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탄화규소 휘스커의 합성(I) : 반응기구의 율속반응 (Synthesis of Silicon Carbide Whiskers (I) : Reaction Mechanism and Rate-Controlling Reaction)

  • 최헌진;이준근
    • 한국세라믹학회지
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    • 제35권12호
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    • pp.1336-1336
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    • 1998
  • 2단계 열탄소환원법으로 탄화규소 휘스커를 Ar과 H2분위기에서 기상-고상, 2단계, 기상-액상-고상 성장기구를 통해 각각 합성하였다. Ar분위기에서 탄화규소 휘스커는 다음과 같은 반응기구로 성장하였다. SiO2(S)+C(s)-SiO(v)+CO(v) SiO(v)3CO(v)=SiC(s)whisker+2CO2(v) 2C(s)+2CO2(v)=4CO(v) 이때 전체 반응속도는 세번째 반응에 참여하는 탄소에 의해 지배되었다. 따라서 이 반응이 휘스커 합성의 율속반응으로 판단되었다. 한편 H2 분위기에서 탄화규소 휘스커는 다음과 같은 반응기구로 성장하였다.SiO2(s)+C(s)=SiO(v)+CO(v) 2C(s)+4H2(v)=2CH4(v) SiO(v)+2CH4(v)=SiC(s)whisker+CO(v)+4H2(v) 이때 전체 반응속도는 SiO(v) 기체의발생 속도에 의해 지배되었다. 따라서 첫번째 반응이 휘스커 합성의 율속 반응인 것으로 판단되었다.

한국산 나비나물속(콩과)의 세포분류학적 연구 (A cytotaxonomic study of Vicia L. (Fabaceae) in Korea)

  • 남보미;박명순;오병운;정규영
    • 식물분류학회지
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    • 제42권4호
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    • pp.307-315
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    • 2012
  • 한국산 나비나물속(Vicia)에 속하는 10분류군의 체세포 염색체수와 그 중 6분류군에 대한 핵형분석을 실시하였다. 본 연구에서 밝혀진 나비나물속의 체세포 염색체수는 2n = 12, 14 또는 24로서, 기본 염색체수 x = 6 또는 7의 이배체와 사배체로 밝혀졌다. 한국특산식물인 나래완두(V. hirticalycina, 2n = 2x = 12)의 염색체수는 본 연구에서 처음으로 밝혀졌다. 가는살갈퀴(V. angustifolia, 2n = 2x = 12), 등갈퀴나물(V. cracca, 2n = 4x = 24), 새완두(V. hirsuta, 2n = 2x = 14), 얼치기완두(V. tetrasperma, 2n = 2x = 14 + 2B), 벌완두(V. amurensis, 2n = 2x = 12), 노랑갈퀴(V. chosenensis, 2n = 2x = 12, 12 + 2B), 나비나물(V. unijuga, 2n = 4x = 24), 애기나비나물(V. unijuga f. minor, 2n = 4x = 24), 광릉갈퀴(V. venosa var. cuspidata, 2n = 4x = 24)의 체세포 염색체수는 기존의 보고들과 일치하였다. 핵형분석 결과, 등갈퀴나물은 2 m + 8 sm+ 2 st, 벌완두는 2 m + 2 sm + 2st, 나래완두는 3 m + 1 sm+ 2 st, 나비나물과 애기나비나물은 4 m + 6 sm + 2 st, 광릉갈퀴는 4 m + 8 sm로 각각 조사되었다.

Chest CT에서 Care Dose 4D+Care kV에 따른 화질과 입사표면선량 비교 (Comparisons of Image Quality and Entrance Surface Doses according to Care Dose 4D + Care kV in Chest CT)

  • 강은보
    • 한국방사선학회논문지
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    • 제16권1호
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    • pp.45-51
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    • 2022
  • 본 연구는 Chest CT에서 Care Dose 4D+Care kV System을 사용하여 촬영할 때와 CARE DOSE 4D 기능만을 사용했을 때, 그리고 Care Dose 4D와 관전압을 각각 80 kVp, 100 kVp, 120 kVp, 140 kVp로 변화를 주고 검사했을 때의 DLP값과 팬텀의 입사표면선량, 화질을 비교하여 최소의 선량으로 가장 최상의 화질을 유지할 수 있는 방법을 찾아보고자 하였다. DLP값은 Chest Care Dose 4D + Care kV semi 100으로 촬영하였을 때 6.727%, Chest Care Dose 4D + Care kV 로 촬영하였을 때 6.481% 감소하는 것으로 나타났다. Chest Non을 기준으로 입사표면선량에서 Chest Care Dose 4D + Care kV semi 100으로 검사하였을 때 16.519%, Chest Care Dose 4D + Care kV 로 검사하였을 때 15.705% 감소하는 것으로 나타났다. 영상의 화질에 대한 비교에서 Chest Non과 비교해서 Care Dose 4D + Care kV를 포함한 모든 촬영조건에서 SNR값과 CNR값을 비교한 결과 P>0.05로 유의한 차이가 없는 것으로 나타났다. Chest CT에서 Chest Care Dose 4D + Care kV를 사용해서 촬영한 결과 수동으로 kV와 mAS를 조정해서 얻은 최상의 조건의 결과 값과 비슷하게 피폭선량이 감소한 것으로 나타났으며, 영상의 SNR과 CNR에서도 유의한 차이가 없는 것으로 나타났다. Chest Care Dose 4D + Care kV 기능을 사용한다면 영상의 화질을 유지하면서 환자피폭을 줄일 수 있는 좋은 방법이라 생각된다.

