MgZnO has attracted a lot of attention for flexible device. In the flexible substrate, the crystal structure of the thin films as well as the surface morphology is not good. Therefore, in this study, we studied on the effects of the oxygen pressure on the structure and crystallinity of $Mg_{0.3}Zn_{0.7}O$ thin films deposited on PES substrate by using pulsed laser deposition. We used X-ray diffraction and atomic force microscopy in order to observe the structural characteristics of $Mg_{0.3}Zn_{0.7}O$ thin films. The crystallinity of $Mg_{0.3}Zn_{0.7}O$ thin films with increasing temperature was improved, Grain size and RMS of the films were increased. UV-visible spectrophotometer was used to get the band gap energy and transmittance. $Mg_{0.3}Zn_{0.7}O$ thin films showed high transmittance over 90% in the visible region. As increased working pressure from 30 mTorr to 200 mTorr, the bandgap energy of $Mg_{0.3}Zn_{0.7}O$ thin film were decreased from 3.59 eV to 3.50 eV.
Potassium iodide(KI)를 함유하는 poly(vinyl alcohol)(PVA) 필름의 산화공정에 의해 제조된 PVA-iodine 착제물(PVA_KI계)의 편광특성을 조사하였다. PVA-KI계 편광필름의 UV-visible 스펙트럼은 220 nm, 290~360 nm와 650 nm에서 $I^{-}$, $I{_3}{^-}$와 $I{_5}{^-}$ 발색단에 해당하는 흡수밴드를 각각 나타냈다. PVA-KI계 필름의 편광효율과 투과도는 산화시간, 연신비율, KI 농도 등에 크게 의존하였다. 제조된 편광필름은 99.5%와 45%의 높은 편광효율 및 투과도를 나타냈다. 특히 산화공정에 의해 제조된 편광필름의 열저항은 기존의 PVA-$I_2$계 편광필름에 비하여 뛰어났다. 이러한 결과는 PVA 편광필름의 산화공정의 차이에 기인된다고 생각된다.
Kim, Yoo-Seok;Song, Woo-Seok;Kim, Sung-Hwan;Jeon, Cheol-Ho;Lee, Seung-Youb;Park, Chong-Yun
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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pp.388-388
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2011
Graphene, with its unique physical and structural properties, has recently become a proving ground for various physical phenomena, and is a promising candidate for a variety of electronic device and flexible display applications. The physical properties of graphene depend directly on the thickness. These properties lead to the possibility of its application in high-performance transparent conducting films (TCFs). Compared to indium tin oxide (ITO) electrodes, which have a typical sheet resistance of ~60 ${\Omega}/sq$ and ~85% transmittance in the visible range, the chemical vapor deposition (CVD) synthesized graphene electrodes have a higher transmittance in the visible to IR region and are more robust under bending. Nevertheless, the lowest sheet resistance of the currently available CVD graphene electrodes is higher than that of ITO. Here, we report an ingenious strategy, irradiation of MeV electron beam (e-beam) at room temperature under ambient condition,for obtaining size-homogeneous gold nanoparticle decorated on graphene. The nano-particlization promoted by MeV e-beam irradiation was investigated by transmission electron microscopy, electron energy loss spectroscopy elemental mapping, and energy dispersive X-ray spectroscopy. These results clearly revealed that gold nanoparticle with 10~15 nm in mean size were decorated along the surface of the graphene after 1.0 MeV-e-beam irradiation. The fabrication high-performance TCF with optimized doping condition showed a sheet resistance of ~150 ${\Omega}/sq$ at 94% transmittance. A chemical transformation and charge transfer for the metal gold nanoparticle were systematically explored by X-ray photoelectron spectroscopy and Raman spectroscopy. This approach advances the numerous applications of graphene films as transparent conducting electrodes.
SnO2 single layer and SnO2/Ag/SnO2 (SAS) tri-layered films were deposited on the glass substrate by RF and DC magnetron sputtering at room temperature and then the effect of Ag interlayer on the opto-electrical performance of the films were considered. As deposited SnO2 films show a visible transmittance of 85.5 % and a sheet resistance of 1.2×104 Ω/□, the SAS films with a 15 nm thick Ag interlayer show a lower resistance of 18.8 Ω/□ and a visible transmittance of 70.6 %, respectively. The figure of merit based on the optical transmittance and sheet resistance revealed that the Ag interlayer in the SnO2 films enhances the opto-electrical performance without substrate heating or annealing process.
