• 제목/요약/키워드: Volatile Memory

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Code Optimization Techniques to Reduce Energy Consumption of Multimedia Applications in Hybrid Memory

  • Dadzie, Thomas Haywood;Cho, Seungpyo;Oh, Hyunok
    • IEIE Transactions on Smart Processing and Computing
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    • 제5권4호
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    • pp.274-282
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    • 2016
  • This paper proposes code optimization techniques to reduce energy consumption of complex multimedia applications in a hybrid memory system with volatile dynamic random access memory (DRAM) and non-volatile spin-transfer torque magnetoresistive RAM (STT-MRAM). The proposed approach analyzes read/write operations for variables in an application. Based on the profile, variables with a high read operation are allocated to STT-MRAM, and variables with a high write operation are allocated to DRAM to reduce energy consumption. In this paper, to optimize code for real-life complicated applications, we develop a profiler, a code modifier, and compiler/link scripts. The proposed techniques are applied to a Fast Forward Motion Picture Experts Group (FFmpeg) application. The experiment reduces energy consumption by up to 22%.

Pt 나노입자와 Hybrid Pt-$SiO_2$ 나노입자의 합성과 활용 및 입자박막 제어 (Synthesis and application of Pt and hybrid Pt-$SiO_2$ nanoparticles and control of particles layer thickness)

  • 최병상
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제4권4호
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    • pp.301-305
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    • 2009
  • Pt 나노입자의 합성과 이를 이용한 hybrid Pt-$SiO_2$ 나노입자의 합성을 성공적으로 수행하였으며, self-assembled Pt nanoparticles monolayer를 charge trapping layer로 활용하는 metal-oxide-semiconductor(MOS) type memory의 한 예로 non-volatile memory(NVM)의 응용을 보임으로써 나노입자의 활용 가능성을 보이고, 또한, hybrid Pt-$SiO_2$ 나노입자 박막 층의 제어를 통한 MOS type memory device에의 보다 더 넓은 활용 가능성을 보이고자 하였다.

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비휘발성 메모리를 이용한 로그 구조 파일 시스템의 성능 향상 (Improving Log-Structured File System Performance by Utilizing Non-Volatile Memory)

  • 강양욱;최종무;이동희;노삼혁
    • 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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    • 제14권5호
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    • pp.537-541
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    • 2008
  • 로그 구조 파일 시스템(Log-Structured File System, LFS)은 변경된 데이타를 메모리에 충분히 모아서 한번에 순차 쓰기로 디스크에 기록함으로써 높은 쓰기 성능을 실현한 파일 시스템이다. 그러나 실제 시스템에서는 여전히 디스크와 메모리 상의 일관성을 위해서 동기화가 발생하며 변경된 데이타를 충분히 메모리에 모으지 못한 채 디스크로 쓰기가 발생하는 모습을 보인다. 자주 발생되는 쓰기는 클리너의 오버헤드를 증가시키고, 더 많은 메타데이타를 기록하게 한다. 본 연구에서는 비휘발성 메모리를 이용해서 동기화를 없애고, 작은 단위의 쓰기를 효과적으로 활용하도록 LFS와 운영체제의 관련된 서브 시스템들을 변경하였다. 이를 통하여 DRAM만 있는 LFS에 비해서 256M의 NVRAM을 가진 시스템에서 약 2.5배의 성능 향상을 보였다.

Novel Graphene Volatile Memory Using Hysteresis Controlled by Gate Bias

  • Lee, Dae-Yeong;Zang, Gang;Ra, Chang-Ho;Shen, Tian-Zi;Lee, Seung-Hwan;Lim, Yeong-Dae;Li, Hua-Min;Yoo, Won-Jong
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.120-120
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    • 2011
  • Graphene is a carbon based material and it has great potential of being utilized in various fields such as electronics, optics, and mechanics. In order to develop graphene-based logic systems, graphene field-effect transistor (GFET) has been extensively explored. GFET requires supporting devices, such as volatile memory, to function in an embedded logic system. As far as we understand, graphene has not been studied for volatile memory application, although several graphene non-volatile memories (GNVMs) have been reported. However, we think that these GNVM are unable to serve the logic system properly due to the very slow program/read speed. In this study, a GVM based on the GFET structure and using an engineered graphene channel is proposed. By manipulating the deposition condition, charge traps are introduced to graphene channel, which store charges temporarily, so as to enable volatile data storage for GFET. The proposed GVM shows satisfying performance in fast program/erase (P/E) and read speed. Moreover, this GVM has good compatibility with GFET in device fabrication process. This GVM can be designed to be dynamic random access memory (DRAM) in serving the logic systems application. We demonstrated GVM with the structure of FET. By manipulating the graphene synthesis process, we could engineer the charge trap density of graphene layer. In the range that our measurement system can support, we achieved a high performance of GVM in refresh (>10 ${\mu}s$) and retention time (~100 s). Because of high speed, when compared with other graphene based memory devices, GVM proposed in this study can be a strong contender for future electrical system applications.

