• Journal of Electrochemical Science and Technology
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• 제2권2호
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• pp.76-84
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• 2011

Potentiostatic oxidation of Pb-1.7%Sb alloy used in the manufacture of grids of lead-acid batteries over the potential range from -1.0V to 2.3V in 5M $H_2SO_4$ in the absence and the presence of 0.4M $H_3PO_4$ and the self-discharge characteristics of the oxide layer formed is studied by electrochemical impedance spectroscopy (EIS). Depending on the potential value, sharp variations in resistance and capacitance of the alloy are recorded during the oxidation and they can be used for identification of the various substances involved in passive layer. Addition of $H_3PO_4$ is found to deteriorate the insulating properties of the passive layer by the retardation of the formation of $PbSO_4$. $H_3PO_4$ completely inhibits the current and impedance fluctuations recorded in $H_3PO_4$-free solutions in the potential range 0.5 V-1.7 V. These fluctuations are attributed to the occurrence of competitive redox processes that involve the formation of $PbSO_4$, $PbOSO_4$, PbO and $PbO_2$ and the repeated formation and breakdown of the passive layer. Self-discharge experiments indicate that the amount of $PbO_2$ formed in the presence of $H_3PO_4$ is lesser than in the $H_3PO_4$-free solutions. The start of transformation of $PbSO_4$ into $PbO_2$ is greatly shortened. $H_3PO_4$ facilitates the diffusion process of soluble species through the passive layer ($PbSO_4$ and basic $PbSO_4$) but impedes the diffusion process through $PbO_2$.

• 대한전자공학회논문지
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• 제24권2호
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• pp.242-247
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• 1987

Electrophysical phenomena at the silicon semiconductor-electrolyte solution interfaces were analyzed based on the zeta potential of the electrical double layer and microelectrophoresis. The suspensions were composed of the p or n-type silicon particles suspended in the KCI or pH buffer solutions. The approximate diameter of the prepared and sampled sioicon semiconductor pardticles was 1.5\ulcorner. The sign of the zeta poetntials of the p and n-type silicon particles in the KCl and pH buffer solution was positive. A range of electrophoretic mobilities of the p and n-type silicons in the KCl solutions was 5.5-8.9x10**-4 cm\ulcornerV-sec and 4.2-7.9x10**-4cm\ulcornerV-sec, respectively. The range of zeta potentials corresponding to the electrophoretic mobilities is 70.4-114.0mV nad 53.9-101.2mV, respectively. On the other hand, a range of electrophoretic mobilities of the p and n-type silicons in the pH buffer solutions was 1.1x10**-4-2.2x10**-3cm\ulcornerV-sec and 0-2.1x10**-3cm\ulcornerV-sec, respectively. The range of zeta potentials corresponding to the electrophoretic mobilities is 14.1-281.6mV and 0-268.8mV, respectively. The zeta potentials and electrical double layers of the doped silicon semiconductors are decisively influenced by the positively charged ions in the solutions. The maximum values of the zeta potentials in the KCl solutions appeared at a concentration of about 10-\ulcorner. The isoelectric point of the n-type silicon semiconductors appeared at about a pH 7. The effect of the space charge of the doped silicon semiconductors can be neglected compare with the effect of the surface charge.

• 한국수산과학회지
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• 제12권4호
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• pp.201-207
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• 1979

재래식 안강망 어구를 축소비 1/40로 줄여서 전개 장치를 한 모형어구에 대하여 회류수조에서 실험한 결과를 요약하면 다음과 같다. 1) 모형어구의 저항은 수해와 암해르 부착했을 때 $R=1.66V^{1.02}$, 수해를 떼어내고 전개건과 뜸을 달았을 때 $R=3.11V^{1.54}$ (R:kg, V:m/sec)이며 실물에서 유속 1m/sec일 때 저항은 각각 5.2ton, 6.8ton정도이다. 2) **고는 모두직선적으로 감소하여 재래식에서는 h=89.22-2.42(V-15), $(V\geqq15)$, 전개건과 뜸을 달았을 때 h=89.20-0.87V, (h:cm V:cm/sec)이며 이것은 실물에서 유속 1m/sec일 때에도 **고는 약 20m 정도가 된다. **폭은 전개건줄의 길이로 조성할 수 있다. 3) **구의 단면적은 저속일 때는 비슷하나 유속 0.25m/sec 이상에서 전개건을 달았을 때가 월등히 증가하여 실물에서 유속 1.0m/sec일 때 약 $736m^2$가 된다. 어획효율도 단면적에 비례하므로 전개건을 달았을 때 그 효율은 1.53 이 된다. 4) 재래식 안****은 유속의 증가에 따라 옆판에 주름이 너무 많이 생기므로 적당한 성형율과 사단방법이 필요하다. 5) 전개건은 숫걸리줄, 암걸리줄 및 전개건줄의 길이와 그 결부위치의 조성으로 **고, **폭 및 **형을 어느정도 조성할 수 있으며, 정조시 전개건과 그 물이 어떤 상태에 있더라고 유속과 유향의 변화가 생기면 항상 전개력을 나타낼 수 있다.