2-pyran-4-ylidene-malononitrile을 기본으로 하는 작은 Band Gap을 가지는 공중합체의 합성 및 광전변환 특성 (Synthesis and Photovoltaic Properties of Low Band Gap π-conjugated Polymers Based on 2-pyran-4-ylidene-malononitrile Derivatives)

  • 유혜리;신웅;박정배;박상준;임준혁;김주현
    • 공업화학
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    • 제20권3호
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    • pp.273-278
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    • 2009
  • Heck coupling reaction을 이용해서 poly[2-(2,6-dimethylpyran-4-ylidene)malononitrile-alt-1,4-bis(dodecyloxy)-2,5-divinylbenzene] (PM-PPV), poly[2-{2,6-Bis-[2-(5-bromothiophen-2-yl)-vinyl]-pyran-4-ylidene}-malononitrile-alt-1,4-bis(dodecyloxy)-2,5-divinylbenzene] (PMT-PPV), poly[2-[2,6-Bis-(2-{4-[(4-bromophenyl)-phenylamino]-phenyl}-vinyl)-pyran-4-ylidene]-malononitrile-alt-1,4-bis(dodecyloxy)-2,5-divinylbenzene] (PMTPA-PPV)를 합성하였다. PM-PPV, PMT-PPV, PMTPA-PPV의 band gap은 각각 2.18 eV, 1.90 eV, 2.07 eV로 나타났다. LUMO 에너지 준위는 각각 3.65 eV, 3.54 eV, 3.62 eV로 나타났고 HOMO 에너지 준위는 각각 5.83 eV, 5.61 eV, 5.52 eV이고 소자를 제작하여 측정한 결과는 AM 1.5 G [1 sun condition ($100mA/cm^2$)]에서의 효율은 0.028%, 0.031%, 0.11%이고 open-circuit voltage (Voc)는 0.59 V~0.69 V로 나타났다.

탄소첨가한 Li3V2(PO4)3의 합성 및 전기화학적 특성 (Synthesis and Electrochemical Characteristics of Carbon added Li3V2(PO4)3)

  • 조영임;나병기
    • 전기화학회지
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    • 제15권2호
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    • pp.101-108
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    • 2012
  • 본 연구에서는 탄소를 첨가하여 $Li_3V_2(PO_4){_3}$의 낮은 전기전도도를 개선시켜서 고율 방전특성, 충 방전 사이클 특성을 향상시키는 것을 목적으로 하고 있다. 탄소 첨가제로는 글루코스와 CNT (carbon nano tube)를 사용하였으며, 탄소의 첨가 여부와 탄소 원료의 종류에 따라 합성된 $Li_3V_2(PO_4){_3}$의 구조적 그리고 전기화학적 특성에 대해 연구를 하였다. $Li_3V_2(PO_4){_3}$$Li_3V_2(PO_4){_3}$/C의 $Li_3V_2(PO_4){_3}$/CNT의 합성방법으로는 고상법을 이용하였다. 합성된 물질을 수소환원방법을 통하여 600, 700, 800, $900^{\circ}C$에서 소성해주었다. 합성된 물질로 양극 집전판을 제작하여 상대전극을 리튬메탈로 한 Coin 2032 cell을 만들어 전기화학적 특성분석을 진행하였다. 전지테스트는 정전류법을 이용하여 3.0~4.8 V까지 충 방전 실험을 하였다.

