2 K superfluid helium cryogenic system is the crucial component of many large accelerators. When the cryogenic system is operating at 2K@3129Pa, many room-temperature parts are connected to superfluid helium via tubes. Air Leakage in these connections may lead to air contamination of the cryogenic system. Air contamination may cause equipment failure in cryogenic systems and, in extreme cases, render the entire accelerator system inoperable. Helium guard is a technique that guards against air contamination of these sub-atmospheric pressure connections in 2 K superfluid helium cryogenic system. This paper introduces a typical 2 K cryogenic distribution design for large accelerators, and make risk analysis of air contamination. Finally, the analysis of specific leakage points and detailed engineering design are presented, which may be used as a reference when designing of a 2 K superfluid helium cryogenic distribution system.
Purpose - By filling the existing research hole and supplying a whole evaluation, this test wants to offer actionable insights for stakeholders navigating the intersection of sustainability and financial prosperity. Ultimately, this study contributes to the evolving speak on ESG, fostering a deeper comprehension of its implications for fostering sustainable economic increase. Research design, data, and methodology - Based on the numerous prior literature, the current study adopts a rigorous and systematic approach to discover the connection between Environmental, Social, and Governance (ESG) performance and its effect on a financial boom. The Preferred Reporting Items for Systematic Reviews and Meta-Analyses (PRISMA) method is the guiding framework for systematically accumulating and analyzing earlier research studies. Result: The finding of this study indicates that using ESG-pushed innovation, practitioners can force technological advancements inside their respective industries. By combining sustainability with research and improvement tasks, corporations can be leaders in selling economic boom through current, green solutions. Conclusion - In summary, this study concludes that embracing those findings in this study allows practitioners and managers to enhance their organization's easy regular, well-known traditional regular standard overall performance and undoubtedly contribute to a broader financial boom via leveraging the transformative strength of ESG necessities.
본 연구에서는 수평형 전계 방출 소자를 제작하고 그 특성을 측정하였다. 이를 진공자장 센서에 이용하기 위하여 Lorentz 원리를 응용하여 센서를 설계하고 제작하였다. $POCl_3(10^{20}cm^{-3})$ 도핑된 다결정 실리콘을 전계 방출 소자의 음극 및 양극 재료로 이용하였으며 그 두께는 각각 $2\;{\mu}m$였다. PSG(두께 $2\;{\mu}m$)를 희생층으로 사용하여 최종 단계에서 불산을 이용하여 제거하고 승화건조법을 이용하여 소자의 기판 점착 현상을 방지하였다. 제작된 소자를 유리기판 #1 위에 silver paste로 고정시키고 Cr 전극 패드와 와이어본딩 한 뒤 진공내에서 양극접합공정을 이용하여 소자를 $1.0{\times}10^{-6}\;Torr$에서 진공 실장하였다. 실장 후 게터를 활성화하여 내부진공도를 향상시켰다. 이렇게 패키징된 소자는 두달여 기간 동안 특별한 특성저하 없이 잘 동작되었으며 그 이상의 기간에 대해서는 확인하지 못하였다. 패키징된 자장 센서는 패키징하기 전 진공챔버 내에서 보인 특성치와 별다른 차이 없이 잘 동작되었으며 단지 약간의 전류 감소 현상만이 관찰되었다. 측정된 센서의 감도는 약 3%/T로서 작은 값이었으나 그 가능성을 확인할 수는 있었다.
The surface recombination velocity of the silicon solar cell could be reduced by passivation with insulating layers such as $SiO_2$, SiNx, $Al_2O_3$, a-Si. Especially, the aluminium oxide has advantages over other materials at rear surface, because negative fixed charge via Al vacancy has an additional back surface field effect (BSF). It can increase the lifetime of the hole carrier in p-type silicon. The aluminium oxide thin film layer is usually deposited by atomic layer deposition (ALD) technique, which is expensive and has low deposition rate. In this study, ICP-assisted reactive magnetron sputtering technique was adopted to overcome drawbacks of ALD technique. In addition, it has been known that by annealing aluminium oxide layer in nitrogen atmosphere, the negative fixed charge effect could be further improved. By using ICP-assisted reactive magnetron sputtering technique, oxygen to nitrogen ratio could be precisely controlled. Fabricated aluminium oxy-nitride (AlON) layer on silicon wafers were analyzed by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) to investigate the atomic concentration ratio and chemical states. The electrical properties of Al/($Al_2O_3$ or $SiO_2/Al_2O_3$)/Si (MIS) devices were characterized by the C-V measurement technique using HP 4284A. The detailed characteristics of the AlON passivation layer will be shown and discussed.
