본 논문에서는 CPW(Coplanar waveguide)-to-microstrip right-angled 전이 구조에 대해서 해석하였다. 일반적으로 비대칭적인 CPW-to-microstrip 전이 구조는 불연속점에서 발생한 slot모드로 인해 심각한 공진이 발생한다. 공진 발생을 억제하기 위해서 일반적으로 많이 사용하는 air-bridge는 공진 발생을 근본적으로 제거시키지 못하고, 단지 공진 주파수만 이동시킨다. 따라서, 본 논문에서는 공진 발생을 제거하기 위해 offset microstrip을 사용하는 구조를 제안하였다. 제안된 구조는 불연속점에서 대칭을 유지함으로써 공진 발생 원인을 근본적으로 제거한 구조로 회로의 직접도가 높은 다층 기판에서 효과적으로 사용될 수 있을 것으로 기대된다.
본 논문에서는 도파관 대 마이크로스트립 모드 변환기를 설계하고 이를 바탕으로 도파관 혼합기 모듈을 제작 측정하였다. 설계된 모드 변환기는 반사손실을 최소화하기 위하여 50 $\Omega$ 마이크로스트립 라인의 패턴을 변화시킴으로서 도파관 내 릿지와 마이크로스트립 사이의 불연속부분의 영향을 보상하였다. 이렇게 제작된 모드 변환기를 사용함으로써 밀리미터파 대역에서 개발된 MMIC 칩을 저 손실 guiding이 가능하도록 도파관 내에 장착시켜 시스템으로의 적용이 가능하도록 하였다. 제작된 도파관 혼합기 모듈의 측정 결과, 제공된 MMIC에서 얻어진 혼합기의 사양의 성능저하가 거의 없음을 알 수 있었다.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제12권2호
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pp.171-175
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2012
In this work, a new microstrip-to-substrate integrated waveguide (SIW) transition using the parallel half-mode substrate integrated waveguide (HMSIW) is proposed. The proposed transition consists of three sections : a microstrip, parallel HMSIWs, and an SIW. By inserting the parallel HMSIWs section between the microstrip section and the SIW section, the proposed transition can improve the return loss characteristics of the near cut-off frequency because the HMSIWs section has a lower cut-off frequency than the SIW section (8.6 GHz). The lower cut-off frequency is achieved through gradual electromagnetic field mode changes for a low reflection. The measured return loss is less than 20 dB in the of 9.1~16.28 GHz freqeuncy range for the back-to-back transition. The measured insertion loss is within 1.6 dB for the back-to-back transition. The proposed transition is expected to play an important role in wideband SIW circuits fed by a microstrip.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제2권2호
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pp.105-111
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2002
New high-performance Ka-band waveguide-to-microstrip transitions for millimeter-wave transceiver applications have been developed and characterized. These transitions are probe-type, but the dielectric material completely covers the whole waveguide aperture, thus providing moisture-barrier and robustness in the probe section. The new probe transitions are also designed to be less sensitive to fabrication tolerances. Further performance enhancements have been obtained by placing vias around the waveguide aperture. Also, the resonance phenomena associated with waveguide wall-penetration have been identified. The developed probe transitions provide insertion loss less than 0.4 dB over entire Ka-band frequencies, but can be optimized for narrowband applications with insertion loss less than 0.2 dB.
본 논문에서는 S-대역에서 동작하는 동축선로 도파관 형태의 공간 결합기 구조를 제안하였다. 제안된 결합기는 동축 선로 도파관, 임피던스 변환기, 핀라인-마이크로스트립 변환기로 구성되어 있다. 동축선로 도파관은 구형 도파관과는 달리 균일한 전자기장 분포를 얻을 수가 있기 때문에 전력을 균일하게 공급할 수 있는 장점을 가진다. 핀라인-마이크로스트립 변환기는 Antipodal 안테나를 이용하여 설계 하였으며, 소반사(small reflection) 이론을 적용하여 낮은 반사계수를 얻었다. Back-to-back으로 연결된 공간 결합기를 측정한 결과 최대 95%의 결합 효율을 얻었다.
본 논문에서는 Ka 대역에서 동작하는 송수신기에 쉽게 집적화 할 수 있는 프로브 구조를 이용한 도파관-마이크로스트립 트랜지션을 설계 및 제작하였다. 도파관-마이크로스트립 트랜지션은 프로브, 인덕턴스 선로, ${\lambda}/4$ 임피던스 변환기, 그리고 $50{\Omega}$ 마이크로스트립 선로로 구성되어있으며, 각 구성 요소들의 특성 임피던스 및 길이를 시뮬레이션을 통해 최적화하였다. 제작된 트랜지션의 측정결과, $30{\sim}40GHz$ 대역 내에서 평균 1.3 dB의 삽입손실 특성, 14 dB이하의 입출력 반사 손실특성을 나타내었다. 마이크로스트립 선로 및 입출력 도파관의 손실을 고려하여 하나의 변환 구조 당 삽입 손실은 $0.5{\sim}0.6dB$ 정도이다.
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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제2C권5호
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pp.268-272
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2002
In this paper, we proposed a procedure to analyze a shielded-microstrip step discontinuity using the mode matching method (MMM) combined with the vector finite element method (VFEM), which is used to find the equivalent waveguide-model for a microstrip. In order to calculate the effective-widths and -dielectric permittivity of the equivalent waveguide-model corresponding shielded-microstrip, the propagation constant and characteristic impedance are calculated from the VFEM. MMM is then applied to find the scattering parameter in the planar waveguide. This technique makes it possible to take advantage of the high accuracy of the VFEM as well as the high efficiency of the MMM.
본 논문에서는 밀리미터파 대역에서 동작하는 inline 구조를 이용한 도파관-마이크로스트립 전이구조를 설계 및 제작하였다. 도파관-마이크로스트립 전이구조는 프로브, 인덕턴스 선로, ${\lambda}/4$ 임피던스 변환기, 그리고 50 ohm 마이크로스트립 선로로 구성되어 있으며, 각 구성 요소들의 특성 임피던스 및 길이를 시뮬레이션을 통하여 최적화하였다. 제작된 전이구조의 측정 결과, 밀리미터파 내 중심 주파수 94 GHz 구간에서 평균 2.1 dB 삽입손실 특성 및 13 dB 이하의 입출력 반사 손실 특성을 나타내었다.
High speed probe for measurement of sin91e flux quantum circuits is comprised of coaxial cables and microstrip lines in order to carry high speed signals without loss. For the impedance matching between coaxial cable and microstrip line, we have determined the dimension of the microstrip line with 50${\Omega}$ impedance by simulation and then have investigated the effect of line width and cross-sectional shape of signal line, dielectric material, thickness of soldering lead at the coaxial-to-microstrip transition Point, and the an91c between dielectric material and end part of the signal line on the characteristics of signal transmission of the microstrip line. From the simulation, we have found that these all parameter's had influenced on the characteristic of signal transmission on the microstrip line and should be reflected in fabricating high speed probe, We have also determined the dimension of coplanar waveguide to fabricate testing sample for performance test of high speed probe.
A curvature variable taper is proposed for a waveguide-microstrip transition. It is applied to a ridge waveguide. The curvature depends on the taper length and difference of waveguide's height and microstrip substrate's height. The taper is manufactured easier than the other tapers. It's reflection coefficient is smaller than the parabolic taper's below one wavelengrh. The results of experiment show that S$_{11}$ is below -20dB and SS$_{21}$ is about -0.5dB in the band of 10~15 GHz. These results are good agreement with the theoritical values.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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