High-Level Expression of T4 Endonuclease V in Insect Cells as Biologically Active Form

  • Kang, Chang-Soo;Son, Seung-Yeol;Bang, In-Seok
    • Journal of Microbiology and Biotechnology
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    • 제16권10호
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    • pp.1583-1590
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    • 2006
  • T4 endonuclease V (T4 endo V) [EC 3. 1. 25. 1], found in bacteriophage T4, is responsible for excision repair of damaged DNA. The enzyme possesses two activities: a cyclobutane pyrimidine dimer DNA glycosylase (CPD glycosylase) and an apyrimidic/apurinic endonuclease (AP lyase). T4 denV (414 bp cDNA) encoding T4 en do V (138 amino acid) was synthesized and expressed using either an expression vector, pTriEx-4, in E. coli or a baculovirus AcNPV vector, pBacPAK8, in insect cells. The recombinant His-Tag/T4 endo V (rHis-Tag/T4 endo V) protein expressed from bacteria was purified using one-step affinity chromatography with a HiTrap Chelating HP column and used to make rabbit anti-His-Tag/T4 endo V polyclonal antibody for detection of recombinant T4 endo V (rT4 endo V) expressed in insect cells. In the meantime, the recombinant baculovirus was obtained by cotransfection of BacPAK6 viral DNA and pBP/T4 endo V in Spodoptera frugiperda (Sf21) insect cells, and used to infect Sf21 cells to overexpress T4 endo V protein. The level of rT4 endo V protein expressed in Sf21 cells was optimized by varying the virus titers and time course of infection. The optimal expression condition was set as follows; infection of the cells at a MOI of 10 and harvest at 96 h post-infection. Under these conditions, we estimated the amount of rT4 endo V produced in the baculovirus expression vector system to be 125 mg/l. The rT4 endo V was purified to homogeneity by a rapid procedure, consisting of ion-exchange, affinity, and reversed phase chromatographies, based on FPLC. The rT4 endo V positively reacted to an antiserum made against rHis-Tag/T4 endo V and showed a residual nicking activity against CPD-containing DNA caused by UV. This is the first report to have T4 endo V expressed in an insect system to exclude the toxic effect of a bacterial expression system, retaining enzymatic activity.

Theory of Radiative Transfer for 3.3-micron $CH_4$ emissions from the Auroral Regions of Jupiter

  • Kim, Sang Joon;Sohn, Mirim
    • 천문학회보
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    • 제39권1호
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    • pp.66.1-66.1
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    • 2014
  • Radiative transfer programs to simulate the 3-micron auroral $CH_4$ emissions of Jupiter have been developed. The formalism of the radiative transfer calculations including the thermal, fluorescent, and auroral emissions of the $CH_4$ bands for an atmospheric layer having an optical depth of ${\tau}_v$ is given by: ${\mu}dI_v/d{\tau}_v=I_v-{\varpi}_v{^*}J_v(1-{\varpi}_v{^*})B_v-{\varpi}{^*}F_{ov}{e}{x}{p}(-{\tau}_v/{\mu}_o)4{\pi}-hv{\varpi}{^*}V/4{\pi}$ where ${\varpi}_v{^*}$ is the single scattering albedo of $CH_4$ consisting of Einstein A coefficient and collisional deexcitation rate. Other terms are usual radiative transfer parameters appearing in textbooks including the terms for scattered ${\varpi}_v{^*}J_v$, thermal $(1-{\varpi}_v{^*})B_v$, and attenuated solar radiations $F_{ov}$ at the certain atmospheric layer. For auroral excitations, we include V, which is the number of excited states per $cm^3$ persec by auroral particle bombardments. We apply this formalism to the high-resolution spectra of the auroral regions observed with GNIRS/Gemini North, and will present preliminary results for the 3 micron auroral processes of Jupiter.

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표준 센서 출력신호를 5V 전압-출력을 변환하는 디지털 계측 증폭기 설계 (A Design of Digital Instrumentation Amplifier converting standard sensor output signals into 5V voltage-output)

  • 차형우
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제48권11호
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    • pp.41-47
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    • 2011
  • 산업용 표준 센서 신호처리를 위해 다양한 입력신호를 5V 전압 출력으로 변환하는 새로운 디지털 계측 증폭기(DIA)를 설계하였다. 이 계측 증폭기는 상용의 계측증폭기, 7개의 아날로그 스위치, 2개의 1.0V와 -10.0V의 기준전압, 그리고 4개의 저항기로 구성된다. 신호 변환원리는 입력신호에 따라 저항기와 기준전압을 디지털적으로 선택하여 5V의 출력전압을 얻도록 회로 구성을 바꾸는 것이다. 시뮬레이션 결과 DIA는 0V~5V, 1V~5V, -10V~+10V, 그리고 4mA~20mA의 입력신호에 대하여 우수한 0~5V 출력전압 특성을 얻을 수 있다는 것을 확인하였다. 4가지 입력 신호에 대하여 비선형오차는 0.1%이하이다.

