• Applied Science and Convergence Technology
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• 제23권4호
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• pp.169-178
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• 2014

Fluid model based numerical analysis is done to simulate a low damage etch back system for 20 nm scale semiconductor fabrication. Etch back should be done conformally with very high material selectivity. One possible mechanism is three steps: reactive radical generation, adsorption and thermal desorption. In this study, plasma generation and transport steps are analyzed by a commercial plasma modeling software package, CFD-ACE+. Ar + $CF_4$ ICP was used as a model and the effect of reactive gas inlet position was investigated in 2D and 3D. At 200~300 mTorr of gas pressure, separated gas inlet scheme is analyzed to work well and generated higher density of F and $F_2$ radicals in the lower chamber region while suppressing ions reach to the wafer by a double layer conducting barrier.

• 한국지반공학회:학술대회논문집
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• 한국지반공학회 2002년도 가을 학술발표회 논문집
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• pp.529-536
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• 2002

The purpose of this paper os to present and discuss some of flow and drain observed in modelling results. Because dredged fill ground of Yul-Chon located in the south coast of Korea is very soft, this ground should be improved after operation of surface stabilization. There are surface stabilization method such as chemical stabilization, desiccation, horizontally vacuum drain, replacement, and geosynthetics. In Yul-Chon, PTM(Progressive Trenching Method) is adopted to provide the necessity condition of surface desiccation. In the case trench in the dredged soft ground is formed by PTM equipment, pore water in the ground is drained through trench. There, drain and desiccation of surface ground increase, and bearing capacity is improved. In this research, when trench in the dredged soft ground is formed by PTM equipment, permeable characteristics and drain efficiency of pore-water are analyzed using SEEP/W software package. Results show variation of total head, pressure head, flux, hydraulic gradient, and flow quantity.

• 한국전산유체공학회:학술대회논문집
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• 한국전산유체공학회 2002년도 추계 학술대회논문집
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• pp.114-119
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• 2002

A numerical model is employed for design of a spinner device to dry the 5-th generation LCD glass panel. The turbulent flow in a spinner is driven by rotation of a large disk and suction by the exhaust system connected to vacuum chamber, which is simulated by using the FLUENT package. Based on numerical simulation, the required capacity of exhaust system is assessed. The effects of the presence of cover on the flow characteristics are examined. A computational trouble shooting is attempted to resolve the problem of panel rising which occurred in real experiments.

• 한국수산과학회지
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• 제33권3호
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• pp.238-242
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• 2000

소건 대멸치의 저장${\cdot}$유통 중 저장안정성을 부여하고자 건조 전항산화제를 처리하여 $37^{\circ}C$에 저장하였을 때 대멸치의 지질산화는 BHT를 첨가한 것이 현저하게 억제되었으며, 그 다음으로 ${\alpha}-trlcopherol$, rosemary 추출물, sage 추출물의 순이었다. 대멸치에 있어서 ${\alpha}-tocopherol$과 rosemary 추출물을 혼합처리한 항산화제의 항산화력은 BHT의 산화억제효과와 거의 비슷하였으며, 그 적정농도는 rosemary추출물 $0.1{\%}$와 $tocopherol\;0.1{\%}$를 혼합한 수준이었다. 건조한 대멸치를 $25{\circ}C$에 저장하였을 때 진공포장한 것이 항산화제의 산화방지 효과를 증대시키는 효과가 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.431-432
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• 2012

