• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.24-25
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• 2008

The effect of heat treatment in $HfO_2$ as charge trap with $SiO_2/Si_3N_4/SiO_2$ as tunnel oxide layer in capacitors has been investigated. Rapid thermal annealing (RTA) were carried out at the temperature range of 600 - $900^{\circ}C$. It is found that all devices carried out heat treatment have large threshold voltage shift Especially, device performed heat treatment at $900^{\circ}C$ has been confirmed the largest memory window. Also, Threshold voltage shift of device used conventional $SiO_2$ as tunnel oxide layer was smaller than that with $SiO_2/Si_3N_4/SiO_2$.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2003년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.1270-1272
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• 2003

Smart card system is being used in many countries to improve access to their transportation systems. Especially for subway system that typically see high volumes of passengers at specific times of the days, it's critical to find a ray to collect fares without unnecessarily delaying passengers. The card consists of antenna, modulation and demodulation block, power supply module and memory. The antenna receives the power and data signal from reader. The FRAM is used as the inner memory. And it is a non-volatile memory and complements the problems, that is high consumption and low data processing speed, of using conventional EEPROM in the passive smart cart. In this paper, we analyze and design the RF passive smart card to apply to the fare collection for the subway gate system.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.183-186
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• 2004

The metal-ferroelectric-insulator-semiconductor(MFIS) capacitors were fabricated using a metalorganic decomposition (MOD)method. The $CeO_2$ thin films were deposited as a buffer layer on Si substrate and $Bi_{3.25}La_{0.75}Ti_3O_{12}$ (BLT) thin films were used as a ferroelectric layer. The electrical and structural properties of the MFIS structure were investigated by varying the $CeO_2$ layer thickness. The width of the memory window in the capacitance-voltage (C-V)curves for the MFIS structure decreased with increasing thickness of the $CeO_2$ layer. Auger electron spectroscopy (AES) and transmission electron microscopy (TEM) show no interdiffusion by using the $CeO_2$ film as buffer layer between the BLT film and Si substrate. The experimental results show that the BLT-based MFIS structure is suitable for non-volatile memory field-effect-transistors (FETs) with large memory window.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제17권11호
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• pp.101-105
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• 2012

최근 스마트폰의 급격한 보급으로 개인정보 침해사고 및 프라이버시 침해를 통한 여러 가지 사회문제가 급속도로 증가하고 있으며, 이에 따라 개인 정보보호를 위한 다양한 연구 및 기술 개발이 이루어지고 있다. 개인의 모든 정보가 거의 들어 있다고 해도 과언이 아닌 스마트폰의 정보유출은 우리의 일상에서 쉽고 빈번하게 발생할 수 있는데, 포렌식 분석 툴을 이용하여 증거를 수집하거나 분석하기란 쉽지 않은 일이다. 현재 안드로이드 포렌식 연구는 비휘발성 메모리로부터 데이터를 수집하여 분석하는 기법에 집중되어 왔으며, 휘발성 데이터에 대한 연구는 미미한 실정이다. 안드로이드 로그는 휘발성 저장매체로부터 수집될 수 있는 휘발성 데이터이다. 안드로이드 로그는 안드로이드 시스템에서부터 애플리케이션에 이르기까지 최근의 모든 구동내역과 관련한 기록이 로그로 저장되기 때문에 안드로이드폰 사용을 추적할 수 있는 자료로 활용이 충분하다. 본 논문에서는 포렌식 분석 툴을 이용하지 않고 로그를 필터링하여 개인의 정보 유출 유무를 판단하여 대응할 수 있는 방법을 제시한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권7호
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• pp.1-9
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• 2011

멤리스터(Memristor)는 메모리 레지스터의 합성어로 흐른 전하량에 따라 저항이 스스로 변하고 전원이 끊긴 상태에서도 저항 상태가 기억되는 특수한 메모리 소자이다. 본 논문에서는 차세대 메모리소자로 주목받고 있는 멤리스터를 모델링하고 SPICE 시뮬레이션을 위한 behavior모델을 제시한다. 그리고 제안된 모델을 바탕으로 멤리스터 기반의 M_CAM(Memristor MOS content addressable memory)을 설계하였다. 제안된 M_CAM은 기존의 CAM에 비해서 단위 셀 면적과 평균 전력소모가 각각 40%, 96% 감소하였다. 칩은 0.13${\mu}m$ CMOS 공정에서 공급전압이 1.2V를 갖도록 설계되었다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제16권3호
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• pp.7-12
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• 2016

스마트폰의 메모리로 사용되고 있는 DRAM은 고집적화의 한계로 인해 더 이상 용량 증대가 어려울 뿐 아니라 배터리 소모의 상당 부분을 차지하는 것으로 분석되고 있다. 이에 비해 페이스북 등의 소셜 네트워크 서비스는 점점 많은 메모리를 필요로 하고 메모리 용량 부족시 스토리지를 접근하게 되어 상당히 느린 응답 시간을 나타내고 있다. 본 논문은 스마트폰 저장장치의 성능 개선을 위해 차세대 비휘발성메모리를 버퍼캐쉬로 탑재하고 이를 효율적으로 관리하는 알고리즘을 제안한다. 제안하는 기법은 파일의 쓰기 연산이 발생한 데이터를 비휘발성메모리에 보관하여 스토리지 접근 횟수를 크게 줄이는 동시에, 읽기 연산과 쓰기 연산의 기록을 별도로 유지하여 두 연산 모두 성능 저하가 발생하지 않도록 한다. 트레이스 기반 시뮬레이션 실험을 통해 제안한 기법이 기존 방식에 비해 성능이 개선되는 것을 보인다.

