• 제목/요약/키워드: Varactor 다이오드

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버렉터 다이오드를 이용한 가변 대역통과여파기 설계 (A Design of Tunable Band Pass Filter using Varactor Diode)

  • 하정현;신은영;강민우;권칠현;박병훈;임종식;최흥택;안달
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제10권6호
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    • pp.1196-1200
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    • 2009
  • 본 논문에서는 통과대역을 가변하는 대역통과여파기를 제안하였다. 이 여파기의 구조는 2단 Direct Capacitive Coupled 공진기 대역통과여파기이며, 중심주파수의 가변을 위하여 여파기에 사용된 병렬 공진기의 캐패시터를 버렉터 다이오드로 대체하였다. 본 논문에서는 중심주파수 200MHz에서 최대 245MHz까지 가변되는 대역통과여파기를 제작하여 설계 이론의 타당성을 검증하였다.

FMCW 응용을 위한 우수한 성능의 W-band 도파관 전압조정발진기 (High Performance W-band VCO for FMCW Applications)

  • 류근관;이진구;김성찬
    • 한국통신학회논문지
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    • 제37권4A호
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    • pp.214-218
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    • 2012
  • 본 논문에서는 FMCW(frequency modulation continuos wave) 응용에서 사용 가능한 우수한 성능의 W-band 도파관 전압조정발진기를 구현하였다. 중심주파수가 94 GHz인 도파관 전압조정발진기(VCO, voltage controlled oscillator)를 구현하기 위하여 GaAs 건 다이오드(Gunn diode) 및 버렉터 다이오드(varactor diode)와 저역통과필터(LPF, low pass filter)를 적용한 두 개의 바이어스 포스트(bias post)를 이용하였으며, 발진기의 동공(cavity)을 47 GHz에서 발진하도록 설계하여 2체배된 신호를 사용하였다. 제작된 전압조정발진기는 1.095 GHz의 대역폭, 1.69%의 오차율 특성을 갖는 590 MHz의 선형성 구간과 14.86~15.93 dBm의 출력전력 특성을 나타내었다. 위상잡음은 전 구간에서 -95 dBc/Hz(at 1 MHz offset) 이하의 우수한 특성을 얻었다.

가변 주파수 특성을 갖는 평면형 모노폴 안테나 설계 (Planar Frequency-Reconfigurable Monopole Antenna Design)

  • 김영규;임종식;한상민
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제25권11호
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    • pp.1121-1127
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    • 2014
  • 본 논문에서는 가변 커패시터를 이용한 주파수 재구성형 평면 안테나를 제안하였다. 제안된 안테나는 미앤더 타입의 평면 모노폴로 설계되었으며, 버랙터 다이오드를 사용하여 가변 커패시티브 로딩(capacitive loading)에 의해 공진 주파수를 변화하였다. 등가회로 분석과 EM 시뮬레이션 분석에 의해 안테나의 가변 특성 변화를 설계하였으며, 동일한 방사 패턴의 특성도 확인하였다. 제작된 주파수 가변 모노폴 안테나는 설계시 사용된 캐패시터를 실장한 안테나와 버랙터 다이오드의 인가 전압에 따른 공진 주파수 변화를 비교함으로써 설계 결과를 검증하였다. 제안된 안테나는 인가 전압에 따라 2.25 GHz에서 2.42 GHz까지 공진 주파수 가변 성능을 나타내었다.

바렉터 다이오드를 이용하지 않은 광대역 Push-Push 전압제어 발진기 (A Novel Varactor Diodeless Push-Push VCO with Wide Tuning Range)

  • 이문규;문성모;민상보
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제16권4호
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    • pp.345-350
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    • 2005
  • 본 논문에서는 저가형 구조에 이용 가능한 X-band 대역의 push-push형 VCO를 제안하였다. 제작된 push-push형 발진기는 부가적인 바렉터 다이오드를 사용하지 않고, 컬렉터 바이어스를 가변하여 X-band에서 넓은 주파수 가변을 얻었다. 측정 결과 컬렉터 바이어스 전압을 $4\~9V$ 가변하였을 때 $10.9\cal{GHz}\~11.8\cal{GHz}$$900\cal{MHz}$의 주파수 가변, $-30\;\cal{dBc}$ 이하의 우수한 $f_0$ 억압 특성, $-115\;\cal{dBc/Hz}\;@\;1\;\cal{MHz}$의 위상 잡음 특성을 가졌다.

장갑표적 감지센서용 94GHz 도파관 하모닉 전압조정발진기 설계 기법 (A Design Method of the 94GHz(W-Band) Waveguide Harmonic Voltage Controlled Oscillator for the Armor Sensor)

  • 노진입;최재현;리준문;안병철
    • 한국군사과학기술학회지
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    • 제8권3호
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    • pp.64-72
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    • 2005
  • In this paper, we propose a design method of the millimeter-wave(W-Band) waveguide cavity harmonic voltage controlled oscillator(VCO) using a Gunn diode for the armor sensor. Using the 3-dimensional simulation tool(Ansoft $HFSS^{TM}$), we were able to find the impedance matching point between waveguide and Gunn diode and estimate the oscillation frequency. A varactor diode is used for the frequency tuning, and we find out the equation for the calculation of the tunable frequency range. The designed VCO shows good performances; 17dBm output power at 94GHz center frequency, 520MHz frequency tuning range similar to the estimated value(480MHz).