상엽수확고 측정에 관한 연구 제 4보 추기상수각형질의 측정에 의한 익춘 상엽량의 예측 (Studies on the Estimation of Leaf Production in Mulberry Trees IV. Estimation of Spring Leaf Yield by the Measurement of Some Characters)

  • 한경수;장권열;안정준
    • 한국잠사곤충학회지
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    • 제10권
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    • pp.35-40
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    • 1969
  • 익춘상엽의 수확고를 예측하기 위하여 전년에 낙엽후의 상수에 대하여 수량과 상관관계가 높은 지조장(X$_1$), 절간수(X$_2$), 지조직경(X$_3$), 주당지수(X$_4$)의 4개 형질을 측정하여 이들 형질의 수량에 영향하는 가중치를 다중회귀방정식에 의하여 수량을 예측할 수 있도록 여러 가지 식을 유도하였다. 그 중 몇가지의 예를 들면 다음과 같다. 1. 지조장(X$_1$)과 절간수(X$_2$)를 측정하여 수량을 예측하기 위하여는 개량서반(V$_1$)에 있어서는Y$_1$v$_1$= -26.8939+50.3950X$_1$+1.1403X$_2$ 일지뢰(V$_2$)에 있어서는 $Y_1$v$_2$= -372.1091+116.6371X$_1$+0.1984X$_2$ 노상(V$_3$)에 있어서는 $Y_1$v$_3$= 149.8203+90.5125X$_1$-0.9775X$_2$ 수원상 4호(V$_4$)에 있어서는 $Y_1$v$_4$= 108,1496+59.4533X$_1$+1.4965X$_2$ 의 식에 지조장(X$_1$)과 절간수(X$_2$)의 측정치를 대입하면 수량을 예측할 수 있다. 2. 지조장(X$_1$), 절간수(X$_2$), 지조직경(X$_3$)의 3개형질을 측정하여 수량을 예측하는데는 각품종별로 각각 $Y_{7}$v$_1$= -54.4411+32.9869c1.1127X$_2$+21.7600X$_3$ $Y_{7}$v$_2$= -494.1480-1.8756X$_1$+0.9788X$_2$+110.0039X$_3$ $Y_{7}$v$_3$= 143.2836+29.1779X$_1$+0.1644X$_2$+48.4135X$_3$ $Y_{7}$v$_4$= 1243.2549+1.9454X$_1$+2.7118X$_2$-75.6669X$_3$ 3. 지조장(X$_1$), 절간수(X$_2$), 지조직경(X$_3$), 주당지수(X$_4$)의 4개 형질을 측정하여 수량을 예측하기 위하여는 각품종별로 각각 $Y_{11}$v$_1$=233.4780+74.3713X$_1$+1.2912X$_2$+39.0420X$_3$-148.9300X$_4$ $Y_{11}$v$_2$=-317.0150+15.l524X$_1$+1.0861X$_2$+156.7973X$_3$-148.3742X$_4$ $Y_{11}$v$_3$=178.7011+29.8664X$_1$-0.2562X$_2$+102.4632X$_3$-83.2693X$_4$ $Y_{11}$v$_4$= 264.0062+47.7742X$_1$+2.6996X$_2$+92.8882X$_3$-192.3464X$_4$ 등의 식에 의하여 수량을 예측할 수 있다.

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Modified Materka Model를 이용한 4H-SiC MESFET 대신호 모델링 (4H-SiC MESFET Large Signal Modeling using Modified Materka Model)

  • 이수웅;송남진;범진욱
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제12권6호
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    • pp.890-898
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    • 2001
  • Modified Materka-Kacprzak 대신호 MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor) model을 사용하여 4H-SiC MESFET의 대신호 모델링을 수행하였다. Silvaco사의 소자 시뮬레이터인 ATLAS를 사용하여 4H-SiC MESFET 소자 시뮬레이션을 수행하고, 이 결과를 modified Materka 대신호 모델을 사용하여 모델링 하였다. 시뮬레이션 및 모델링 결과는 -8 V의 pinch off 전압과 $V_{GS}$ =0 V, $V_{DS}$ =25 V에서 $I_{DSS}$270 mA/mm, $G_{m}$ =52.8 ms/mm를 얻을 수 있었고, 전력 특성 시뮬레이션을 통해 2GHz, $V_{GS}$ =-4V, $V_{DS}$ =25 V에서 10dB의 Gain과 34dBm(1 dB compression point)의 출력전력, 7.6W/mm의 전력밀도, 37%의 PAE(power added efficiency)를 얻을 수 있었다.다.

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