KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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v.11
no.12
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pp.5745-5758
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2017
In this paper, we develop a simple but very effective 4 by 4 Multiple-Input Multiple-Output (MIMO) antenna system for mobile phones consisting of different types of antennas to achieve low correlation property at the frequency ranges of 1710 to 2170 MHz, which covers wide LTE service bands, from band 1 to band 4. The proposed antenna system consists of two pair of antennas. Each pair consists of a planar inverted-F antenna (PIFA) and a coupling antenna which has the property of the loop. The use of two different antenna types of IFA and a coupling achieves high isolation. Proposed antenna system occupies relatively small area and positions at the four corners of a printed circuit board. The gap between the two antennas is 4 mm, in order to realize the good isolation performance. To evaluate the performance of our proposed antenna system, we perform various experiments. The proposed antenna shows a wide operating bandwidth greater than 460 MHz with isolation between the feeding ports higher than 17.5-dB. It also shows that the proposed antenna has low Envelop Correlation Coefficient (ECC) values smaller than 0.08 over the all desired frequency tuning ranges.
Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
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2000.06a
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pp.1273-1279
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2000
A new concept of piezoelectric smart panels for noise reduction in wide band frequencies is proposed and their possibility is experimentally investigated. The proposed panels are based on active and passive methods. They use piezoelectric smart structure technology for active noise reduction at low band frequencies and passive sound absorbing materials for mid-range of noise frequencies. To prove the concept of piezoelectric smart panels, an acoustic measurement experiment was performed. The smart panels exhibit a good noise reduction in middle and high frequency ranges due to the mass effects of absorbing materials or/and the air gap. The use of piezoelectric smart panel renders noise reduction large at resonance frequency. Another concept of smart panel that uses piezoelectric damping is experimentally investigated. Since piezoelectric dampings can reduce vibration and noise at resonance frequencies with simple shunt circuit, they have merits in terms of economy and simplicity. Dissipated energy method(DEM) is adopted to tune the shunt circuit precisely in piezoelectric dampings. Noise reduction at multiple resonance frequencies is demonstrated.
$Cu(In_{1-x}Ga_{x})Se_2$(CIGS)는 매우 큰 광흡수계수를 가지고 있으므로 박막형 태양전지의 광흡수층 재료로서 많은 연구가 진행되고 있다. 박막이 태양전지의 광흡수층으로 이용되기 위해서는 큰 결정크기와 평탄한 표면, 적당한 전기적 특성을 가져야 한다. 이러한 특성들은 CIGS 박막의 조성에 큰 영향을 받고 있는 것으로 보고되고 있다. 본 연구에서는 동시증발법을 이용하여 Cu/(In+Ga) 비를 0.9로 고정한 후 Ga 조성(Ga/(In+Ga)의 비 : 0.32, 0.49, 0.69, 0.8, 1)을 변화시켜 Wide band gap CIGS 박막태양전지를 만들었다. 기판은 soda line glass를 사용하였고 뒷면 전극으로는 Mo를 스퍼터링법으로 증착하였다. 또한 버퍼층으로는 기존에 쓰이고 있는 CdS를 CBD(Chemical Bath Deposition)법으로 층착시켰으며, 윈도우층으로는 i-ZnO/n-ZnO를 스파터링 법으로 층착하였다. 그리고 앞면전극으로는 Al을 E-beam 으로 증착하였다. 분석은 XRD, SEM, QE로 분석하였다. 위 실험에서 얻은 결과로는 Ga/(In+Ga)비가 증가할수록 Cu(In,Ga)Se2 박막은 회절 peak들이 큰 회절각으로 이동하였고, 이것은 Ga 원자와 In 원자의 원자반경의 차이에서 기인된 것으로 사료된다. 또한 Ga 조성이 증가할수록 단파장 쪽으로 이동하는 것을 볼 수 있으며, Voc가 증가하다가 에너지 밴드캡이 1.62 eV 이상에서는 Voc가 감소하는 것을 볼 수 있는데 이것은 Ga 조성이 증가할수록 에너지 밴드캡이 커지면서 defect level 이 존재하기 때문인 것으로 사료된다. Ga/(In+Ga)비가 1일 때의 변환효율은 8.5 %이고, Voc : 0.74 (V), Jsc : 17.2 ($mA/cm^{2}$), F.F : 66.6(%) 이다.