본 연구에서는 고주파 마그네트론 스퍼터링 법으로 공정압력을 1에서 7mTorr 로 변화시켜 가며 GTZO (Ga-Ti-Zn-O)박막을 제작하여, 구조적 특성과 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. XRD측정을 통해 공정압력에 무관하게 모든 GTZO박막이 c-축으로 우선 성장함을 확인할 수 있었고, 1mTorr 에서 제작한 GTZO 박막이 반가폭 0.38˚ 로 가장 우수한 결정성을 나타내었다. 가시광 영역(400~800 nm)에서의 평균 투과도는 공정압력에 상관없이 80% 이상의 값을 나타내었고, 공정압력이 증가함에 따라 캐리어 농도가 감소하고 이로 인해 에너지 밴드갭이 좁아지는 Burstein - Moss 효과도 관찰할 수 있었다. 공정압력 1mTorr 에서 증착한 GTZO박막의 재료 평가 지수는 9.08 × 103 Ω-1·cm-1 로 가장 우수한 값을 나타내었고 이때 비저항과 가시광 영역에서의 평균 투과도는 각각 5.12 × 10-4 Ω·cm 과 80.64 % 이었다.
목적: 본 연구에서는 건성안이 일회용 써클소프트렌즈(이하 써클렌즈)의 권장착용시간을 초과하여 하루 이상 착용하였을 때 나타나는 자각적 및 타각적 변화와 렌즈 가시광선투과율의 변화에 대하여 알아보고자 하였다. 방법: 서로 다른 재질(hilafilcon B, nelfilcon A 및 etafilcon A)의 3가지 일회용 써클렌즈를 눈물량이 정상보다 적은 20대의 건성안(30안)에게 착용시키고 자각적 불편감, 착용자의 순목횟수, 각막에서의 렌즈중심안정위치 및 렌즈 가시광선투과율을 렌즈 착용직후와 착용자가 자각적 불편감의 증가로 더 이상 렌즈를 착용하지 못하였을 때에 각각 측정한 후 비교하였다. 결과: 일회용 써클렌즈의 재질에 따라 차이는 존재하였지만 10시간 이상 착용하였을 때부터 자각적 불편감을 호소하며 렌즈착용을 중단하였다. 그러나 비이온성 써클렌즈의 경우는 40시간 이상을 착용하는 건성안도 20% 정도로 나타났다. 건성안은 세 가지 재질 가운데 etafilcon A 재질 써클렌즈의 초과착용 시 가장 민감하게 자각적 불편감을 느끼는 것으로 나타났다. 써클렌즈 착용중단시점에서 대표적인 자각적인 불편감은 이물감, 뻑뻑함, 건조감 및 피곤함이었다. 일회용 써클렌즈를 초과착용하였을 때 순목횟수는 착용직후와 비교하여 렌즈재질에 관계없이 약 20~30%정도 통계적으로 유의하게 증가하였다. 렌즈착용 직후보다 착용 마지막 날에서 수직방향의 렌즈중심안정위치는 동공중심에 가까워졌으나 수평방향은 그 분포가 넓게 나타났으며, 특히 etafilcon A 재질 렌즈의 경우는 중심잡기가 불안정하였다. 또한 새 렌즈와 비교했을 때 초과착용한 후 렌즈의 가시광선투과율은 세 종류 렌즈 모두에서 평균적으로 15%가량 감소하였다. 결론: 이상의 결과에서 건성안에서 일회용 써클렌즈의 초과착용은 건조감과 뻑뻑함을 증가시켜 과도한 이물감을 느끼게 되며, 이는 가시광선투과율의 감소와 더불어 순목횟수의 유의한 증가를 유발하고 궁극적으로는 렌즈중심안정위치의 이탈을 초래함을 알 수 있었다. 또한 개인 및 렌즈재질에 따라서 정도의 차이는 있었으나 건성안은 정상안보다 고함수, 이온성렌즈의 초과착용에 자, 타각적으로 예민하게 반응함을 밝혔다. 따라서 본 연구결과는 건성안의 써클렌즈 착용으로 유발될 수 있는 문제점 및 부작용의 교육을 위한 기초 자료로 제시될 수 있다.