In the era of 20 nm scaled semiconductor volume manufacturing, Microelectronics Manufacturing Engineering Education is presented in this paper. The purpose of microelectronic engineering education is to educate engineers to work in the semiconductor industry; it is therefore should be considered even before than technology development. Three Microelectronics Manufacturing Engineering related courses are introduced, and how undergraduate students acquired hands-on experience on Microelectronics fabrication and manufacturing. Conventionally employed wire bonding was recognized as not only an additional parasitic source in high-frequency mobile applications due to the increased inductance caused from the wiring loop, but also a huddle for minimizing IC packaging footprint. To alleviate the concerns, chip bumping technologies such as flip chip bumping and pillar bumping have been suggested as promising chip assembly methods to provide high-density interconnects and lower signal propagation delay [1,2]. Aluminum as metal interconnecting material over the decades in integrated circuits (ICs) manufacturing has been rapidly replaced with copper in majority IC products. A single copper metal layer with various test patterns of lines and vias and $400{\mu}m$ by $400{\mu}m$ interconnected pads are formed. Mask M1 allows metal interconnection patterns on 4" wafers with AZ1512 positive tone photoresist, and Cu/TiN/Ti layers are wet etched in two steps. We employed WPR, a thick patternable negative photoresist, manufactured by JSR Corp., which is specifically developed as dielectric material for multi- chip packaging (MCP) and package-on-package (PoP). Spin-coating at 1,000 rpm, i-line UV exposure, and 1 hour curing at $110^{\circ}C$ allows about $25{\mu}m$ thick passivation layer before performing wafer level soldering. Conventional Si3N4 passivation between Cu and WPR layer using plasma CVD can be an optional. To practice the board level flip chip assembly, individual students draw their own fan-outs of 40 rectangle pads using Eagle CAD, a free PCB artwork EDA. Individuals then transfer the test circuitry on a blank CCFL board followed by Cu etching and solder mask processes. Negative dry film resist (DFR), Accimage$^{(R)}$, manufactured by Kolon Industries, Inc., was used for solder resist for ball grid array (BGA). We demonstrated how Microelectronics Manufacturing Engineering education has been performed by presenting brief intermediate by-product from undergraduate and graduate students. Microelectronics Manufacturing Engineering, once again, is to educating engineers to actively work in the area of semiconductor manufacturing. Through one semester senior level hands-on laboratory course, participating students will have clearer understanding on microelectronics manufacturing and realized the importance of manufacturing yield in practice.

• 한국식품과학회지
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• 제12권4호
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• pp.229-234
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• 1980

라면을 실험실(實驗室) 규모(規模)로 제조(製造)하여 일부(一部)는 Cellophane-PE필름(40 micron)에 (Control), 일부(一部)는 가스 불투과성(不透過性) Nylon-PVC-PE필름(40 micorn)에 탈산소제(脫酸素劑)(Fe-분말형(粉末型)) 및 150 ml의 공기와 함께, 또다른 일부(一部)는 같은 필름에 진공포제(眞空包製)(74 mmHg)하였다. 이상(以上)의 Control 및 시료(試料)를 항온기(恒溫器)$(45.0{\pm}0.5^{\circ}C)$에서 장기저장(長期貯藏)하여 탈산소제(脫酸素劑)의 산소제거능력(酸素除去能力), 각 시료(試料)의 유지성분(油脂成分)의 과산화물(過酸化物)값과 TBA값의 변화(變化)를 조사(調査)하였다. 그 결과(結果)는 다음과 같다. 1. 탈산소제(脫酸素劑)를 사용한 시료(試料)의 경우, 저장(貯藏) 48시간(時間) 후의 포제내(包製內)의 잔존산소량(殘存酸素量)은 포장직후(包裝直後)의 21%에서 0. 5%로 감소하였다. 2. Control, 탈산소제(脫酸素劑)를 사용한 시료(試料) 및 진공포제(眞空包製)한 시료(試料)들의 저장(貯藏) 45일(日) 후의 과산화물값은 $12.4{\pm}0.4$, $5.7{\pm}0.2$와 $6.8{\pm}0.1\;meq/㎏$이었으며, TBA값은 $1.31{\pm}0.04$, $0.60{\pm}0.04$와$0.72{\pm}0.07$로써 Control과 기타 시료(試料)들의 과산화물값 및 TBA값에는 큰 차이가 있었다. 특히 탈산소제(脫酸素劑)를 사용한 시료(試料)의 과산화물값과 TBA값은 Control은 물론(勿論) 진공포제(眞空包製)한 시료(試料)의 경우보다 낮았으며, 따라서 산패(酸敗)에 대해서 더 큰 안전성(安全性)을 갖았었다고 볼 수 있다.

