• Development and Reproduction
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• v.15 no.3
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• pp.187-195
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• 2011

X chromosome inactivation (XCI) is a process that enables mammalian females to ensure the dosage compensation for X-linked genes. Investigating the mechanism of XCI might provide deeper understandings of chromosomal silencing, epigenetic regulation of gene expressions, and even the course of evolution. Studies on mammalian XCI conducted with mice have revealed many fundamental findings on XCI. However, difference of murine and human XCI necessitates the further investigation in human XCI. Recent success in reprogramming of differentiated cells into pluripotent stem cells showed the reversibility of XCI in vitro, X chromosome reactivation (XCR), which provides another tool to study the change in X chromosome status. This review summarizes the current knowledge of XCI during early embryonic development and describes recent achievements in studies of XCI in reprogramming process.

• Korean Journal of Microbiology
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• v.24 no.4
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• pp.406-410
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• 1986

The isolation and charateriation of a type II restriction endonuclease from Xanthomonas citri IFO 3835 were described. This enzyme (Xci I endonuclease) is an isoschizomer of Sal I endonuclease recognizing 5'-GTCGAC-3' and cleaving at the site indicated by the arrow. Unlike Sal I endonuclease, Xci I endonuclease requries a NaCl concentration of 50mM for its maximum activity.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.5 no.4
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• pp.397-404
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• 1995

반도체 세정공정에서 염기성 세정액(SCI, Standard cleaning 1, $NH_{4}$OH + $H_{2}$O_{2}$ + $H_{2}$O)은 공정상 발생되는 여러 오염물 중 파티클의 제거를 위해 널리 사용되고 있는데, SCI 조성중 $NH_{4}$OH양에 따라 세정 중 실리콘의 식각속도를 증가시킨다. 이 연구에서는 SCI 세정이 CZ(Czochralski)와 에피 실리콘 기판 표면에 미치는 영향을 단순세정과 연속적인 산화-HF 식각-SCI 세정공정을 통해 관찰되었다. CZ와 에피 기판을 8$0^{\circ}C$의 1 : 2 : 10과 1 : 1 : 5 SCI 용액에서 60분까지 단순 세정을 했을 때 laser particle scanner와 KLA사의 웨이퍼 검색장치로 측정된 결함의 수는 세정시간에 따라 변화를 보이지 않았다. 그러나 CZ와 에피 기판을 10분간 SCI 세정후 90$0^{\circ}C$에서 산화 HF식각공정을 4번까지 반복하였을 때 에피 기판 표면의 결함수는 감소하는 반면에 CZ기판에서는 직선적으로 증가하였다. 반복적인 산화-HF 식각-XCI 세정공정을 통해 생성된 CZ기판 표면의 결함은 크기가 0.7$\mu$m 이하의 pit과 같은 형상을 보여주었다. 이들 결함은 열처리 중 CZ 기판내와 표면에 산화 석출물들이 형성, 반복적인 HF 식각-SCI 세정공정을 통해 다른 부위에 비해 식각이 빨리 일어나 표면에 생성되는 것으로 여기어 진다.