• 한국전자파학회논문지
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• 제19권4호
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• pp.391-396
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• 2008

본 논문에서는 NRD 도파관 내에 표준 도파관에 대한 트랜지션 기능이 내장된 새로운 형태의 구형 도파관-NRD 도파관 트랜지션을 제안하였다. 새롭게 제안된 구형 도파관-NRD 도파관 트랜지션은 NRD 도파관 입출력측의 기구물 벽 두께와 개구부의 폭을 이용하여 구현된다. 벽 두께의 경우, NRD 도파관 관내 파장의 절반(${\lambda}_g/2$)과 거의 동일하며, 개구부의 폭은 NRD 도파관과 체결되는 표준 도파관의 넓은 변의 길이와 거의 일치한다. 이러한 원리는 주파수 대역과 무관하게 적용 가능하며, 본 논문에서는 38 GHz 대역에서 구형 도파관-NRD 도파관 트랜지션을 제작하여 타당성을 확인하였다. 38 GHz 대에서 제작된 구형 도파관-NRD 도파관 트랜지션은 back-to-back 구조에서 0.4 dB 이하의 삽입 손실과 20 dB 이하의 반사 손실을 갖는다.

• ETRI Journal
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• 제32권2호
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• pp.195-203
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• 2010

A new vertical transition between a substrate integrated waveguide in a low-temperature co-fired ceramic substrate and an air-filled standard waveguide is proposed in this paper. A rectangular cavity resonator with closely spaced metallic vias is designed to connect the substrate integrated waveguide to the standard air-filled waveguide. Physical characteristics of an air-filled WR-22 to WR-22 transition are compared with those of the proposed transition. Simulation and experiment demonstrate that the proposed transition shows a -1.3 dB insertion loss and 6.2 GHz bandwidth with a 10 dB return loss for the back-to-back module. A 40 GHz low-temperature co-fired ceramic module with the proposed vertical transition is also implemented. The implemented module is very compact, measuring 57 mm ${\times}$ 28 mm ${\times}$ 3.3 mm.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제12권2호
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• pp.171-175
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• 2012

In this work, a new microstrip-to-substrate integrated waveguide (SIW) transition using the parallel half-mode substrate integrated waveguide (HMSIW) is proposed. The proposed transition consists of three sections : a microstrip, parallel HMSIWs, and an SIW. By inserting the parallel HMSIWs section between the microstrip section and the SIW section, the proposed transition can improve the return loss characteristics of the near cut-off frequency because the HMSIWs section has a lower cut-off frequency than the SIW section (8.6 GHz). The lower cut-off frequency is achieved through gradual electromagnetic field mode changes for a low reflection. The measured return loss is less than 20 dB in the of 9.1~16.28 GHz freqeuncy range for the back-to-back transition. The measured insertion loss is within 1.6 dB for the back-to-back transition. The proposed transition is expected to play an important role in wideband SIW circuits fed by a microstrip.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(1)
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• pp.211-214
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• 2002

In this paper, we present a simple method for characterizing a rectangular waveguide to circular waveguide transition Three standard loads consisting of a short circuit, an offset short circuit 1, and an offset short circuit 2 are sequentially connected to the circular waveguide port and the reflection coefficient at port 1 Is measured for each case. From known reflection coefficients, of standard loads and measured reflection coefficients, the scattering matrix of the transition Is obtained. The proposed method Is verified by the numerical experiment using a commercial software HFSS and by measurments of a actual rectangular-to-circular waveguide transition.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제23권4호
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• pp.29-34
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• 2023

본 논문에서는 마이크로스트립-도파관 전이구조의 임피던스 해석 모델을 바탕으로 설계 방법을 제안하였다. 제안한 구조는 크게 세 부분으로 마이크로스트립-SIW (Substrate Integrated Waveguide) 구조, 기판 두께의 유전체로 쌓인 구조 및 게단형 도파관 구조로 구성되어 있다. 전이구조의 형상은 임피던스 변화에 따라 변화하게 된다. 유전체 변화를 통한 두 가지 형태의 동일한 특성을 가진 전이구조를 제시하였다. 두 Ka대역 전이구조의 설계 방법은 도파관의 크기와 상관없이 모든 응용 분야에 적용가능하다. 제안한 전이구조의 back-to-back 특성은 29.8 ~ 38.2 GHz 대역에서 1.2 dB 이하의 삽입손실 및 15 dB 이상의 반사손실을 가짐을 확인하였다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제17권1호
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• pp.29-33
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• 2017

