Measurements of interface states in a MOS capacitor by DLTS system using wideband monophase lock-in amplifier are discussed. A new signal analysis method that takes into account the bias pulse width and the gate off width is presented to remove the errors in the measured parameters of interface states resulting from the traditional method which neglects the effect of those widths. Theoretical calculations are made for the parameters related to the rate window, signal to noise ratio, and the energy resolution. On the grounds of this discussion, interface states of the MOS capacitor on p-type substrate of (110) orentation are measured with the optimal gate-off width with respect to the S/N ratio and the energy resolution. The results are interface state density of the order of 10**10 (cm-\ulcornereV**-1) to 10**11 (cm-\ulcornereV**-1) in the energy range of Ev+0.15(dV) to Ev+0.5(eV), and constant capture cross section of the order of 10**-16 (cm\ulcorner.
본 논문에서는 서브샘플링 기법을 이용한 직접변환 수신단에 이용할 수 있는 광대역 증폭기와 높은 Q-factor 값을 가지는 대역통과 필터(BPF) 회로를 0.18um CMOS 공정을 이용하여 구현하였다. 광대역 증폭기는 5.4GHz의 대역폭 및 12dB의 파워 이득 특성을 가지며, 대역통과필터는 2.4GHz Bluetooth 규격에서 동작할 수 있도록 설계하였다. RF 신호가 안테나를 통해 광대역 증폭기와 BPF를 통과한 후의 주파수응답 측정결과를 살펴보면, 2.34GHz에서 18.8dB의 파워이득파 31MHz의 대역폭을 갖는다. 이는 대역통과 필터의 Q-factor 값이 75로써 매우 높은 선택도(selectivity) 특성을 나타낸다. 또한, 전체 칩은 8.6dB의 noise-figure 특성과 대역폭 내에서 -12dB 이하의 입력 임피던스 매칭 (S11) 특성을 보이며, 전력소모는 1.8V 단일 전원전압으로부터 64.8mW 이고, 칩 면적은 $1.0{\times}1.0mm2$ 이다.
GaAs FET초고주파 증폭기의 DC 블럭용으로 사용되는 칩 커페시터 대신 DC블럭 및 임피던스 변환 성질을 가진 DC block/transformer(비대칭 2선 마이크로스트립 선로 및 까지낀 3선 마이크로스트립 선로)를 사용한 초고주파 증폭기의 새로운 구성 방법을 제시하였다. 새로운 구성을 갖는 초고주파 증폭기의 대역 특성은 평탄하며 대역폭이 3.5(BHz)인 광대역 특성을 얻으 수 있었다. 초고주파 증폭기에 사용된 깍지낀 3선 마이크로스트리 결합 선로는 DC블럭 기능과 함께 임피던스 정합 역할을 할 수 있는 큰 장점을 가지고 있다.
The optical fibers are an interesting medium for effective tunable optical frequency conversion in the spectral range of UV, Visible, and near-IR through the nonlinear processes. A number of papers for developing the wideband and flat-gain amplifier for the WDM system applications through the combination of EDFA or thulium-doped fluoride fiber amplifier and Raman amplifier, are reported$^{(1)}$ . Even though a variety of papers related to Raman amplifications are published, the amplification with the feedback of the residual pump is not investigated yet. Accordingly, in this paper, we report the characteristics of forward Raman amplification by the simple and double-pass fiber Raman configuration through the feedback of residual pump beam. (omitted)
Journal of electromagnetic engineering and science
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제16권1호
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pp.52-56
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2016
This paper suggests a class-F power amplifier with split open-end stubs to provide a broadband high-efficiency operation. These stubs are designed to have wide bandwidth by splitting wide open-end stubs into narrower stubs connected in shunt in an output matching network for class-F operation. In contrast to conventional wideband class-F designs, which theoretically need a large number of matching lines, this method requires fewer transmission lines, resulting in a compact circuit implementation. In addition, the open-end stubs are designed with slant ends to achieve additional wide bandwidth. To verify the suggested design, a 10-W class-F power amplifier operating at 1.7 GHz was implemented using a commercial GaN transistor. The measurement results showed a peak drain efficiency of 82.1% and 750 MHz of bandwidth for an efficiency higher than 63%. Additionally, the maximum output power was 14.45 W at 1.7 GHz.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제15권2호
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pp.63-75
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2015
The CMOS power amplifier (PA) is a promising solution for highly-integrated transmitters in a single chip. However, the implementation of PAs using the CMOS process is a major challenge because of the inferior characteristics of CMOS devices. This paper focuses on improvements to the efficiency and linearity of CMOS PAs for modern wireless communication systems incorporating high peak-to-average ratio signals. Additionally, an envelope tracking supply modulator is applied to the CMOS PA for further performance improvement. The first approach is enhancing the efficiency by waveform engineering. In the second approach, linearization using adaptive bias circuit and harmonic control for wideband signals is performed. In the third approach, a CMOS PA with dynamic auxiliary circuits is employed in an optimized envelope tracking (ET) operation. Using the proposed techniques, a fully integrated CMOS ET PA achieves competitive performance, suitable for employment in a real system.
