Semiconductor CdSe nanowires (NWs) can serve as model systems for investigating the physical properties of one-dimensional (1D) nanostructures and have great potential for applications in electronics and photonic nanodevices. With numerous attractions arisen from their physical properties, CdSe NWs have been synthesized by vapor-liquid-solid (VLS) methods, but they have some limitations of high reaction temperature and low production. Here, we synthesized CdSe NWs via the solution-liquid-solid (SLS) mechanisms using bismuth (Bi) covered substrates as a low-melting point catalyst and compared the products after injecting identical amount of Se and different amount of tributylphosphine (TBP). CdSe NWs have similar diameters but longer lengths with decreasing TBP, so we proposed the role of TBP as a solvent and capping agent of Se.
In the $Al(OH)_3-SiO_2-AlF_3$ system, leaf-shaped fluorotopaz was first formed at $800^{\circ}C$ and mullite whisker was formed at $1,100^{\circ}C$. The mass transportation of Al and Si as gas phase, the fast reaction and growth, and the absence of liquid phase existence in mullite whisker showed that the formation and growth of mullite was from the solid-vapor reaction.
Single crystalline Au nanowires were successfully synthesized in a tube-type furnace. The Au nanowires were grown by vapor phase synthesis technique using solid-liquid-solid (SLS) mechanism on substrates of corning glass and Si wafer. Prior to Au nanowire synthesis, Au thin film served as both catalyst and source for Au nanowire was prepared by sputtering process. Average length of the grown Au nanowires was approximately 1 ${\mu}m$ on both the corning glass and Si wafer substrates, while the diameter and the density of which were dependent on the thickness of the Au thin film. To induce a super-saturated states for the Au particle catalyst and Au molecules during the Au nanowire synthesis, thickness of the Au catalyst thin film was fixed to 10 nm or 20 nm. Additionally, synthesis of the Au nanowires was carried out without introducing carrier gas in the tube furnace, and synthesis temperature was varied to investigate the temperature effect on the resulting Au nanowire characteristics.
The vapor-liquid-solid (VLS) method, where the "liquid" catalytic droplets collecting atoms from vapor precursors build the solid crystal layers via supersaturation, is a ubiquitous technique to synthesize 1-dimensional nanoscale materials. However, the lack of fundamental understanding of chemical information governing the process inhibits the rational route to the structural programming. By combining the in situ or operando IR spectroscopy with post-growth high resolution electron microscopy, we show the strong correlation between the surface chemical species concentration and nanowire structures. More specifically, the critical role of surface adsorbed hydrogen, generated from the decomposition of Si2H6 precursor on the interplay between nanowire / kinking and the defect propagation is demonstrated. Our results show that adsorbed hydrogen atoms are responsible for selecting -oriented growth and indicate that a twin boundary imparts structural coherence. The twin boundary, only continuous at / kinks, reduces the symmetry of the trijunction and limits the number of degenerate directions available to the nanowire. These findings constitute a general approach for rationally engineering kinking superstructures and also provide important insight into the role of surface chemical bonding during VLS synthesis.
ZnO nanowlres (NWs) were fabricated using Au as catalyst for a method combining laser ablation cluster formation and vapor-liquid-solid (VLS) growth. The target used in synthesis was pure ZnO ceramics. Two different substrates were used; (0001)-oriented sapphires and Au-coated sapphires. The Au thin film was deposited by thermal evaporation and the thickness was about 50 ${\AA}$. ZnO NWs were only formed in case of that used catalyst metal. Field effect scanning electron microscopic (FESEM) investigation showed that the average diameter of ZnO NWs was about 70 nm and the typical lengths varied from $3{\sim}4{\mu}m$.
나노크기의 Au-Si을 촉매로 급속열화학기상증착(rapid thermal chemical vapor deposition)법을 이용하여 Si(111) 기판에 성장한 Si 나노선의 구조적인 형태 변화와 광학적 특성을 연구하였다. 기상-액상-고상(vapor-liquid-solid) 성장법에 의한 Si 나노선 형성 과정에서 액상 입자인 Au-Si 나노점은 나노선 성장온도에서 촉매로 사용되었다. 이 액상 나노점이 형성된 Si 기판에 1.0Torr 압력과 $500-600^{\circ}C$ 기판 온도 하에서 $SiH_4$와 $H_2$의 혼합가스를 공급하여 Si 나노선을 형성하였다. Si 나노선 성장 후 형태를 전계방출 주사전자현미경(Field Emission Scanning Electron Microscope)으로 관찰한 결과, 대부분의 나노선이 균일한 크기로 기판 표면에 수직하게 <111> 방향으로 정렬된 것을 확인하였다. 형성된 나노선의 크기는 평균 직경이 ${\sim}60nm$이고 평균 길이가 ${\sim}5um$임을 확인하였다. 또한 고 분해능 투과전자현미경(High Resolution-Transmission Electron Microscope) 관찰을 통해 Si 나노선은 약 3nm의 비정질 산화층으로 둘러 싸여 있는 Si 단결정임이 분석되었다. 그리고 마이크로 라만 분광(Micro-Raman Scattering)법을 통한 광학적 특성 분석 결과, Si의 광학 포논(Optical Phonon) 신호 위치가 Si 나노선 구조의 영향으로 낮은 에너지 쪽으로 이동하며, Si 포논 신호의 폭이 비대칭적으로 증가함을 확인하였다.
One-dimensional semiconductor nanowires and nanorods have attracted increasing interest due to their unique physical properties and diversity for potential electronic and photonic device applications., Unlike the conventional nanowires fabricated by metal catalyst-assisted vapor-liquid-solid (VLS) method, we developed metalorganic vapor-phase epitaxial (MOVPE) growth for which no catalyst is needed. The structural and photoluminecent properties will also be discussed. (omitted)
The densification process during liquid-phase sintering was simulated by Monte Carlo simulation. The Potts model, which had been applied to coarsening during liquid-phase sintering, was modified to include vapor particles. The results of two- and threedimensional simulations showed a temporal decrease in porosity, in other words, densification, and an increase in the average size of pores. The results also showed growth of solid grains and the effect of wetting angle on microstructure.
A simple molecular theory of mixtures is formulated based on the nonrandom two-fluid lattice-hole theory of fluids. The model is applicable to mixtures over a density range from zero to liquid density. Pure fluids can be completely characterized with only two molecular parameters and an additional binary interaction energy is required for a binary mixture. The thermodynamic properties of ternary and higher order mixtures are completely defined in terms of the pure fluid parameters and the binary interaction energies. The Quantitative prediction of vapor-liquid, and solid-vapor equilibria of various mixtures are demonstrated. The model is useful, in particular, for mixtures whose molecules differ greatly in size. For real mixtures, satisfactory agreements are resulted from experiment. Also, the equation of state (EOS) is characterized well, even the liquid-liquid equilibria behaviors of organic mixtures and polymer solutions with a temperature-dependent binary interaction energy parameter.
phase lubrication can be used as an alterative lubrication method to overcome the demerits of liquid and solid lubrications. In this work, the tribological characteristics of metals are investigated under vapor phase lubrication. It was found that the friction coefficient and wear volume can be controlled efficiently by the amount of vapor phase lubricant delivered to the sliding interface. The friction coefficient could be reduced to about 0.1 under vapor lubrication. Also, depending on the amount of vapor lubrication delivered to the system, the width of the wear track could be varied between 50 to 250 Um. It is shown that vapor phase lubrication mechanism is very effective to control the friction and wear phenomena without the use of excessive oil.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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