고출력 특성을 고려한 능동 가변 대역 통과 여파기 설계 (An Active Tunable Bandpass Filter Design for High Power Application)

  • 김도관;윤상원
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제21권3호
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    • pp.262-268
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    • 2010
  • 본 논문에서, 부성 저항 특성을 갖는 능동 커패시턴스 회로를 이용한 고출력 능동 가변 대역 통과 여파기는 동축형 유전체 공진기와 버랙터 다이오드를 사용하여 설계하였으며, 셀룰러 TX, RX 대역을 모두 가변할 수 있도록 설계하였다. 능동 커패시턴스 회로의 직렬 피드백 구조는 가변 대역 통과 여파기의 버랙터 다이오드로부터 생기는 손실을 보상함과 동시에 고출력 특성을 갖도록 하기 위해 $P_{1dB}$가 32 dBm인 GaAs HFET을 사용하였다. 버랙터 다이오드는 고선형 특성을 갖도록 하기 위해 back-to-back 구조를 사용하였다. 제작된 2단 능동 가변 대역 통과 여파기는 셀룰러 대역인 800 MHz에서 900 MHz를 가변하며, 각각 25 MHz 대역폭으로 TX 대역 836 MHz에서 0.48 dB 삽입 손실 특성을 나타냈으며, RX 대역 881.5 MHz에서 0.39 dB 삽입 손실 특성을 나타내었다. $P_{1dB}$특성은 TX 및 RX 대역에서 각각 19.5 dBm과 23 dBm을 얻었다.

바랙터다이오드에 의한 능동 위상차 배열 안테나의 발진 주파수 가변 범위의 확장 (Expansion of Variable Range of Oscillation Frequency of Active Phased Array Antenna by a Varactor Diode)

  • 최영규
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제52권11호
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    • pp.521-528
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    • 2003
  • A varactor diode was utilized in order to expand variable range of the natural oscillation frequency of an active phased-array antenna. We have conformed experimentally that the variable range of the natural oscillation frequency was expanded about three times in the oscillator controlled by the varactor diode. When frequency difference was given to the oscillators in the two elements antenna system, phase difference was appeared between the oscillators. The 2-, 3-, 5-elements patch antenna array was composed for the beam scanning experiments. All the above patch antennas showed good phased array characteristics. The experimental results are as follows that the scanning angle of the 2-elements array antenna is 28.6$^{\circ}$, the 3-elements array antenna is 29.4$^{\circ}$, and the 5-elements array antenna is 26.2$^{\circ}$.

바렉터 다이오드를 이용하지 않은 광대역 Push-Push 전압제어 발진기 (A Novel Varactor Diodeless Push-Push Voltage Controlled Oscilltor with Wide-Tuning Range)

  • 이문규;문성모;민상보
    • 한국전자파학회:학술대회논문집
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    • 한국전자파학회 2003년도 종합학술발표회 논문집 Vol.13 No.1
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    • pp.100-103
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    • 2003
  • A Ku-band Push-push VCO for low cost applications is proposed. The proposed push-push oscillator achieves a wide tuning range in Ku-band by the collector bias tuning instead of extra varactor diodes. The measurement shows a wide tuning range of 900MHz, fundamental suppression of -30dBc and good phase noise of -115dBc@1MHz offset.

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가변 캐패시터와 Branch Coupler를 이용한 반사형 아날로그 위상 변위기 연구 (A Study on the Reflection Type Analog Phase Shifter using Varactor and Branch Coupler)

  • 유강희
    • 한국통신학회논문지
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    • 제29권3A호
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    • pp.311-317
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    • 2004
  • Varactor 다이오드와 branch coupler를 이용한 반사형 아날로그 위상 변위기 설계에 대하여 기술하였다. 1단의 위상 변위기로 위상 변위를 크게 하기 위하여 마이크로 스트립 stub기법을 사용하였으며 2.260GHz 주파수대에서 제작 결과 170$^{\circ}$의 위상이 변화함을 확인하였다. 측정된 삽입손실을 3㏈ 이하이었고. 반사 손실은 12㏈ 이상이었다. 본 논문에서는 설계 기법과 제자 및 실험 결과를 상세히 기술하였다.

다이오드의 소신호 및 대신호 등가모델에 관한 연구 (A Study on Small-signal and Large-signal Equivalent Model for Diodes)

  • 최민수;양승인;전용구
    • 한국전자파학회:학술대회논문집
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    • 한국전자파학회 2001년도 종합학술발표회 논문집 Vol.11 No.1
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    • pp.267-271
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    • 2001
  • 다이오드의 소신호 및 대신호 파라미터 추출은 DC 해석, 외부 기생 소자 추출, 마지막으로 5-파라미터에 의한 내부소자 추출로 이루어진다. DC IV-곡선과 S-파라미터의 curve-fitting으로 내부 파라미터를 구하였고 외부 기생소자는 바이어스에 따라 변하지 성질을 이용하였다. 사용된 소자는 Schottky diode는 SIEMENS사의 BAS125를, Varactor diode는 SONY사의 1t362를, PIN diode는 Hitachi사의 HVM14S를 모델로 사용하였다. 실측을 위해 사용된 소자는 각각 HP사의 HSMS-2822, SONY사의 1t362, HP사의 HSMP-3834을 이용하여 측정하였다.

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