• 한국미생물·생명공학회지
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• 제17권4호
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• pp.392-396
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• 1989

Facultative methylotroph인 Methylobacterium organophilum을 유일한 탄소원으로 메탄올을 0.5% (v/v) 함유한 최소 합성배지를 이용하여 pH 6.8과 3$0^{\circ}C$에서 배양하였다. 세포의 증식은 배지 내의 여러 성분들에 의해 영향을 받았으며 이로부터 최대증식속도를 얻을 수 있는 최적 합성배지 조성을 확립하였다. 배지조성 중 질소원이 결핍되면 세포의 증식이 감소하며 Fe$^{+2}$ 또는 Mn$^{+2}$ 이온의 결핍은 세포의 비증식속도를 감소시켰다. 탄소원인 메탄올은 농도를 증가시킬수록 세포의 비증식속도가 감소하는 메탄올의 기질 저해성을 확인하였으며, 4%(v/v) 이상의 메탄을 농도에서는 세포의 증식이 완전히 저해되었다. 이러한 메탄올의 기질 저해성은 간헐식 유가배양법을 이용하여 극복하고 PHB의 축적을 촉진하는 영양분 제한(nutrient-deficiency) 실험을 수행하였다. 합성배지의 영양분 중 NH$_{4}^{+}$, SO$_{4}^{-2}$, $K^+$ 또는 PO$_{4}^{-3}$ 이온을 결핍시켰을 때 M. organophilum의 PHB 생산이 증가하였으며 칼륨이온을 결핍시켰을때 세포의 건조 중량에 대한 PHB 함량은 최대 58%를 얻었다.

• 전기화학회지
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• 제1권1호
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• pp.40-44
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• 1998

pH변화를 정밀하게 측정하기 위하여 빠른 응답특성과 높은 감도를 갖는 전기화학적 전위차를 이용한 LAPS(Light-Addressable Potentiometric Sensor) 소자 및 시스템을 제작하여 그 기초 특성을 조사하였다. 먼저 pH 변화에 따른 LAPS의 정전기적 인 변화특성 및 소자의 변수를 LAPS 등가회로 모델을 이용한 모의실험을 통해 검증하고 이러한 모의 실험을 바탕으로 하여 LAPS 소자 및 시스템을 제작하였다. 제작된 LAPS 시스템은 pH 2-11 사이에서 56 mV/pH의 선형적인 감도를 보였다. 구성된 LAPS 시스템의 다양한 응용성을 도모하기 위한 시도로서 먼저, 일반적인 urea 센서가 가지는 긴 응답시간의 단점을 극복하기 위해 nitrocellulose membrane 에 urease가 고정화된 막을 LAPS에 부착하여 측정한 결과 urease 농도 $50{\mu}g/ml,500{\mu}g/ml$에 대하여 각각 0.29mV/sec, 0.816 mV/sec의 매우빠른 응답특성을 얻을 수 있었다. 또한 환경적 측면에서 중요한 우라닐 이온의 감지를 위하여 우라늄 인식 매체를 LAPS의 감지부에 부착하고 수용액 속에 녹아 있는 우라늄 이온을 측정한 결과 $10^{-11}\~10^{-4}M$의 넓은 농도 범위에서 25mV/decade 감도를 보였다

• 한국통신학회논문지
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• 제42권1호
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• pp.279-285
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• 2017

3GPP에서는 LTE sidelink기술을 이용한 V2V(Vehicle to Vehicle)통신 표준에 대한 연구를 진행 중이다. 고속의 차량 간 통신이라는 점에서 기존 sidelink기술을 그대로 적용하기에 부적합한 부분이 존재하는데, 일반적으로 3km/h의 도보이용자를 기준으로 하였던 기존 DM-RS(Demodulation Reference signal)구조를 통해서는 120km/h로 이동하는 차량 통신에서 필요한 채널 추정 정보를 얻기에 부족하다. 본 논문에서는 빠른 채널 변화 특성을 갖는 차량 간 통신에서 필요한 향상된 DM-RS 구조에 대해서 알아보고, 각각의 DM-RS구조들에 의한 채널 추정 정확도를 비교 분석 하였다. 시뮬레이션 결과 확장된 반송파 주파수를 사용함으로써 반송파 간 간섭을 방지하여 빠르게 변하는 채널 상황에서 보다 정확한 채널 추정 값을 얻을 수 있었다. 그러나 확장된 반송파 주파수는 Cyclic prefix에 의해 큰 오버헤드를 갖게 되어 결과적으로 기존의 반송파 주파수를 유지하면서 높은 밀도를 가지는 DM-RS 구조가 차량 간 통신에 적합 할 것으로 보여 진다.