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메모리 파일시스템에서 메모리 매핑을 이용한 파일 입출력의 오버헤드 분석 (Analyzing the Overhead of the Memory Mapped File I/O for In-Memory File Systems)

  • 최정식;한환수
    • 정보과학회 컴퓨팅의 실제 논문지
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    • 제22권10호
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    • pp.497-503
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    • 2016
  • 비휘발성 메모리 같은 차세대 저장장치의 등장으로 저장장치 지연시간은 거의 사라질 것이다. 예전에는 저장장치 지연시간이 가장 큰 문제였기 때문에 소프트웨어의 효율성은 중요한 문제가 아니었다. 하지만 이제는 소프트웨어 오버헤드가 해결해야 할 문제점으로 나타나고 있다. 소프트웨어 오버헤드를 최소화하기 위해 많은 연구자들은 메모리 매핑을 이용한 파일 입출력 기법을 제안하고 있다. 메모리 맵 파일 입출력 기법을 사용하면 기존 운영체제의 복잡한 파일 입출력 스택을 피할 수 있을 뿐 아니라 빈번한 사용자/커널 모드 변환도 최소화할 수 있다. 또한 다수의 메모리 복사 오버헤드도 최소화 할 수 있다. 하지만 메모리 맵 파일 입출력 기법에도 해결해야 할 문제점이 존재한다. 메모리 맵 파일 입출력 메커니즘도 느린 블록 디바이스를 효율적으로 관리하기 위해 설계된 기존 운영체제의 일부이기 때문이다. 본 논문에서는 메모리 맵 파일 입출력의 오버헤드 문제점을 설명하고 실험을 통해 그 문제점을 확인한다.

쓰기 횟수 감소를 위한 하이브리드 캐시 구조에서의 캐시간 직접 전송 기법에 대한 연구 (A Study on Direct Cache-to-Cache Transfer for Hybrid Cache Architecture to Reduce Write Operations)

  • 최주희
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제23권1호
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    • pp.65-70
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    • 2024
  • Direct cache-to-cache transfer has been studied to reduce the latency and bandwidth consumption related to the shared data in multiprocessor system. Even though these studies lead to meaningful results, they assume that caches consist of SRAM. For example, if the system employs the non-volatile memory, the one of the most important parts to consider is to decrease the number of write operations. This paper proposes a hybrid write avoidance cache coherence protocol that considers the hybrid cache architecture. A new state is added to finely control what is stored in the non-volatile memory area, and experimental results showed that the number of writes was reduced by about 36% compared to the existing schemes.

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하이브리드 메인 메모리의 성능 향상을 위한 페이지 교체 기법 (Page Replacement Algorithm for Improving Performance of Hybrid Main Memory)

  • 이민호;강동현;김정훈;엄영익
    • 정보과학회 컴퓨팅의 실제 논문지
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    • 제21권1호
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    • pp.88-93
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    • 2015
  • DRAM은 빠른 쓰기/읽기 속도와 무한한 쓰기 횟수로 인해 컴퓨터 시스템에서 주로 메인 메모리로 사용되지만 저장된 데이터를 유지하기 위해 지속적인 전원공급이 필요하다. 반면, PCM은 비휘발성 메모리로 전원공급 없이 저장된 데이터를 유지할 수 있으며 DRAM과 같이 바이트 단위의 접근과 덮어쓰기가 가능하다는 점에서 DRAM을 대체할 수 있는 메모리로 주목받고 있다. 하지만 PCM은 느린 쓰기/읽기 속도와 제한된 쓰기 횟수로 인해 메인 메모리로 사용되기 어렵다. 이런 이유로 DRAM과 PCM의 장점을 모두 활용하기 위한 하이브리드 메인 메모리가 제안되었고 이에 대한 연구가 활발하다. 본 논문에서는 DRAM과 PCM으로 구성된 하이브리드 메인 메모리를 위한 새로운 페이지 교체 기법을 제안한다. PCM의 단점을 보완하기 위해 제안 기법은 PCM 쓰기 횟수를 줄이는 것을 목표로 하며 실험결과에서 알 수 있듯이 본 논문의 제안 기법은 다른 페이지 교체 기법에 비해 PCM 쓰기 횟수를 80.5% 줄인다.

Engineered tunnel barrier가 적용되고 전화포획층으로 $HfO_2$를 가진 비휘발성 메모리 소자의 특성 향상 (Enhancement of nonvolatile memory of performance using CRESTED tunneling barrier and high-k charge trap/bloking oxide layers)

  • 박군호;유희욱;오세만;김민수;정종완;이영희;정홍배;조원주
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.415-416
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    • 2009
  • The tunnel barrier engineered charge trap flash (TBE-CTF) non-volatile memory using CRESTED tunneling barrier was fabricated by stacking thin $Si_3N_4$ and $SiO_2$ dielectric layers. Moreover, high-k based $HfO_2$ charge trap layer and $Al_2O_3$ blocking layer were used for further improvement of the NVM (non-volatile memory) performances. The programming/erasing speed, endurance and data retention of TBE-CTF memory was evaluated.

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