• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.327.1-327.1
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• 2016

모바일 기기의 폭발적 증가세로 인해 플래시 메모리의 수요가 증가하고 있다. 낸드 플래시 메모리는 적은 전력 소모량과 높은 전기적 효율 때문에 많은 많은 연구가 이루어지고 있다. 반면에 stress-induced leakage current, positive-charge-assisted tunneling, thermally-assisted tunneling 등의 문제로 신뢰성이 저하되는 문제가 발생한다. 프로그램/이레이즈 동작이 반복되면 소자에서 발생하는 에러의 발생비율이 늘어나 신뢰성이 저하되게 된다. 비록 신뢰성 저하 메커니즘에 대한 연구가 많이 이루어졌으나, 워드라인 스트레스에 의한 프로그램 특성 저하에 대한 구체적인 연구가 진행되지 않았다. 본 연구에서는 플래시 메모리의 워드라인 스트레스로 인한 전기적 특성 감소 현상을 보기 위해, 플로팅 게이트의 두께를 변화시키면서, electron density와 depletion region 의 변화를 관찰하였다. 낸드 플래시 메모리의 전기적 특성을 멀티 오리엔테이션 모델을 포함한 3차원 TCAD 시뮬레이션을 이용하여 계산하였다. 프로그램/이레이즈 동작이 증가함에 따라, 플로팅 게이트에 공핍영역이 생기고, 블로킹 옥사이드와 게이트 사이에 의도하지 않은 트랩이 생기게 된다. 이로 인해 프로그램/이레이즈 동작이 증가함에 따라, 플로팅 게이트의 electron density가 감소하는 경향을 보았다. 이 연구 결과는 낸드 플래시 메모리 소자에서 신뢰성을 향상시키고 프로그램 특성을 증진시키는데 도움이 된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.411.1-411.1
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• 2016

In this study, we examined the effects of boron doping on the dielectric reliability of solution processed aluminum oxide ($Al_2O_3$). When boron is doped in aluminum oxide, the hysteresis reliability is improved from 0.5 to 0.4 V in comparison with the undoped aluminum oxide. And the accumulation capacitance is increased when boron was doped, which implying the reduction of the thickness of dielectric film. The improved dielectric reliability of boron-doped aluminum oxide is originated from the small ionic radius of boron ion and the stronger bonding strength between boron and oxygen ions than that of between aluminum and oxygen ions. Strong boron-oxygen ion bonding in aluminum oxide results dielectric film denser and thinner. The leakage current of aluminum oxide also reduced when boron was doped in aluminum oxide.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.145-145
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• 2015

처음 유기물의 인광 발견 이후 Host-dopant 시스템을 이용하여 Emission layer(EML)을 Co-deopsition 하는 방법으로 주로 인광 유기 발광 다이오드를 제작 하였다. [1] co-deposition을 이용해 만든 유기 발광 다이오드에 많은 장점이 있지만, 반대로 소자를 제작하는데 있어서는 많은 문제점을 가지고 있다. [2-4] 이러한 문제점을 개선하기 위하여 co-deposition 대신 non-doped Multi Quantum Well(MQW) 구조를 사용하여 doping 하지 않는 방법을 이용하는 논문들이 보고 되고 있다. Hole, electron, exciton이 MQW 구조를 지나면서, dopant well 안에 갇히게 되고, 그 안에서 다른 layer 간에 energy transfer와, hole-electron leakage가 줄어 들어, 더 효율적인 유기 발광 다이오드를 만들 수 있게 된다. [5-7] 이 연구에서는 CBP를 Potential Barrier로 사용하고, Ir(ppy)3 (Green dopant), Ir(btp)2 (Red dopant) 를 각각 Potential Well로 사용하였고, 두께는 CBP 9nm, dopant 1nm로 하였다. 이러한 소자를 만들고 dopant를 3개의 well에 적당히 배치하여, 각 well에서의 실험적인 발광 량 과, EML 안에서의 발광 mechanism 그리고 각 potential barrier를 줄여가며 dexter, forster에 의한 energy transfer에 대하여 알 수 있었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.5 no.3
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• pp.223-228
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• 1996