This paper proposes a half-mode substrate integrated waveguide (HMSIW) amplifier using lumped-element transition. The input and output impedances of this amplifier are matched by the lumped-element transition structure. This structure provides compact impedance and mode matching circuits between the HMSIW and a stand-alone amplifier. Surface mount technology inductors and capacitors are implemented to realize the lumped-element transition. A prototype of the proposed HMSIW amplifier shows 15 dB gain with 3 dB bandwidth of 4 to 7.05 GHz in a simulation and measurement.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제19권1호
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• pp.19-24
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• 2024

본 논문에서는 기존의 접힌 도파관의 내부 구조물을 Y형으로 대체하여 도파관의 차단주파수를 낮춘 접힌 Ridge 도파관(FRWG)을 제안하였다. 제안된 FRWG는 역 Ridge 도파관으로 등가될 수 있는데, 측면의 높이를 줄였을 때 측면의 길이가 증가하여 동일한 크기의 도파관에 비해 차단주파수를 절반 이하로 줄일 수 있다. 논문에서는 길이 40mm, 높이 20mm의 도파관에 폭 2mm의 Y형 구조물을 넣어 1.996GHz의 차단주파수를 갖는 FRWG를 설계하였다. 또한, 제안된 도파관을 활용하기 위한 SMA 커넥터와의 트랜지션이 설계되었다. 트랜지션은 커넥터의 신호선과의 커패시턴스를 최적화하여 2.064 ~ 3.050GHz 대역에서 VSWR 2:1 이하의 특성을 나타내었다. 제안된 FRWG는 도파관 구조를 이용한 다양한 소자의 소형화에 응용할 수 있다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제45권7호
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• pp.67-71
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• 2008

본 논문에서는 Ka 대역에서 동작하는 송수신기에 쉽게 집적화 할 수 있는 프로브 구조를 이용한 도파관-마이크로스트립 트랜지션을 설계 및 제작하였다. 도파관-마이크로스트립 트랜지션은 프로브, 인덕턴스 선로, ${\lambda}/4$ 임피던스 변환기, 그리고 $50{\Omega}$ 마이크로스트립 선로로 구성되어있으며, 각 구성 요소들의 특성 임피던스 및 길이를 시뮬레이션을 통해 최적화하였다. 제작된 트랜지션의 측정결과, $30{\sim}40GHz$ 대역 내에서 평균 1.3 dB의 삽입손실 특성, 14 dB이하의 입출력 반사 손실특성을 나타내었다. 마이크로스트립 선로 및 입출력 도파관의 손실을 고려하여 하나의 변환 구조 당 삽입 손실은 $0.5{\sim}0.6dB$ 정도이다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.445-450
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• 2002

본 논문에서는 CPW(Coplanar waveguide)-to-microstrip right-angled 전이 구조에 대해서 해석하였다. 일반적으로 비대칭적인 CPW-to-microstrip 전이 구조는 불연속점에서 발생한 slot모드로 인해 심각한 공진이 발생한다. 공진 발생을 억제하기 위해서 일반적으로 많이 사용하는 air-bridge는 공진 발생을 근본적으로 제거시키지 못하고, 단지 공진 주파수만 이동시킨다. 따라서, 본 논문에서는 공진 발생을 제거하기 위해 offset microstrip을 사용하는 구조를 제안하였다. 제안된 구조는 불연속점에서 대칭을 유지함으로써 공진 발생 원인을 근본적으로 제거한 구조로 회로의 직접도가 높은 다층 기판에서 효과적으로 사용될 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제30권1호
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• pp.54-59
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• 2019

본 논문에서는 밀리미터파 대역에서 동작하는 inline 구조를 이용한 도파관-마이크로스트립 전이구조를 설계 및 제작하였다. 도파관-마이크로스트립 전이구조는 프로브, 인덕턴스 선로, ${\lambda}/4$ 임피던스 변환기, 그리고 50 ohm 마이크로스트립 선로로 구성되어 있으며, 각 구성 요소들의 특성 임피던스 및 길이를 시뮬레이션을 통하여 최적화하였다. 제작된 전이구조의 측정 결과, 밀리미터파 내 중심 주파수 94 GHz 구간에서 평균 2.1 dB 삽입손실 특성 및 13 dB 이하의 입출력 반사 손실 특성을 나타내었다.