• 한국정보과학회논문지:컴퓨팅의 실제 및 레터
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• 제13권6호
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• pp.422-426
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• 2007

휴대전화, MP3플레이어 및 PMP, USB 메모리 저장장치와 같은 개인용 멀티미디어 및 저장용 이동기기의 사용이 보편화되면서 이동기기에 저장되는 데이타에 대한 안전성이 요구되고 있다. 요구되는 안전성 중 한 가지는 안전한 파일 삭제인데, 이것은 파일의 내용이 완전히 삭제되어 악의적으로 복구될 수 없도록 하는 것이다. 본 논문에서는 이동기기의 저장매체로써 주로 사용되는 플래시 메모리에서 어떻게 안전한 삭제를 할 수 있는지에 대하여 연구한다. 이를 위하여 0으로 덮어쓰기와 가비지 컬렉션을 이용하는 두 가지 안전한 파일 삭제 정책을 고려하였으며, 각 정책들이 플래시 메모리 파일 시스템의 성능에 미치는 영향을 분석하였다. 또한 두 가지 정책들의 장점을 취한 적응적인 파일 삭제 기법을 제안한다. 구체적으로 크기가 작은 파일들에 대해서는 0으로 덮어쓰기 기법을, 크기가 큰 파일들에 대해서는 가비지 컬렉션기법을 적용하였다. 그리고 실제 실험 구현 및 결과를 통해 제안된 기법들이 안전하고 효율적으로 파일을 삭제할 수 있음을 보인다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.396-396
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• 2013

The resistive random access memory (ReRAM) has several advantages to apply next generation non-volatile memory device, because of fast switching time, long retentions, and large memory windows. The high mobility of monolayered graphene showed several possibilities for scale down and electrical property enhancement of memory device. In this study, the monolayered graphene grown by chemical vapor deposition was transferred to $SiO_2$ (100 nm)/Si substrate and glass by using PMMA coating method. For formation of metal-oxide nanoparticles, we used a chemical reaction between metal films and polyamic acid layer. The 50-nm thick BPDA-PDA polyamic acid layer was coated on the graphene layer. Through soft baking at $125^{\circ}C$ or 30 min, solvent in polyimide layer was removed. Then, 5-nm-thick indium layer was deposited by using thermal evaporator at room temperature. And then, the second polyimide layer was coated on the indium thin film. After remove solvent and open bottom graphene layer, the samples were annealed at $400^{\circ}C$ or 1 hr by using furnace in $N_2$ ambient. The average diameter and density of nanoparticle were depending on annealing temperature and times. During annealing process, the metal and oxygen ions combined to create $In_2O_3$ nanoparticle in the polyimide layer. The electrical properties of $In_2O_3$ nanoparticle ReRAM such as current-voltage curve, operation speed and retention discussed for applictions of transparent and flexible hybrid ReRAM device.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제15권8호
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• pp.23-30
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• 2010

플래시 메모리는 비휘발성이며 시스템에 전원이 없는 상태에서도 데이터를 유지할 수 있는 특성을 가지는 메모리이다. 게다가 빠른 접근 시간과 저전력 소비, 충격에 강하고, 작은 크기와 매우 가벼운 특성을 가진다. 가격이 점차 낮아 지고 용량이 증가함에 따라 플래시 메모리의 활용도는 가전제품, 내장형 시스템, 그리고 이동 단말기 등에 널리 사용되고 있는 추세이다. 이러한 플래시 메모리를 구동함에 있어서 필수적인 소프트웨어인 FLT이 필요하다. 본 연구에서는 기존의 블록 매핑 알고리즘의 가장 큰 단점을 극복하기 위한 새로운 FTL 알고리즘을 제안한다. 핵심적인 사항은 기존의 블록 매핑 테이블에 추가하여 작은 램 메모리를 이용하여 섹터 위치를 바로 알 수 있는 인텍스 블록 매핑 테이블을 제안하고자 한다. 시뮬레이션 결과에 따르면 제안된 FTL은기존의 하이브리드 매핑과 비교했을 때 수행 시간을 평균45%정도 줄이는 효과를 얻을 수 있었으며, 메모리 사상 요구량에 대해서 약 12% 줄이는 효과를 얻을 수 있었다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.65-70
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• 2022

최근 고속 스토리지의 활성화로 인해 하드디스크를 전제로 설계된 메모리 관리 시스템에 대한 재고가 필요한 시점에 이르렀다. 본 논문은 고속 스토리지 환경에서 메모리 접근 시간이 페이지 크기에 민감한 점을 관찰하고, 그 이유가 페이지 폴트율보다 TLB 미스율이 메모리 접근시간에 미치는 영향력이 커졌기 때문임을 확인하였다. 또한, TLB 미스율과 페이지 폴트율이 페이지 크기 변화에 따라 상충관계를 나타냄을 확인하고 이를 모델링하는 함수를 설계하였다. TLB 미스율의 경우 파워 피팅을 통한 모델링을 하였으며, 페이지 폴트율의 경우 2개의 항을 가진 지수 피팅을 통한 모델링을 하였다. 검증 실험을 통해 설계된 모델 함수에 의한 예측치가 실제 결과값을 잘 반영함을 확인하였다.