• Journal of Korean Neurosurgical Society
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• 제56권4호
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• pp.344-347
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• 2014

Stent thrombosis is a major limitation of stent-assisted coiling, which is an effective method for treating wide-necked aneurysms. Although early in-stent thrombosis has been reported, very late stent thrombosis (VLST) (>1 year) has not been reported following implantation of a single self-expandable stent designed for coiling. Herein, the authors present a case of VLST that occurred 14 months after single stent implantation in a large paraclinoid aneurysm with an ultra-wide neck involving the parent artery circumferentially. This case indicates the need for establishing guidelines regarding the optimal duration of prophylactic antiplatelet therapy following stent-assisted coiling, which remains undefined in the neuroendovascular field.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제13권12호
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• pp.880-892
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• 2013

약물방출 스텐트 (drug-eluting stents, DES)는 일반금속 스텐트에 비하여 재협착을 현저하게 줄었지만, DES의 구조적인 특성으로 인한 스텐트 혈전증 (stent thrombosis, ST)이 증가한다고 알려져 있다. 혈전증 유형의 정의는 Early ST ; (EST)은 30일 이내, Late ST ; (LST)은 31일 이상에서 1년 이내 그리고 Very late ST ; (VLST)은 1년 이상으로 분류 하였다. 스텐트 세대별 (시장 출시와 스텐트 디자인, Polymer 향상에 따른) ST발생빈도, 임상 양상 및 예후를 알아보았다. 2003년 6월부터 2013년 6월까지의 전남대학교병원 심혈관센터에서 경피적 관상동맥 중재술을 시행 받은 10,273명 중 ST 발생은 134명 (1.30%) 이었다. 세대별 발생빈도는 1세대에서 81명 (0.79%)으로 높았으며, 세대별 ST 유형은 1세대에서는 VLST의 발생률이 높았고 (p=0.002), 2세대에서는 EST와 LST의 발생률이 높았지만 (p=0.025), 3세대에서는 유의한 차이가 없었다(p=0.278). ST로 인하여 사망한 14명은 EST 10명 (18.2%), LST 2명 (8.3%), VLST 2명 (3.6%)로서 EST에서 사망률이 높았다 (p=0.042). DES 시술 후 발생하는 ST는 1.3% 이였고, VLST는 1세대 스텐트에서 많았으며, 입원 중 사망률은 EST에서 높았다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권2호
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• pp.96-104
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• 2006

본 논문에서는 VLSI구현을 위한 CAN 프로토콜 컨트롤러의 최적화된 구조를 제안하였으며, 제안된 구조를 이용하여 VLSI로 구현하였다. 또한 많은 시간이 소요되는 검증의 문제점을 보완하기 위하여 3단계 검증기법을 제안하였으며 이를 통하여 빠른 속도의 검증이 가능하게 되었다. 제안된 구조는 기존의 CAN 프로토콜 컨트롤러보다 적은 사이즈의 게이트 수를 갖고 있을 뿐만 아니라 호스트 프로세서와의 연결이 용이하게 구성되어 있기 때문에 비용 및 효율성에서 장점을 갖고 있고, 제안된 3단계 검증기법은 반복되는 검증의 수를 줄임으로써 최적화된 검증을 수행하도록 구성되어 있기 때문에 빠른 속도의 검증이 가능하다. 설계된 CAN 프로토콜 컨트롤러는 0.35마이크론 CMOS공정을 이용하여 제작되었다.

• 한국정보처리학회논문지
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• 제3권5호
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• pp.1329-1336
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• 1996

많은 영상 데이타 압축 응용분야에서 DCT는 높은 압축 성능으로 인하여 널리 잘 알려져 있다. 그러나 낮은 비트율에서는 인간의 시각에 거슬리는 블록 효과(block artifacls)가 생기는 문제점을 가지고 있다. 또한 실제적인 응용에 있어서, DCT계수의 빠른 계산과 간단한 VLSI 구현도 중요한 과제이다. 따라서 블록 효과의 제거와 빠른 CT 계산은 실제적인 연구의 대상이 된다. 본 논문에서는 수정된 DCT 계산 방법을 연구 하였고, 이것은 빠른 계산과 함께 블록 효과를 효과적으로 제거할 수 있었다. 이러한 새로운 접근 방법을 낮은 비트 율에서 영상의 부호화 및 복호화에 적용하였다. 실제 영상을 대상으로 실험한 결과, 제안된 방법을 통해 표준적인 방법에 비하여 성능을 개선할 수 있었다.

• Journal of Information Processing Systems
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• 제4권4호
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• pp.121-132
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• 2008

VLSI chips have been tested using various automatic test equipment (ATE). Although each ATE has a similar structure, the language for ATE is proprietary and it is not easy to convert a test program for use among different ATE vendors. To address this difficulty we propose a tester structure expression language, a tester language with a novel format. The developed language is called the general tester language (GTL). Developing an interpreter for each tester, the GTL program can be directly applied to the ATE without conversion. It is also possible to select a cost-effective ATE from the test program, because the program expresses the required ATE resources, such as pin counts, measurement accuracy, and memory capacity. We describe the prototype environment for the GTL and the tester selection tool. The software size of the prototype is approximately 27,800 steps and 15 manmonths were required. Using the tester selection tool, the number of man-hours required in order to select an ATE could be reduced to 1/10. A GTL program was successfully executed on actual ATE.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1891-1894
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• 1999

We can classify the scratches after CMP process into micro-scratch and macro-scratches according to the scratch size, scratch intensity and defect map, etc. The micro-scratches on wafer after CMP process are discussed in this paper. From many causes, major factor that influences the formation of micro-scratch is known as particle size distribution of slurry.(1) It is indefinite what size or type of particle can cause micro-scratch on wafer surface, but there is possibility caused by large particle over 1um. The best way for controlling these large particle to inflow is to use the slurry filter on POU(Point of user). But the slurry filter(especially, depth-type filter) has sometimes the problem which makes more sever micro-scratches on wafer surface after CMP. We studied that depth-type slurry filter has what kind of week-points and the number of scratch could be reduced by lowering slurry flow rate and by using high spray bar which sprays DIW on polishing pad with high pressure.