Data analysis methods in lock-in amplifier based DLTS systems were discussed with regards to the signal-to-noise ratio and improvement of resolution of DLTS spectrum. The DLTS system based on wideband two-phase lock-in amplifier is shown to be the most preferabe for the studies in deep levels of low concentration. A single-temperature scanning DLTS methods in lock-in amplifier based system with the improved sensitivity is proposed. The method is tested on the characterization of deep levels in n-GaAs.
본 논문에서는 3~5 GHz의 동작 주파수를 가지는 0.18-${\mu}m$ CMOS 저전력/광대역 저잡음 증폭기 구조를 제안한다. 제안하는 광대역 저잡음 증폭기는 광대역 입력 정합, 발룬 기능, 그리고 우수한 노이즈 특성을 얻기 위해 노이즈 제거 회로 구조를 채택하였다. 특히, 2차 LC-대역 통과 필터를 증폭기의 부하로 구현함으로써 기존에 발표된 문헌들보다 최소 전력을 소모하면서 높은 전력 이득과 낮은 잡음 지수를 얻을 수 있었다. 본 논문에서 제안하는 저잡음 증폭기는 1.8 V 공급 전압으로부터 단지 3.94 mA의 전류를 소모하며, 모의 실험 결과, 3~5 GHz UWB 대역에서 전력 이득은 최소 +17 dB 이상, 잡음 지수는 최대 +4 dB 이하, 그리고 입력 IP3는 -15.5 dBm을 가진다.
본 논문에서는 디지털 위성방송을 수신하기 위하여 Ku-대역 광대역 하향변환기를 설계하였다. 설계된 저 잡음 하향변환기는 잡음 정합에 의한 3단 저 잡음 증폭회로와 10.7~12.75 GHz의 입력신호를 VCO-PLL에 의한 저 위상잡음을 나타내는 4개의 국부발진주파수(9.75, 10, 10.75 및 11.3 GHz)를 형성하고, 디지털 제어에 의하여 4-대역의 IF 주파수 채널을 선택할 수 있도록 설계하였다. 개발한 저 잡음 하향 변환기의 전체 변환이득 64 dB, 저 잡음 증폭기의 잡음지수는 0.7 dB, 출력신호의 P1dB는 15 dBm, band 1 반송주파수 9.75 GHz에서 위상잡음은 -85 dBc@10 kHz를 나타내었다. 설계한 광대역 디지털 위성방송용 하향변환기(LNB)는 국제적으로 이동하는 선박 등의 위성방송용으로 사용가능하다.
본 논문에서는 ${\lambda}/4$ 임피던스 변환기를 피킹 증폭기 뒷단에 배치하고, 주 증폭기와 피킹 증폭기가 서로 다른 비대칭 구조의 도허티 증폭기 만들어 효율을 개선시키는 방법을 제시하였다. 이러한 구조는 다단 도허티 증폭기 구현 시 작은 크기로 구현이 가능하며, 기존의 전기적 특성과 동일함을 시뮬레이션을 통해서 확인하였다. 이러한 구조를 갖는 전력 증폭기를 제작하였으며, W-CDMA 기지국 송신 대역에서 IFA 신호를 인가하였을 때, 45W 출력 기준으로 8dB 백-오프 지점에서 26.3%의 전력부가효율을 얻었고, 중심 주파수에서 ${\pm}5MHz$이격 지점 에서 -40.4dBc의 인접채널 누설비 (Adjacent Channel Leakage Power : ACLR)를 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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