This research was worked about $Ga_2O_3$ Epi wafer that was one of the mose wide band gap semiconductors to be used power semiconductor industry. This wafer was grown $5.3{\mu}m$ thickness on Sn doped $Ga_2O_3$ Substrate by HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy). Generally, we can fabricate 600V class power semiconductor devices when the thickness of compoound power semiconductor is $5{\mu}m$. but in case of $Ga_2O_3$ Epi wafer, we can obtain over 1000V class. As a result of J-V measurment of the grown $Ga_2O_3$ Epi wafer, we obtain $2.9-7.7m{\Omega}{\cdot}cm^2$ on resistance. Specially, in case of reverse, we comfirmed a little leakage current when the reverse voltage is over 200V.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.66
no.4
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pp.659-665
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2017
Power semiconductor devices required the low on-resistance and high breakdown voltage. Wide band-gap materials opened a new technology of the power devices which promised a thin drift layer at an identical breakdown voltage. The diamond had the wide band-gap of 5.5 eV which induced the low power loss, high breakdown capability, low intrinsic carrier generation, and high operation temperature. We investigated the p-type pseudo-vertical diamond Schottky barrier diodes using a numerical simulation. The impact ionization rate was material to calculating the breakdown voltage. We revised the impact ionization rate of the diamond for adjusting the parallel-plane breakdown field at 10 MV/cm. Effects of the field plate on the breakdown voltage was also analyzed. A conventional diamond Schottky barrier diode without field plate exhibited the high forward current of 0.52 A/mm and low on-resistance of $1.71{\Omega}-mm$ at the forward voltage of 2 V. The simulated breakdown field of the conventional device was 13.3 MV/cm. The breakdown voltage of the conventional device and proposed devices with the $SiO_2$ passivation layer, anode field plate (AFP), and cathode field plate (CFP) was 680, 810, 810, and 1020 V, respectively. The AFP cannot alleviate the concentration of the electric field at the cathode edge. The CFP increased the breakdown voltage with evidences of the electric field and potential. However, we should consider the dielectric breakdown because the ideal breakdown field of the diamond is higher than that of the $SiO_2$, which is widely used as the passivation layer. The real breakdown voltage of the device with CFP decreased from 1020 to 565 V due to the dielectric breakdown.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.11
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pp.910-915
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2012
We studied the emission characteristics of white phosphorescent organic light-emitting diodes (PHOLEDs), which were fabricated using a two-wavelength method. The best blue emitting OLED and red emitting OLED characteristics were obtained at a concentration of 12 vol.% FIrpic and 1 vol.% $Bt_2Ir$(acac) in UGH3, respectively. And the optimum thickness of the total emitting layer was 25 nm. To optimize emission characteristics of white PHOLEDs, white PHOLEDs with red/blue/red, blue/red, red/blue and co-doping emitting layer structures were fabricated using a host-dopant system. In case of white PHOLEDs with co-doping structure, the best efficiency was obtained at a structure UGH3: 12 vol. % FIrpic: 1 vol.% $Bt_2Ir$(acac) (25 nm). The maximum brightness, current efficiency, power efficiency, external quantum efficiency, and CIE (x, y) coordinate were 13,430 $cd/m^2$, 40.5 cd/A, 25.3 lm/W, 17 % and (0.49, 0.47) at 1,000 $cd/m^2$, respectively.
