on the nanotube. Decrease in global hardness, energy gap and ionization potential is due to the adsorption of the thiazole, and consequently, in the both phases, stability of the thiazole-attached (6,0) BNNT model is decreased and its reactivity increased. Presence of polar solvent increases the electron donor of the thiazole and the electrophilicity of the complex. This study may provide new insight to the development of functionalized boron nitride nanotubes as drug delivery systems for virtual applications.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제22권4호
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• pp.31-36
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• 2015

전자소자의 다기능, 고밀도, 고성능, 그리고 소형화는 전자 패키지 기술에 초미세 피치 플립 칩, 3D 패키지, 유연 패키지, 등 새로운 기술 패러다임 전환을 가져왔으며, 이로 인해 패키지 된 칩의 열 관리는 소자의 성능을 좌우하는 중요한 요소로 대두되고 있다. Heat sink, heat spreader, TIM, 열전 냉각기, 등 많은 소자 냉각 방법들 중 본 연구에서는 냉매를 이용한 on-chip 액체 냉각 모듈을 Si 웨이퍼에 제작하고, 마이크로 채널 디자인에 따른 냉각 효과를 분석하였다. 마이크로 채널은 딥 반응성 이온 에칭을 이용하여 형성하였고, 3 종류 디자인(straight MC, serpentine MC, zigzag MC)으로 제작하여 마이크로 채널 디자인이 냉각 효율에 미치는 영향을 관찰하였다. 가열온도 $200^{\circ}C$, 냉매 유동속도 150 ml/min의 경우에서 straight MC가 약 $44^{\circ}C$의 높은 냉각 전후의 온도 차를 보였다. 냉매의 흐름과 상 변화는 형광현미경으로 관찰하였으며, 냉각 전후의 온도 차는 적외선현미경을 이용하여 분석하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.185.2-185.2
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• 2014

We have studied the atomic and electronic structure of graphene nanoribbons (GNRs) on a hexagonal boron nitride (h-BN) sheet with intercalated atoms using first-principles calculations. The h-BN sheet is an insulator with the band gap about 6 eV and then it may a good candidate as a supporting dielectric substrate for graphene-based nanodevices. Especially, the h-BN sheet has the similar bond structure as graphene with a slightly longer lattice constant. For the computation, we use the Vienna ab initio simulation package (VASP). The generalized gradient approximation (GGA) in the form of the PBE-type parameterization is employed. The ions are described via the projector augmented wave potentials, and the cutoff energy for the plane-wave basis is set to 400 eV. To include weak van der Waals (vdW) interactions, we adopt the Grimme's DFT-D2 vdW correction based on a semi-empirical GGA-type theory. Our calculations reveal that the localized states appear at the zigzag edge of the GNR on the h-BN sheet due to the flat band of the zigzag edge at the Fermi level and the localized states rapidly decay into the bulk. The open-edged graphene with a large corrugation allows some space between graphene and h-BN sheet. Therefore, atoms or molecules can be intercalated between them. We have considered various types of atoms for intercalation. The atoms are initially placed at the edge of the GNR or inserted in between GNR and h-BN sheet to find the effect of intercalated atoms on the atomic and electronic structure of graphene. We find that the impurity atoms at the edge of GNR are more stable than in between GNR and h-BN sheet for all cases considered. The nickel atom has the lowest energy difference of ~0.2 eV, which means that it is relatively easy to intercalate the Ni atom in this structure. Finally, the magnetic properties of intercalated atoms between GNR and h-BN sheet are investigated.