The coupling of two semiconducting materials is an efficient method to improve photocatalytic activity via the suppression of recombination of electron-hole pairs. In particular, the coupling between two different phases of $TiO_2$, i.e., anatase and rutile, is particularly attractive for photocatalytic activity improvement of rutile $TiO_2$ because these coupled $TiO_2$ powders can retain the benefits of $TiO_2$, one of the best photocatalysts. In this study, anatase $TiO_2$ nanoparticles are synthesized and coupled on the surface of rutile $TiO_2$ powders using a microemulsion method and heat treatment. Triton X-100, as a surfactant, is used to suppress the aggregation of anatase $TiO_2$ nanoparticles and disperse anatase $TiO_2$ nanoparticles uniformly on the surface of rutile $TiO_2$ powders. Rutile $TiO_2$ powders coupled with anatase $TiO_2$ nanoparticles are successfully prepared. Additionally, we compare the photocatalytic activity of these rutile-anatase coupled $TiO_2$ powders under ultraviolet (UV) light and demonstrate that the reason for the improvement of photocatalytic activity is microstructural.
과거와 비교하여, 오늘날의 사람들은 오픈 채널을 통해 단말기를 제어할 수 있다. 비록 이러한 오픈 채널이 사용자들에게 편의를 제공하지만, 보안 사고의 빌미를 제공 하기도 한다. 본 논문은 단말기 간의 관계들에 가중치를 주는 인간 중심적인 보안 리스크 분석 방법을 제안한다. 이 방법은 네트워크에 존재하는 한 노드가 가지는 평균적인 불확실성을 표현하는 엔트로피 레이트를 응용하여 만들어졌다. 다른 크기의 네트워크들을 비교하는데 있어서 엔트로피 레이트를 이용하는 것에는 한계가 있기때문에, 주어진 네트워크에 대하여 주어진 네트워크와 동일한 노드수를 가진 컴플릿 네트워크의 엔트로피레이트를 나누어 비교가 가능하도록 만들었다. 또한, 그래프 상에서 랜덤워크에 대한 엔트로피 레이트의 기본 전제인 irreducible의 위배를 피하는 방법 또한 기술하였다.
A new $\pi$-conjugated polymer, poly[(2-methoxy-(5-(2-(4-oxyphenyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole)-hexyloxy))-1,4-pheny1ene-1,2-etheny1ene-alt-(10-hexyl-3,7-phenothiazine )-1,2-ethenylene] (PTOXDPPV), was synthesized by the Heck coupling reaction. The electron transporting unit, conjugated 1,3,4-oxadiazo1e (OXD), is attached on the main chain via linear 1,6-hexamethylenedioxy chain. The band gap and photoluminescence (PL) maximum of PTOXDPPV are 2.35 eV and 565 nm, respectively. These values are very close to those of po1y[(2,5-didecyloxy-1,4-phenylene-1,2-etheny1ene )-alt-(l0-hexyl-3,7-phenothiazine)-1,2-ethenylene] (PTPPV), which does not have OXD pendant. The estimated HOMO energy level of PTOXDPPV was -4.98 eV, which is very close to that of PTPPV (-4.91 eV). The maximum wavelength of EL device based on PTOXDPPV and PTPPV appeared at 587 and 577 nm, respectively. In the PL and EL spectrum, the emission from OXD pendant was not observed. This indicates that the energy transfer from OXD pendants to main chain is occurred completely. The EL device based on PTOXD-PPV (ITO/PEDOT/PTOXDPPV/AI) has an efficiency of 0.033 cd/A, which is significantly higher than the device based on PTPPV (ITO/PEDOT/PTPPV/AI) ($4.28{\times}10^{-3}\;cd/A$). From the results, we confirm that the OXD pendants in PTOXDPPV facilitate hole-electron recombination processes in the emissive layer effectively.
