Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.50
no.4
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pp.26-32
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2013
The earth reflection effect on the induced voltage by line source such as power line occurring induction inteference is analyzed to scrutinize how much it would reduce the induced voltage. Using hankel transformation including bessel function, directly calculation formulae for extracting a refelction coefficient is a most important technical application in this paper since the reflection coefficient on the earth cannot be deduced by a general coefficient calculation formulae according to a plain wave. The electric field is utilized to transform the electromagnetic field into an induced voltage. The composed efficiency to a source induction voltage by an earth reflection is about a range of 60~70% for the axis constellation of each object like observation point, source position and other material parameters.
In this paper, the distortion of an electrical pulse with rise/fall time resulting from dispersion and reflection as it propagates along a tapered microstrip line is investigated, and the delay time and distortion rate with respect to input and load impedances are analyzed on triangular and exponential tapered lines and analyzed the influence of the reflection and frequency dispersion on the distorted voltage wave in the tapered lines. The observed overshoot in front of the distorted wave is caused due to the frequency dispersion and the sustained tail of that comes from the reflection in the tapered line.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.26
no.4
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pp.28-34
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2012
Installing surge protection devices for a low-voltage system is important to ensure the survival of electric or electronic devices and systems. If surge protection devices (SPD) are installed without consideration of the concept of lightning protection zones, the equipment to be protected might be damaged despite the correct energy coordination of SPDs. This damage is induced by the reflection phenomena on the cable connecting an external SPD and the load protected. These reflection phenomena depend on the characteristics of the output of the external SPD, the input of the loads, and the cables between the load and the external SPD. Therefore, the SPD has an effective protection distance under the condition of the specific load and the specific voltage protection level of SPD. In this paper, PSCAD/EMTDC software is used to simulate the residual voltage characteristics of SPD Entering the low-voltage device. And by applying a certain voltage level, the effective protection distances of SPD were analyzed according to the each load and length of connecting cable, and the effectiveness of SPD were verified.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.37
no.8
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pp.45-51
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2000
The distortion of an electrical pulse, which has a rise/fall time due to the dispersion and the reflection, on tapered microstrip lines has investigated In time domain. The voltage and current transfer functions are shown for the tapered line. The dispersion distortion obtained by using these trans(or functions are represented for the nonideal square pulse along the triangular, Tchebycheff and exponential tapered lines, and analyzed the influence of the reflection and the frequency dispersion on the distorted voltage wave in the tapered lines. The observed overshoot in front of the distorted wane is caused due to the frequency dispersion and the sustained tail of that comes from the reflection in the tapered line.
The shape of the reflection spectrum is complex and appears to overlap with several signals, because the surface state is uneven due to the natural oxide film, so that the spectrum becomes a complicated signal shape divided into regions 1 and 2 due to diffuse reflection. On the other hand, it is seen that the reflection spectrum after PEO surface treatment is overlapped with several signals. In addition, the reflectance of the energy band varies from 1.32 to 1.46 eV. Usually, the MgO-type oxide film was observed at an energy band of ~4.2 eV. The thickness of the oxide film was increased as the DC voltage was increased by the thin film thickness meter (QuaNix; 7500M) after Plasma Electrolytic Oxidation (; PEO) surface treatment. This is because the higher the DC voltage, the easier the binding of the $OH^-$ ions in the solution solution and the $Mg^+$ ions of the magnesium alloy. An important part of the bonding of ordinary ions is the energy source (plasma) which can promote bonding. However, when a certain threshold voltage or more is applied, the material is adversely affected. The oxide film of the surface may be destroyed without increasing the thickness of the oxide film, that is, whitening of the material may occur.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.6
no.3
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pp.8-11
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1969
In the precision measurement of the voltage standing wave ratio (VSWR) or reflection coefficient by means of the slotted line technique, one of the important factors is the maximum error due to the discontinuities and multi-reflection in the slotted line. Particularly, this error becomes a critical factor when the VSWR or the reflection coefficient to be measured is very small. In this paper, the exact expression of this error is obtained by means of the Signal flow graph method.
In this paper, I try to measure characteristic transmission-reflection by environmental change or solar cell. I keep my eye on the characteristics variation of solar cell as environmental change. As a result, A variation caused by voltage by an effect on the efficiency of solar PV cell. Hence, it is an important variable when a designer plan to make a solar cell.
Kim Young-Tae;Moon Seung-Eon;Lee Su-Jae;Kim Sun-Hyeong;Park Jun-Seok;Cho Hong-Goo
한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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2003.08a
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pp.286-288
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2003
In this paper, in order to obtain a large differential phase shift with a little change in applied voltage, a ferroelectric reflective load circuit has been designed on top of barium strontium titanate $(Ba,Sr)TiO_3$ [BST] thin film. The design of the ferroelectric reflection-type phase shifter is based on a reflection theory of terminating circuit, which has a reflection-type analogue phase shifter with two ports terminated in symmetric phase-controllable reflective networks. To achieve large amounts of phase shift in low bias-voltage range, the effects of change of capacitance and transmission line connected with two coupled ports of a 3-dB $90^{\circ}$ branch-line hybrid coupler have been investigated. A large phase shift with a small capacitance change in the parallel terminating circuit has been demonstrated in the paper.
An enhancement of the c-axis differential conductance around the zero-bias voltage near the superconducting transition temperature $T_{c}$ has been observed in $Au/Bi_2$$Sr_2$$CaCu_2$$O_{8+x}$ junctions. We attribute such an enhancement to the Andreev reflection (AR) between the surface Cu-O bilayer with suppressed superconductivity and the next superconducting Cu-O bilayer. The continuous evolution of the differential conductance, from gap like depression to an AR-like peak structure, around the zero-bias voltage points to weakening of the barrier strength of the nonsuperconducting layer between adjacent Cu-O bilayers as temperature approaches $T_{c}$ from below. The peak structure disappeared just below the bulk $T_{c}$ value of underdoped Bi2212 single crystals, whereas it survived up to ~1 K above $T_{c}$ in Junctions prepared on slightly overdosed crystals. According to a recently proposed theoretical consideration, a wider temperature range of the AR a bone $T_{c}$ is expected in the underdoped regime when phase-incoherent preformed pairs emerge in the pseudogap state. Our result is in contradiction to the preformed pair scenario. scenario.o.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.13
no.11
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pp.2260-2266
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2009
In this paper, the problem of electromagnetic coupling between a slit fed by a flanged parallel-plate waveguide (FPPW) and a nearby conducting strip parallel to the slit is studied as a simplified problem for a near-field scanning microscopy (NSM). The characteristics of the FPPW are investigated from the results for the variations of the equivalent slit admittance, the reactive powers near the slit inside and outside the FPPW, the magnitude and phase of the voltage reflection coefficient of the TEM wave. The performance of the proposed apparatus as an NSM is tested by examining the effects of various geometrical parameters such as guide height, slit width, strip width, distance between slit and strip, and the ratio of slit width to guide height on the magnitude and phase of the voltage reflection coefficient of the TEM wave. From the results for the voltage reflection coefficient against the strip offset from the slit, it is found that a slit in the FPPW with smaller guide height gives higher scanning resolution and the phase variation is more sensitive than the magnitude variation.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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