• 한국수학교육학회지시리즈B:순수및응용수학
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• 제11권2호
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• pp.127-132
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• 2004

$H_v$-rings first were introduced by Vougiouklis in 1990. The largest class of algebraic systems satisfying ring-like axioms is the $H_v$-ring. Let R be an $H_v$-ring and ${\gamma}_R$ the smallest equivalence relation on R such that the quotient $R/{\gamma}_R$, the set of all equivalence classes, is a ring. In this case $R/{\gamma}_R$ is called the fundamental ring. In this short communication, we study the fundamental rings with respect to the product of two fuzzy subsets.

• 한국재료학회지
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• 제29권9호
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• pp.519-524
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• 2019

Spherical $Li_3V_2(PO_4)_3$ (LVP) and carbon-coated LVP with a monoclinic phase for the cathode materials are synthesized by a hydrothermal method using $N_2H_4$ as the reducing agent and saccharose as the carbon source. The results show that single phase monoclinic LVP without impurity phases such as $LiV(P_2O_7)$, $Li(VO)(PO_4)$ and $Li_3(PO_4)$ can be obtained after calcination at $800^{\circ}C$ for 4 h. SEM and TEM images show that the particle sizes are $0.5{\sim}2{\mu}m$ and the thickness of the amorphous carbon layer is approximately 3~4 nm. CV curves for the test cell are recorded in the potential ranges of 3.0~4.3 V and 3.0~4.8 V at a scan rate of $0.01mV\;s^{-1}$ and at room temperature. At potentials between 3.0 and 4.8 V, the third $Li^+$ ions from the carbon-coated LVP can be completely extracted, at voltages close to 4.51 V. The carbon-coated LVP exhibits an initial specific discharge capacity of $118mAh\;g^{-1}$ in the voltage region of 3.0 to 4.3 V at a current rate of 0.2 C. The results indicate that the reducing agent and carbon source can affect the crystal structure and electrochemical properties of the cathode materials.

• 한국물환경학회지
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• 제30권4호
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• pp.394-402
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• 2014

High-voltage dielectric discharges are an emerging technique in environmental pollutant degradation, which are characterized by the production of hydroxyl radicals as the primary degradation species. The initiation and propagation of the electrical discharges depends on several physical, chemical, and electrical parameters such as 1st and 2nd voltage of power, gas supply, conductivity and pH. These parameters also influence the physical and chemical characteristics of the discharges, including the production of reactive species such as OH, $H_2O_2$ and $O_3$. The experimental results showed that the optimum 1st voltage and oxygen flow rate for RNO (N-Dimethyl-4-nitrosoaniline, indicator of the generation of OH radical) degradation were 160 V (2nd voltage of is 15 kV) and 4 L/min, respectively. As the 2nd voltage (4 kV to 15 kV) was increase, RNO degradation was increased and, generated $H_2O_2$ and $O_3$ concentration were increased. The conductivity of the solution was not influencing the RNO degradation, $H_2O_2$ and $O_3$ generation. The pH effect on RNO degradation was not high. However, the lower pH and the conductivity, the higher $H_2O_2$ and $O_3$ generation were observed.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제19권9호
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• pp.927-933
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• 1998

Polycrystalline powder of vanadium-doped forsterite (Vδ $Mg_2SiO_4$) was synthesized by the $H_2O_2$-assisted sol-gel method. The vanadium dopant, which was added as VO$(OMe)_3$ in methanol, went through several redox reactions as the sol-gel reaction proceeded. Upon adding VO$(OMe)_3$ to a mixture of $Mg(OMe)_2$ and Si$(OEt)_4$ in methanol, V(V) reduced to V(IV). As hydrolysis reaction proceeded, the V(IV) oxidized all back to V(V). Apparently, some of the V(V) reduced to V(IV) during subsequent gelation by condensation reaction. The V(IV) remained even after heat treatment of the gel in highly oxidizing atmosphere. The crystallization of the xerogel around 880 ℃ readily produced single phase forsterite without any minor phase. Using the polycrystalline powder as feeding stock, single crystals of vanadium-doped forsterite were grown by the floating zone method in oxidizing or reducing atmosphere. The doping was limited in low level because of the high partitioning of the vanadium in liquid phase during melting. The greenish single crystal absorbed visible light of 700∼1100 nm. But, no emission was obtained in near infrared range.