$SiO_2$ insulator layers on InSb have been prepared by remote PECVD system a low temperature below $200^{\circ}C$. The effects of deposition pressure, temperature, and gas flow ratio on the physical and electrical characteristics of the $SiO_2$ were studied. The InSb MIS device using $SiO_2$ was fabricated and measured its current-voltage and capacitance-voltage characteritance-voltage charateristics at 77K. The films evaluated Auger electron spectroscopy showed that composition atoms were distributed uniformaly throughout the oxide film and the outdiffusion of substrate atoms into the oxide were few. The leakage current density of the MIS device was about 6.26nA/$\textrm{cm}^2$ at 0.75MV/cm , and the breakdown voltage was about 1MV/cm. The interface-stage density at mid-bandgap extracted from 1MHz C-V measurement was $54\times 10^{11}\textrm{cm}^2-2V^{-1}$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2001.02a
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• pp.201-201
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• 2001

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• v.3 no.2
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• pp.107-111
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• 1999

We developed the experimental function (ERF) which can be used for the numerical curve fitting analysis in photoelectron spectroscopy (PES). We selected the core-levels of Ag 3d5/2 and Au 4f7/2 to obtain the ERF from the measured core-level spectra. For the numerical fourier transformation we applied the fast transform (FFT) algorithm. we considered optical (Wiener) filtering with the FFT due to noise and used Hann window function to remedy the information leakage in frequency domain due to discrete and finite sampling of measurement. The comparison of the curve fitting results using the ERF obtained in this work and the mathematical response function with a gaussian in the conventional approach shows clearly the improvement of the curve fitting analysis.

• Proceedings of the Korea Institute of Applied Superconductivity and Cryogenics Conference
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• 1999.02a
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• pp.173-176
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• 1999

Vacuum insulated pipes (VIP) are one of the important equipments for cryogenic fluids' transfer. Flange type of VIP, which can easily be installed at the site, uses a set of male and female bayonet with very small gap between them. In order to prevent leakage of liquid from inner pipe to bayonet. Teflon or Kel-F is located outside both the inner pipe of male and the guide of female. Even though liquid may leak at room temperature, it cannot leak at cryogenic temperature since Teflon shrinks much more than pipes and adheres closely to the inner pipe and guide. Teflon seal method has the advantage of easy fabrication, low cost and effective sealing compared to the conventional method.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.322.2-322.2
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• 2014

Lighting emitting diodes of n-ZnO/MQW/p-GaN structure are fabricated and investigated. To realize this LED structure, n-ZnO/MQW/p-GaN are grown by MOCVD. At several bias voltages, blue-green light is emitted from the ZnO mesa edge. However, the emission is restricted near the mesa edge. It is seen that the hole current does not spread well. It is because conductivity of p-GaN is extremely small. The break down voltage of the device is small compared to conventional InGaN/GaN LEDs. It is seen that ZnO columnar grain boundaries act as leakage current paths and non-radiative recombination center.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.177.2-177.2
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• 2014

현재 플렉시블 전자기기에 대한 수요가 증가함에 따라 Ag nanowire는 ITO 대체용 투명전극 물질로 주목받고 있다. Ag nanowrie 투명전극은 면저항이 약 $300{\Omega}/sq$ 정도인 PEDOT 투명전극 보다 성능이 우수하지만, 표면에 나노와이어의 적층으로 100 nm 크기의 돌기들이 존재하여 균일한 표면특성이 요구되는 투명전극에 불리한 요인이 된다. Ag nanowire를 투명전극으로 사용하여 OLED를 제조할 경우, 40 nm~100 nm의 두께를 갖는 HTL층보다 투명전극 표면의 Rpv 값이 큰 경우 Leakage current가 증가하므로 이러한 돌기들을 감소시키는 것이 Ag nanowire를 투명전극에 적용할 수 있는 중요한 요건이 된다. 본 연구에서는 PET film 위에 Ag nanowire를 얇게 코팅하여 투과도 약 87%, 면저항 $20{\Omega}/sq$ 이하의 특성을 갖는 투명전극을 제조하였다. 그리고 Ag nanowire를 코팅한 투명전극의 표면 Roughness를 감소시키기 위해 Roll press를 이용하여 나노와이어를 물리적으로 압착하였고, 압착된 Ag nanowire 투명전극 위에 PEDOT를 코팅하여 전도도 및 표면 Roughness를 감소시키는 연구를 진행하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.1 no.1
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• pp.183-189
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• 1992

The characteristics of N/O(SiOz/SisN4) film on WSi2 are compared with storage node Poly-Si. Leakage current and breakdown voltage are improved and storage capacitance is decreased. The oxidation rate of WSiz is more rapid than polycrystalline silicon. Thus the thick bottom oxide on the WSiz causes to the decrease of capacitance. The out diffusion of dopant impurity in polycrystalline silicon through the silicide leads to the formation of a depletion region in the polycrystalline silicon and the decrease of depletion capacitance. That results in the decrease of the overall storage capacitance.