Changes in phase and microstructure were investigated in the SiC-AlN ceramics prepared by pressureless sintering using yttrium aluminum garnet (YAG) as a sintering aid at 200$0^{\circ}C$ and 210$0^{\circ}C$. The SiC/AlN ratio made a remarkable difference in densification, phase relations and the morphology of grains. In the AlN-rich composition, major phase was 2H and microstructure was composed of the densified equiaxed grains irrespective of the sintering temperatures. While those sintered at 200$0^{\circ}C$ were porous with major phase being 3C, the rod-like and the equiaxed grains were coexisted when sintered at 210$0^{\circ}C$ in the SiC-rich composition.
Composites of SiC-Si3N4 consisted of uniformly distributed elongated $\beta$-Si3N4 grains and equiaxed $\beta$-SiC grains were fabricated with $\beta$-SiC,. $\alpha$-Si3N4 Al2O3 and Y2O3 powders. By hot-pressing and subsequent annelaing elongated $\beta$-Si3N4 grains were grown via$\alpha$longrightarrow$\beta$ phase transformation and equiaxed $\beta$-Si3N4 composites increased with increasing the Si3N4 content owing to the reduced defect size and enhanced crack deflection by elongated $\beta$-Si3N4 grains and the grain boundary strengthening by nitrogen incorporation. Typical flexural strength and fracture toughness of SiC-40 wt% Si3N4 composites were 783 MPa and 4.2 MPa.m1/2 respectively.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.08a
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pp.246-247
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2000
Yb$^{3+}$ 이온은 InGaAs LD 및 Ti:sapphire 레이저로 펌핑할 수 있는 940 nm에서의 흡수대를 가지고 있고, 1.03 $mu extrm{m}$의 형광방출 특성을 가지고 있으며, 지금까지 알려진 1 $\mu\textrm{m}$ 파장대의 레이저 활성이온 중에서 가장 적게 열을 발생하는 특성을 가지고 있음이 알려져 최근에는 Yb$^{3+}$ 이온을 첨가한 여러 가지 레이저 매질이 연구되고 있다.[1] 그 중에서도 Yb$^{3+}$ ion doped yttrium aluminum garnet (Yb:YAG) 단결정은 충분하게 넓은 흡수선폭, 좋은 열광학적 특성, 고출력 작동을 하게 하는 stokes shift, 그리고 LD에 의한 펌핑을 가능하게 하는 940 nm 영역에서의 흡수 및 긴 여기시간을 가진 이상적인 매질로 알려져 있다.[2] 이러한 특성으로 인해 Yb:YAG 단결정은 femtosecond 레이저 등 각종 레이저 시스템의 소형화[3]를 가져왔으며, 레이저 결정의 양산 가능성 및 레이저 기기의 소형화에 따르는 시스템의 가격 감소가 가능하므로 Yb:YAG microchip 레이저는 향후 고출력 레이저 기기 산업의 중추가 될 것으로 기대된다. (중략)
Lee, Hae-Jin;Lee, Seung Hun;Yoon, So Young;Kim, Youn Jin;Kim, Young Koo
Medical Lasers
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v.8
no.1
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pp.32-34
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2019
Postinflammatory hyperpigmentation (PIH) is a reactive hypermelanosis of the skin that occurs as a result of variable inflammatory processes, such as trauma, and many inflammatory conditions. Although a range of modalities of managing PIH have been reported, the treatment of PIH is challenging. In this report, a patient with PIH was treated using picosecond-domain Nd:YAG lasers. After three sessions of 1,064-nm picosecond-domain Nd:YAG laser treatment, the patient showed almost complete improvement with no remarkable side effects or recurrence over the duration of six months. Overall, 1,064-nm picosecond-domain Nd:YAG laser can be used effectively and safely for treating pigmented lesions in the dermis, particularly PIH, in Asian patients.
Yttrium Aluminum Garnet (YAG) powders were prepared by precipitation of Y hydroxides during milling of alumina powders. The powder calcined at 1200$^{\circ}C$ for 4 h contained a small amount of Yttrium Aluminum Monoclinic (YAM) in addition to YAG. However, phase-pure YAG was obtained in the compact of the milled powder with an average particle size of 0.57 ${\mu}$m at 1300$^{\circ}C$, which is much lower than those (l500∼1600$^{\circ}C$) for a mixed oxide method. The powder was found to exhibit an excellent sinterability regardless of the addition of a sintering aid, SiO$_2$(350 ppm Si). The undoped sample were sintered to a relative density of 98% at l600$^{\circ}C$. In contrast, the addition of SiO$_2$ caused a considerable densification to occur at 1500$^{\circ}C$ and the relative density reached 97.7%. But the sintering aid had little effect on the densification at 1600$^{\circ}C$, showing a similar relative density to the undoped sample.