본 논문은 이동 통신 단말기에 사용되는 DCS, PCS / 위성 DMB 이중 대역에서 동작하는 이중 커플드 라인을 이용한 적층형 미앤더 칩 안테나의 설계 및 제작 측정에 관한 논문이다. 안테나의 면적을 줄이기 위한 적층형 미앤더 구조를 구현하기 위해 유전체의 윗면과 아랫면에 인쇄되어 있는 미앤더 부분을 직경 0.35 mm 그리고 높이 0.8 mm인 비아를 사용하였다. 그리고 이중 대역 동작을 위해 적층형 미앤더 구조에 이중 커플드 라인을 연결하였다. 이중 대역 동작 주파수 간 비는 커플드 라인의 구조 변수에 의해 변화된다. 제작된 안테나는 유전율이 4.2인 FR-4 기판을 사용하였고 면적은 $15.2{\times}7{\times}0.8mm^3$이다. 측정된 대역폭(VSWR<2)은 DCS, PCS 대역에서 244 MHz이고 위성 BMB 대역에서 120 MHz이다.
Herein, we report the manufacture of high-performance, ambipolar organic field-effect transistors (OFETs) and complementary-like electronic circuitry based on a blended, polymeric, semiconducting film. Relatively high and well-balanced electron and hole mobilities were achieved by incorporating a small amount of ionic additives. The equivalent P-channel and N-channel properties of the ambipolar OFETs enabled the manufacture of complementary-like inverter circuits with a near-ideal switching point, high gain, and good noise margins, via a simple blanket spin-coating process with no additional patterning of each active P-type and N-type semiconductor layer.
최근 반도체 소자의 집적회로는 점점 복잡해지고 있는 반면, 소자의 크기는 작아지고 있으며 그로 인해 패드의 크기가 작아지고 패드사이의 간격 또한 협소해지고 있다. 따라서 웨이퍼 단계에서 제조된 집적회로의 불량여부를 판단하기위한 검사 장비인 프로브카드(Probe Card)의 높은 집적도가 요구되고 있다. 하지만 기존의 MEMS 공법으로 제작되는 프로브 빔은 복잡한 제조 공정과 높은 생산비용, 낮은 집적도의 문제점을 가지고 있다. 본 연구에서는 이러한 문제점을 해결하기 위하여 간단한 제조 공정과 낮은 생산비용, 높은 집적도를 가지는 프로브 빔을 개발하기 위하여 절연절단 방식으로 BeCu (Beryllium-Copper) 프로브 빔을 제작하였다. 낮은 소비 전력으로 우수한 프로브 빔 어레이를 제작하기 위해서 가장 고려해야할 대상은 프로브 빔의 재료와 구조(형상)이다. 절연전단 방식으로 프로브 빔을 형성할 때 요구되는 Fusing current는 프로브 빔의 구조(형상)에 크게 영향을 받는다. 낮은 Fusing current는 소비 전력을 줄여주고, 절연절단으로 형성되는 프로브 빔의 단면(끝)을 날카롭게 하여 프로브 빔과 집적회로의 패드 간의 접촉 저항을 감소시킨다. 프로브 빔의 제작은 BeCu 박판을 빔 형태로 식각하여 제작하였으며, 실리콘 비아 홀(Via hole) 구조의 기판위에 정렬하여 soldering 공정을 통해 실리콘 기판과 BeCu 박판을 접합시켰다. 접합된 프로브 빔의 끝부분을 들어 올린 상태로 전류를 인가하여 stress free 상태로 만들어 내부 응력을 제거하였으며, BeCu 박판에 fusing current를 인가하여 BeCu 박판 프레임으로부터 제거를 하였다. 제작된 프로브 빔의 길이는 1.7 mm, 폭은 $50{\mu}m$, 두께는 $15{\mu}m$, 절단부의 단면적은 1$50{\mu}m^2$로 제작되었다. 그리고 프로브 빔의 절단부의 길이는 $50{\mu}m$ 부터 $90{\mu}m$까지 $10{\mu}m$ 증가시켜 제작되었다. 이후에 절연절단 공정에 요구되는 Fusing current를 측정하였고, 절연절단 후의 절단면의 형상을 SEM (Scanning Electron Microscope)장비를 통하여 확인하였다. 절단부의 길이가 $50{\mu}m$일 때 5.98A의 fusing current를 얻었으며, 절연절단 후 절단부 상태 또한 가장 우수했다. 본 연구에서 제안된 프로브 빔 제작 방법은 프로브카드 및 테스트 소켓(Test socket) 생산에 응용이 가능하리라 기대한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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