• 농업생명과학연구
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• 제45권1호
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• pp.89-99
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• 2011

진공포장 한 건조발효햄에 감마선을 조사 (0, 2.5, 5, 7.5, 10 kGy)하여 저장 3개월 동안 이화학적 품질 (육색, 지방산패도, 염기태 질소화합물, pH) 및 미생물 (총균, 유산균) 생육특성을 평가하였다. 감마선 조사는 선량이 높을수록 시료의 표면 육색인 적색도 (a*)와 관능적 육색 및 기호도를 저하시켰다. 반면에 pH, 지방산패도, 염기태 질소화합물, 수분활성도에 큰 영향을 미치지 않은 것으로 나타났다. 미생물적 측면에서는 감마선 조사 수준이 높을수록 미생물학적 품질이 개선되었다. 관능적 측면인 풍미에서는 저장기간 및 처리구간에 유의적 차이는 나타나지 않았지만 육색 측면에서는 5 kGy 이상에서는 낮은 평점을 나타내었다. 따라서 건조발효햄의 저장기간을 고려할 때 미생물학적 및 이화학적 품질은 5 kGy 수준의 감마선 조사에 의해 개선되는 것으로 나타났다.

• 한국축산식품학회지
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• 제18권2호
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• pp.132-141
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• 1998

This study were carried out for investigation of physicochemical and sensory characteristics of shelf-life of Korean vaccum packaged chilled pork hams for export. The samples were stored at 0$\pm$1$^{\circ}C$ (A and B companies) and 2$\pm$1$^{\circ}C$ (C and D companies). In the proximate analysis of composition of hams, moistures were 75.36~76.57%, crude proteins 19.26~21.08%, crude fat 1.40~3.69% and crude ash 1.03~1.13%. TBA values were 0.192~0.264 mgMA/kg and did not change much during all storage times regardless of storage temperature. VBN values were 12.14~14.01mg / 100g after 50 days in the storage at $0^{\circ}C$, but the samples stored at 2$^{\circ}C$ exceeded 20mg/100g at 50 days. The values of pH were 5.71~6.50, which are higher than those of loins during all storage times. Purge losses were 1.23~1.98% at the initial time and 2.83~10.59% after 50 days. So, the variation among samples appeared to be large. Cooking losses appeared to be 33.86~56.24%. In the result of sensory evaluation of cooked meat, the ham of B company obtained good scores in all items. But, after 20 days, all samples were not significantly different in total acceptability.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.192-192
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• 1999

SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)는 다른 표면 분석장비와 비교하여^g , pp m,^g , pp b 단위의 미량분석이 가능한 장비로서, 특히 depth Profiling을 위한 dynamic SIMS는 Mass Spectrometer의 종류에 따라 Quadrupole SIMS (Q-SIMS)와, Magnetic Sector SIMS (M-SIMS)로 분류된다. 한편, Q-SIMS와 달리 M-SIMS의 경우, Transmission을 높여 주기 위해 Sample Holder에 수 keV의 bias를 걸어 주는데, 이로 인하여 분석 원소에 대한 Sensitivity가 향상되어 지는 반면, RSF의 변화와 같은 분석상의 Artifact가 발생하게 된다. 일반적으로 Q-SIMS의 경우에는 RSF의 RSD(Relative Standard Deviation)가 1%이내에서 보고되고 있지만 M-SIMS에 있어서는 이러한 Deviation이 M-SIMS보다 크게 나타난다. 이 차이는 주로 Sample Holder와 Immersion Lens 사이에 형성되는 Magnetic Field의 왜곡과 Spectrometer의 문제로부터 발생한다. 본 논문에서는 Sample Holder의 종류 및 holder so window 위치에 따라 RSF의 차이를 측정하고 그 data를 RS/1 통계 Package를 이용하여 계량적으로 검증하였으며, 그 차이의 원인과 대책을 제시하고자 한다. 실험에 사용된 Sample은 Si(100) p-type Wafer에 Boron을 이온 주입하여 제작하였다. 이온 주입 장비는 Varian E-500HP이며, 5.0E13 ions/cm2의 dose양을 80keV의 Energy로 각각 7도와 22도의 Tilt와 Twist Angle로 이온 주입을 하였다. SIMS분석에 사용된 Sample Holder는 각각 3 Hole, 9 Hole Type HOlder이며, 분석은 Cameca IMS-6f를 사용하여 B에 대한 Matrix Peak으로 28Si++를 얻었다. 실험 결과 3 Hole Type Sample Holder의 경우 RSF의 RSD는 5.84%, 9Hle Type Sample Holder의 경우는 14.3%로 나타났으나 분석 Window의 위치에 따르는 Grouping을 실시한 결과, 3 Hole Type Sample Holder의 경우 1.2%, 9Hole Type Sample Holder의 경우 9.8%로 RSF의 변화가 감소하였다. 이러한 Deviation은 Sample Holder를 Mount시킬 때 세 개의 Screw를 이용하여 Immersion Lens와의 평형을 잡아주기 때문에 발생하며, 이 Munting을 정확히 해줌으로써 RSF의 변화를 줄일 수 있으나, 실제로 완벽한 Mounting이 불가능하기 때문에 RSF를 일정하게 하기 위해서는 Sample Holder so Window의 취치를 일정하게 설정한 후 분석을 실시해야 한다고 판단된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.376.2-376.2
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• 2014

마이크로볼로미터 적외선 센서는 인체감지, 전자부품의 품질검사, 에너지 절감, 산업시설감시 및 군사용으로 다양하게 적용되고 있다. 기존에 이러한 적외선 센서의 감지재료로 VOx 또는 비정질 Si이 가장 많이 사용되고 있으며, VOx는 감도가 높고, 세계적으로 가장 많이 사용되고 있는 물질이다. 본 연구에서는 기존의 VOx 박막 증착법을 개선하여 Zn 산화물 박막을 혼용한 적외선 감지재료를 이용한 마이크로볼로미터 제작 및 특성에 대해 보고한다. RF sputtering 방법으로 약 140 nm의 VOx/ZnO/VOx 샌드위치 박막을 증착하고, 산소분위기에서 열처리함으로써 온도저항계수(TCR)가 약 -3.0 %/K의 값을 갖는 특성을 구현하였다. 갓 증착된 V-Zn 박막에서는 XRD 스펙트럼에서는 V2O5 관련 피크가 주로 관측되었으며, 산소열처리에 의해 VO2 피크가 새롭게 관측되었다. 볼로미터 감지소자는 유효면적 $50{\times}50{\mu}m^2$ 으로 bulk micromaching 공정을 통해 제작하였다. Si 기판위에 SiNx 박막을 PECVD 장치를 이용하여 증착하였으며, 적외선 감지층으로 V-Zn 산화물을 RF sputtering 방법으로 증착하여 열처리 후 SiNx passivation 박막으로 보호하였다. 열적고립을 위해 패터닝 후 Si 기판을 KOH 용액을 이용하여 약 $20{\mu}m$ 식각하여 소자를 구현하였다. 제작된 소자의 특성을 평가한 결과 반응도는 1.57e+4 V/W, 탐지도는 $8.79e+7cmHz^{1/2}/W$를 얻을 수 있었다. 소자의 동작 특성을 평가하기 위해 진공 압력을 1e-3 torr 이하에서 thermoelectric cooler를 장착한 metal package를 제작하여 동작온도에 따른 특성을 평가하였다. 동작온도를 $10^{\circ}C{\sim}40^{\circ}C$로 하여 측정한 결과 동작온도가 증가할수록 신호전압은 감소함을 알 수 있었다.