${\alpha}-SiC$ powder with or without the addition of 0.1 wt% of large ${\alpha}-SiC$ partices(seeds) was pressureless-sintered at $1950^{\circ}C$ for 0.5, 2, and 4 h using $Y_3Al_5 O_{12}$ (yttrium aluminum garnet, YAG) as a sintering aid. The materials without seeds had an equiaxed grain struture. In contrast, the materials with seeds sintered for 2 and 4 h had a duplex microstructure with large elongated grains and amall equiaxed grains. Addition of large ${\alpha}-SiC$ seeds into ${\alpha}-SiC$ accelerated the grain growth of some ${\alpha}-SiC$ grains during sintering and resulted in the increased fracture toughness of the sintered materials. The fracture toughnesses of materials with or without seeds sintered for 4 h were 6.6 and $5.2 MPa \;m^{12}$, respectively.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.406-407
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2008
For this study, Yttrium aluminum garnet (YAG) particles doped $Eu^{3+}$ ions were prepared via the combustion process using the 1:1 ratio of metal ions to reagents. The characteristics of the synthesized nano powder were investigated by means of X-ray diffraction (XRD), Scanning Electron Microscope (SEM), and photoluminescence (PL). The various YAG peaks, with the (420) main peak, appeared at all sintering temperature XRD patterns. The YAG phase crystallized with results that are in good agreement with the JCPDS diffraction file 33-0040. The SEM image showed that the resulting YAG:Eu powders had larger sizes with the increse in the sintering temperature. The grain size was about 50nm at $1000^{\circ}C$. The PL intensity of $Eu^{3+}$ has the line peaks of 598, 610, 632nm and has main peak at 591nm.
Trivalent cerium$(Ce^{3+})$ activated YAG (yttrium aluminum garnet, $Y_3Al_5O_{12})$) thin films phosphor were deposited on quartz glass substrates by rf magnetron sputtering. The effects of sputtering parameters, annealing atmosphere, and substrates on growing behaviors and luminescent properties were investigated. The sputtering parameters were $O_2/(Ar+O_2)$ gas ratio, rf power, and deposition time. XRD (X-ray diffractometery) spectra exhibited that as-deposited films were amorphous, while they were transformed to the crystalline phases by post-annealing. The crystallinity and the atomic ratio strongly depended on the sputtering gas ratio $O_2/(Ar+O_2)$. High quality YAG:Ce thin films could be obtained at the gas ratio of $50\%$ oxygen. After annealing process, PL (Photoluminescence) spectra excited at 450nm showed a yellow single band at 550nm. The films deposited at the sputtering gas ratio of 50% oxygen exhibited the highest PL intensity.
YAG (Yttrium Aluminum Garnet, Y3Al5O12) has excellent plasma resistance and recently has been used as an alternative to Y2O3 as a chamber coating material in the semiconductor process. However, due to the presence of an impurity phase and difficulties in synthesis and densification, many studies on YAG are being conducted. In this study, YAG powder is synthesized by an organic-inorganic complex solution synthesis method using PVA polymer. The PVA solution is added to the sol in which the metal nitrate salts are dissolved, and the precursor is calcined into a porous and soft YAG powder. By controlling the molecular weight and the amount of PVA polymer, the effect on the particle size and particle shape of the synthesized YAG powder is evaluated. The sintering behavior of the YAG powder compact according to PVA type and grinding time is studied through an examination of its microstructure. Single phase YAG is synthesized at relatively low temperature of 1,000 ℃ and can be pulverized to sub-micron size by ball milling. In addition, sintered YAG with a relative density of about 98 % is obtained by sintering at 1,650 ℃.
Yttrium aluminum garnet, $Y_3Al_5O_{12}$ (YAG) is an extensively used solid-state laser host material. YAG nanocrystals were synthesized using low-temperature glycol method, a modified sol-gel method performed at low temperature that consists of a mixture of salts that are mostly nitrates in an aqueous media. Single-phase nanocrystalline YAG was obtained at $850^{\circ}C$, which is a much lower temperature than with other techniques such as a wet-chemical technique. The structural characterization is done by powder X-ray diffraction, scanning electron microscopy and transmission electron microscopy. A crystallite size range of 20-50 nm was observed for the materials prepared at $850-950^{\circ}C$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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