Vanadium dioxide ($VO_2$) is an attractive material for smart window applications where the transmittance of light can be automatically modulated from a transparent state to an opaque state at the critical temperature of ${\sim}68^{\circ}C$. Meanwhile, F : $SnO_2$ (F-doped $SnO_2$, FTO) glass is a transparent conductive oxide material that is widely used in solar-energy-related applications because of its excellent optical and electrical properties. Relatively high transmittance and low emissivity have been obtained for FTO-coated glasses. Tunable transmittance corresponding to ambient temperature and low emissivity can be expected from $VO_2$ films deposited onto FTO glasses. In this study, FTO glasses were applied for the deposition of $VO_2$ thin films by pulsed DC magnetron sputtering. $VO_2$ thin films were also deposited on a Pyrex substrate for comparison. To decrease the phase transition temperature of $VO_2$, tungsten-doped $VO_2$ films were also deposited onto FTO glasses. The visible transmittance of $VO_2$/FTO was higher than that of $VO_2$/pyrex due to the increased crystallinity of the $VO_2$ thin film deposited on FTO and decreased interface reflection. Although the solar transmittance modulation of $VO_2$/FTO was lower than that of $VO_2$/pyrex, room temperature solar transmittance of $VO_2$/FTO was lower than that of $VO_2$/pyrex, which is advantageous for reflecting solar heat energy in summer.
본 연구에서는 DC 마그네트론 스퍼터링 법으로 ITO 박막을 $Nb_2O_5(8nm)/SiO_2(45nm)$ 버퍼층위에 증착하여, DC 파워(100~400 W) 변화에 따른 박막의 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. ITO 박막의 표면을 AFM으로 관찰한 결과, 모든 박막이 핀홀이나 크랙 같은 결함이 없는 표면을 가지며, DC 파워 200 W에서 증착한 박막이 1.431 nm의 가장 작은 표면 거칠기를 나타내었다. 전기적 및 광학적 특성 측정 결과, DC 파워 200 W에서 증착한 ITO 박막이 $3.03{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$의 가장 낮은 비저항 값을 보였고 가시광 영역(400~800 nm) 에서의 평균 투과도와 파장 550 nm에서의 투과도는 각각 85.8% 와 87.1%로 조사되었고 색도(b*) 값도 2.13 으로 비교적 우수한 값을 나타내었다. ITO 박막의 면저항과 가시광 영역에서의 평균 투과도 및 파장 550 nm 에서의 투과도를 이용하여 구한 재료평가지수는 DC 파워 200 W일 때 각각 $2.50{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$과 $2.90{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$의 가장 우수한 값을 나타내었다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제13권5호
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pp.241-244
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2012
Antimony doped tin oxide (ATO) thin films on glass substrate were prepared by the chemical solution deposition (CSD) method, using sol-gel solution synthesized by non-alkoxide precursors and the sol-gel route. The crystallinity and electrical properties of ATO thin films were investigated as a function of the annealing condition (both annealing environments and temperatures), and antimony (Sb) doping concentration. Electrical resistivity, carrier concentration, Hall mobility and optical transmittance of ATO thin films were improved by Sb doping up to 5~8 mol% and annealing in a low vacuum atmosphere, compared to the undoped tin oxide counterpart. 5 mol% Sb doped ATO film annealed at $550^{\circ}C$ in a low vacuum atmosphere showed the highest electrical properties, with electrical resistivity of about $8{\sim}10{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$, and optical transmittance of ~85% in the visible range. Our research demonstrates the feasibility of low-cost solution-processed transparent conductive oxide thin films, by controlling the appropriate doping concentration and annealing conditions.
Multilayer transparent electrodes, having a much lower electrical resistance than the widely used transparent conducting oxide electrodes, were prepared by using radio frequency magnetron sputtering. The multilayer structure consisted of five layers, indium tin oxided (ITO)/zinc oxide (ZnO)/Ag/zinc oxide (ZnO)/ITO. With about 50 nm thick ITO films, the multilayer showed a high optical transmittance in the visible range of the spectrum and had color neutrality. The electrical and optical properties of ITO/ZnO/Ag/ZnO/ITO multilayer were changed mainly by Ag film properties, which were affected by the deposition process of the upper layer. Especially ZnO layer was improved to adhesion of Ag and ITO. A high quality transparent electrode, having a resistance as low as and a high optical transmittance of 91% at 550 nm, was obtained. It could satisfy the requirement for the flexible OLED and LCD.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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