Yoon, Hyunsik;Kim, Ikhyun;Kang, Daeho;Kim, Soaram;Kim, Jin Soo;Son, Jeong-Sik;Leem, Jae-Young
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.204.2-204.2
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2013
Wide band gap II-VI semiconductors have attracted the interest of many research groups during the past few years due to the possibility of their applications in light-emitting diodes and laser diodes. Among the II-VI semiconductors, ZnO is an important optoelectronic device material for use in the violet and blue regions because of its wide direct band gap (Eg ~3.37 eV) and large exciton binding energy (60 meV). F-doped ZnO (FZO) and undoped ZnO thin films were grown onto quartz substrate by the sol-gel spin-coating method. The doping level in the solution, designated by F/Zn atomic ratio of was varied from 0 to 5 in 1 steps. To investigate the effects of the structure and optical properties of FZO thin films were investigated using X-ray diffraction (XRD), UV-visible spectroscopy, and photoluminescence (PL). In the XRD, the residual stress, FWHM, bond length, and average grain size were changed with increasing the doping concentration. For the PL spectra, the high INBE/IDLE ratio of the FZO thin films doping concentration at 1 at.% than the other samples.
Journal of electromagnetic engineering and science
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v.18
no.4
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pp.261-266
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2018
This paper reports on the proposed design of a low profile broadband array antenna for home repeater applications. The proposed antenna consists of $1{\times}4$ patch elements and two ground planes, one of which is slitted. By using the gap feeding method, the impedance matching of the antenna is improved by a multi-resonance phenomenon. The proposed antenna provides a wide -10 dB reflection coefficient bandwidth simultaneously covering the Global System for Mobile communications (GSM-1800), Personal Communications Service (PCS), and the Universal Mobile Telecommunication System (UMTS) bands (1.67-2.32 GHz). In order to reduce the mutual coupling between adjacent patch elements, slits are embedded in the ground plane. An isolation level of -20 dB is realized over the entire operating frequency band.
Jang, Yun-Jung;Amal, M. Ikhlasul;Alfaruqy, M. Hilmy;Kim, Kyoo Ho
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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2010.06a
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pp.86.1-86.1
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2010
Cu2ZnSnSe4는 CIS 태양전지의 In 대체 물질계로 주목을 받고 있는 저가형 태양전지 재료로 장차 차세대 태양전지 재료로 응용이 기대되고 있다. 그러나 에너지 밴드갭이 0.9~1.1eV로 다소 낮아 태양전지 광흡수층 재료로 사용하기 위해서는 wide band gab화 처리가 필요하다. 본 연구에서는 CZTSe에 S를 첨가하여 에너지 밴드갭을 확장하고자 하며, S의 첨가가 CZTSe 박막의 특성에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 실험의 편의성을 도모하고자 펄스레이저 법을 사용하여 증착하였다. 박막 조성 제어에는 Cu, Zn, Sn, Se, S 분말을 볼밀로 분쇄, 혼합하여 균질 혼합상 프리커서를 제조하고 이를 Cold Isostatic Press(CIP) 성형하여 Source target을 사용하였다. Pulsed YAG-Laser를 사용하여 soda lime glass상에 증착하고 조성, 구조, 조직을 관찰하고 에너지 밴드갭, 광흡수계수, 면저항, 전하밀도 등 특성을 조사하였다.
Journal of electromagnetic engineering and science
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v.7
no.3
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pp.116-121
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2007
Novel design of a wideband monopole antenna for DVB-H service is presented. The proposed antenna is designed based on a monopole antenna. It consists of folded monopole and parallel parasitic element. The folded segment of the folded monopole makes the antenna shorter. The length of the parasitic element obtains additional resonance frequencies. The gap distance between the folded monopole and the parasitic element is a key parameter to control impedance matching for wideband operation. The antenna has wide band performance, good impedance and radiation characteristics from 470 MHz to 870 MHz. The measured return loss for operating frequencies over DVB-H band is better than 10 dB. Good radiation patterns are also obtained. The measured results are compared with calculated results using Ansoft HFSS(High Frequency Structure Simulator).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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